1.一种装置，其包含：
第一导电层；
中间层，具有邻接所述第一导电层的第一表面的第一表面；
第二导电层，具有邻接所述中间层的第二表面的第一表面，所述中间层的所述第二表面与所述中间层的所述第一表面相对；
一个或多个第一电极，嵌入所述第一导电层；以及
一个或多个第二电极.嵌入所述第二导电层；
其中，所述一个或多个第一电极与所述一个或多个第二电极形成桥式结构的至少一部分，所述桥式结构展现的电气性质随着所述第一导电层与所述第二导电层朝面内方向的未对准的函数而改变。
2.根据权利要求1所述的装置，其中：
所述中间层为非导电层；
所述一个或多个第一电极包含两个第一电极；
所述一个或多个第二电极包含一个第二电极；以及
所述第一电极与所述第二电极形成电容半桥式结构，所述电容半桥式结构展现的电荷随着所述第一导电层与所述第二导电层朝所述面内方向的所述未对准的所述函数而改变。
3.根据权利要求2所述的装置，其还包含：
差分感测电路，连接至所述第一电极；以及
时变电压源，连接至所述第二电极。
4.根据权利要求2所述的装置，其还包含：
两个时变电压源，所述两个时变电压源各自连接至所述第一电极中的一个；以及
单端型感测电路，连接至所述第二电极。
5.根据权利要求1所述的装置，其中：
所述一个或多个第一电极为多个第一电极；
所述一个或多个第二电极为多个第二电极；
所述第一导电层包含第一部分和第二部分，所述第一部分具有所述多个第一电极的至少第一个嵌入于其中，所述第二部分具有所述多个第一电极的至少第二个嵌入于其中；
所述第二导电层包含第一部分和第二部分，所述第一部分具有所述多个第二电极的至少第一个嵌入于其中，所述第二部分具有所述多个第二电极的至少第二个嵌入于其中；
所述多个第一电极与所述多个第二电极形成全桥式结构；以及
所述电气性质为所述多个第二电极中的每一个之间的差分电导或差分电容。
6.根据权利要求5所述的装置，其中：
所述一个或多个第一电极包含嵌入所述第一导电层的所述第一部分的两个第一电极与嵌入所述第一导电层的所述第二部分的两个第一电极；以及
所述一个或多个第二电极包含嵌入所述第二导电层的所述第一部分的一个第二电极与嵌入所述第二导电层的所述第二部分的一个第二电极。
7.根据权利要求1所述的装置，其中：
所述中间层为第三导电层；
所述一个或多个第一电极包含两个第一电极；
所述一个或多个第二电极包含一个第二电极；以及
所述第一电极和所述第二电极形成电阻半桥式结构，所述电阻半桥式结构展现的电导随着所述第一导电层与所述第二导电层朝所述面内方向的所述未对准的所述函数而改变。
8.根据权利要求7所述的装置，其还包含：
差分感测电路，连接至所述第一电极；以及
电压源，连接至所述第二电极，其中，所述电压源为时变电压源或非时变电压源。
9.根据权利要求7所述的装置，其还包含：
两个电压源，所述两个电压源各自连接至所述第一电极中的各别一个，其中，所述两个电压源为时变电压源或非时变电压源；以及
单端型感测电路，连接至所述第二电极。
10.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第一导电层或所述第二导电层中的至少一个为微机电系统(mems)层。
11.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第一导电层或所述第二导电层中的至少一个为与所述装置关联的互补金属氧化物半导体(cmos)管芯层。
12.根据权利要求1所述的装置，其中：
所述中间层为非导电层；
所述一个或多个第一电极包含一个第一电极；
所述一个或多个第二电极包含两个第二电极；
所述装置还包含连接至所述第二电极中的一个的时变电压源，其中，所述时变电压源的施加在所述第一电极产生电荷，所述电荷随着所述第一导电层与所述第二导电层朝所述面内方向的所述未对准的所述函数而改变；以及
所述装置还包含感测电路，所述感测电路具有连接至所述第一电极的输入与连接至所述第二电极中的另一不同电极的输出。
13.根据权利要求1所述的装置，其中：
所述中间层为非导电层；
所述一个或多个第一电极包含两个第一电极；
所述一个或多个第二电极包含三个第二电极；
所述第一电极与所述第二电极中的一个形成电容半桥式结构，所述电容半桥式结构展现的电荷随着所述第一导电层与所述第二导电层朝所述面内方向的所述未对准的所述函数而改变；以及
所述装置还包含感测电路，所述感测电路具有连接至所述两个第一电极的输入与连接至所述第二电极中的另外两个的输出。
14.一种方法，其包含：
施加输入电压至与半导体装置的第一导电层关联的一个或多个第一电极中的每一个；
感测与所述半导体装置的第二导电层关联的一个或多个第二电极的电气性质，以响应施加所述输入电压至所述一个或多个第一电极的每一个；以及
依据所述一个或多个第二电极的所述电气性质来计算所述半导体装置的所述第一导电层与所述半导体装置的所述第二导电层之间朝面内方向的未对准。
15.根据权利要求14所述的方法，其中：
所述一个或多个第二电极包含多个第二电极；
所述输入电压为时变输入电压；以及
所述感测包含：感测所述多个第二电极中的每一个之间的差分电荷，以响应施加所述输入电压至所述一个或多个第一电极。
16.根据权利要求14所述的方法，其中，所述一个或多个第二电极的所述电气性质为第一电气性质，且其中，所述计算包含：
测量所述半导体装置的所述第一导电层与所述半导体装置的所述第二导电层之间的中间层的第二电气性质；以及
依据所述第一电气性质与所述第二电气性质来计算所述未对准。
17.根据权利要求14所述的方法，其中：
所述一个或多个第一电极包含多个第一电极；
所述输入电压为时变输入电压；以及
所述感测包含：感测在所述一个或多个第二电极处的净电荷，以响应施加所述输入电压至所述第一电极。
18.根据权利要求14所述的方法，其中：
所述一个或多个第二电极包含多个第二电极；以及
所述感测包含：感测所述多个第二电极中的每一个之间的差分电导，以响应施加所述输入电压至所述一个或多个第一电极。
19.根据权利要求14所述的方法，其中：
所述一个或多个第一电极包含多个第一电极；以及
所述感测包含：感测在所述一个或多个第二电极处的净电导，以响应施加所述输入电压至所述多个第一电极中的每一个。
20.根据权利要求14所述的方法，其中：
所述一个或多个第一电极为多个第一电极；
所述一个或多个第二电极为多个第二电极；
所述施加包含：施加所述输入电压至嵌入所述第一导电层的第一部分的所述多个第一电极中的至少第一个以及至嵌入所述第一导电层的第二部分的所述多个第一电极中的至少第二个；以及
所述感测包含：感测嵌入与所述第二导电层关联的第一结构的所述多个第二电极的至少第一个的所述电气性质及感测嵌入与所述第二导电层关联的第二结构的所述多个第二电极的至少第二个的所述电气性质。