一种晶圆对晶圆的半导体激光器芯片老化测试装置的制作方法

本实用新型涉及半导体激光器芯片测试技术领域，具体的说是涉及一种晶圆对晶圆的半导体激光器芯片老化测试装置。

背景技术：

半导体激光器芯片在生产制造过程中需要进行老化测试，该测试通常模拟芯片长时间运行下的工作状态，从而能够在制造工艺中，早识别和放弃有缺陷的芯片。国家老化标准中规定，老化测试的目的是验证承受规定条件的器件在整个工作时间内的质量或可靠性。为了在短时间内或以较小的应力来获得正确结果，以确保器件以后能用于高可靠场合，必须用加速试验条件或足够大的样本来提供相应的失效概率。该试验条件包括电输入、负载和偏置以及相应的最高工作温度或试验温度等。

一般对半导体激光器芯片的老化测试的传统方法，主要采用探针等测试装置逐一对半导体激光器芯片重要的参数进行老化测试，测试效率较低。如需测试大批量芯片，这种测试效率将严重影响后续工艺产品的实施。

芯片在老化后需要对其的重要参数进行老化测试，为了提升老化测试效率，本实用新型提出的晶圆(wafer)对晶圆(wafer)的半导体激光器芯片的老化测试装置及方法，实现了对半导体激光器芯片的批量检测，提高了老化测试效率，是半导体激光器芯片在老化工艺中的一个重要环节。

技术实现要素：

为解决上述背景技术中提出的问题，本实用新型的目的在于提供一种晶圆对晶圆的老化测试装置。

为实现上述目的，本实用新型采取的技术方案为：

本实用新型提供了一种晶圆对晶圆的半导体激光器芯片老化测试装置，包括测试机台，所述测试机台上设有载入待测晶圆的样品台，所述测试机台上的检测部件为测试晶圆，所述测试晶圆包括与待测晶圆轮廓相同的检测块，所述检测块表面均匀分布有与待测晶圆上若干个半导体激光器芯片一一对应的凸台，每个所述凸台与设置在检测块上的印刷电路板电连接；所述测试晶圆上还设有视觉识别的字符。

上述技术方案中，所述测试晶圆采用半导体工艺，经过刻蚀以及nm级镀膜工艺加工得到。

上述技术方案中，所述凸台采用刻蚀及nm级镀膜工艺制得。

上述技术方案中，所述检测块的材料为硅基，所述凸台的材料为金。

上述技术方案中，每个所述凸台的尺寸小于半导体激光器芯片中电极的尺寸。

上述技术方案中，每个所述凸台的尺寸为20um×30um。

本实用新型中，所述测试晶圆为包括薄膜支撑框，所述薄膜支撑框上设有薄膜，所述薄膜上放置若干排列整齐的半导体激光芯片。

本实用新型中，所述测试机台为市场上常用的半导体激光芯片测试用设备，所述测试晶圆为测试机台的一个配件，替代测试机台上常用的探针，用于对测试晶圆上的若干半导体激光芯片进行批量测试。所述测试晶圆的检测块为硅基，且检测块与待测晶圆轮廓相同，在所述硅基表面上通过刻蚀及nm镀膜工艺设置电路和凸台，每个凸台均与电路连接。同时每个凸台均采用金，且每个凸台的位置与测试晶圆上半导体激光芯片一一对应。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：

本实用新型采用测试晶圆对待测晶圆测试的方式，实现了从采用探针单个测试的方式到采用测试晶圆批量测试的改进，提升老化测试效率，从而提高了生产效率。

附图说明

图1为本实用新型的结构示意图；

图2为待测晶圆的正视图；

图3为测试晶圆的正视图；

附图标记说明：

1、测试机台；2、样品台；3、待测晶圆；31、半导体激光器芯片；32、薄膜支撑框；33、薄膜；4、测试晶圆；41、检测块；42、凸台；43、字符。

具体实施方式

为使本实用新型实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合附图和具体实施方式，进一步阐述本实用新型是如何实施的。

如图1、图2和图3所示，本实用新型提供的一种晶圆对晶圆的半导体激光器芯片老化测试装置，包括测试机台1，所述测试机台1上设有载入待测晶圆3的样品台2，所述测试机台1上的检测部件为测试晶圆4，所述测试晶圆4包括与待测晶圆3轮廓相同的检测块41，所述检测块41表面均匀分布有与待测晶圆上若干个半导体激光器芯片31一一对应的凸台42，每个所述凸台42与设置在检测块41上的电路电连接；所述测试晶圆4上还设有视觉识别的字符43。

本实用新型中所述测试晶圆4采用半导体工艺，经过刻蚀以及nm级镀膜工艺加工得到。具体的，所述凸台42和检测块41上的电路均采用刻蚀及nm级镀膜工艺制得。其中，所述检测块41的材料为硅基，所述凸台42的材料为金。

本实用新型中，每个所述凸台42的尺寸小于半导体激光器芯片中电极的尺寸。优选的，每个所述凸台42的尺寸为20um×30um。

本实用新型中，所述测试晶圆3为包括薄膜支撑框32，所述薄膜支撑框32上设有薄膜33，所述薄膜33上放置若干排列整齐的半导体激光芯片31。

本实用新型中，所述测试机台1为市场上常用的半导体激光芯片测试用设备，所述测试晶圆4为测试机台1的一个配件，替代测试机台1上常用的探针，用于对测试晶圆3上的若干半导体激光芯片31进行批量测试。所述测试晶圆4的检测块41为硅基，且检测块41与待测晶圆3轮廓相同，在所述硅基表面上通过刻蚀及nm镀膜工艺设置电路和凸台42，每个凸台42均与电路电连接。同时每个凸台42均采用金，且每个凸台42的位置与测试晶圆3上半导体激光芯片31一一对应。

本实用新型提供的一种晶圆对晶圆的半导体激光器芯片老化测试装置的操作方法，包括以下步骤：

步骤一、先将待测晶圆3放入测试机台1的样品台2上；

步骤二、按下测试机台3上的加载键，测试机台3自动感应样品台上是否有待测晶圆3并对其进行定位，然后通过视觉识别识别测试晶圆4上的字符43，将测试晶圆4与待测晶圆3对准并接触；

步骤三、通过测试晶圆4上的电路给每个凸台42通电，同时对待测晶圆3上的每个半导体激光器芯片31进行测试。

最后说明的是，以上实施例仅用以说明本实用新型的技术方案而非限制，尽管参照较佳实施例对本实用新型进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本实用新型的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本实用新型技术方案的宗旨和范围，其均应涵盖在本实用新型的权利要求范围中。