用于测量磁介质材料介电常数和磁导率的新型微波传感器的制作方法

本发明涉及一种微带线激励传感器，特别涉及一种基于互补开环谐振器(complementarysplit-ringresonator—csrr)的用于测量磁介质材料介电常数和磁导率的新型微波传感器，属于微波
技术领域：
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背景技术：
：随着微波技术在众多行业(如军事、医学、食品、化工及气象学等领域)中的快速发展，各种类型的射频微波器件被逐渐开发和应用，同时由于这些高频器件所使用到的磁介质材料的电磁特性极大影响着设备器件的性能参数，因此对磁介质材料的电磁特性的研究很受重视。磁介质材料的电磁特性是通过介电常数ε、磁导率μ、电导率σ三个参数来表征。其中，介电常数和磁导率是表征磁介质材料磁电性能最重要的基本参数，也是物质与电磁场之间相互作用的重要纽带。用来测量介电常数和磁导率的方法有很多，主要分为谐振法和非谐振法。谐振法中最典型的方法是谐振腔法，这种测量方法几乎不存在外界因素对测量的干扰，因此它是目前为止测量磁介质材料介电常数和磁导率最为准确的一种方法。谐振腔法的设计思路是将固定尺寸的待测样本放入谐振腔内设定好的位置，然后根据谐振腔的s参数的变化和质量因子q值的差异来反推出待测样本的介电常数和磁导率。在现有基于谐振原理的小型化微波传感器中，对磁介质材料的介电常数和磁导率传感表征具有相同的特性，即它们都会降低谐振频率。因此，磁介质材料的介电常数和磁导率的测量彼此独立，传感器功能单一，只能针对于某一参数的测量，不能同时测量介电常数和磁导率。技术实现要素：本发明的目的主要针对现有技术的不足，提出了一种结构简单、高灵敏度、高q值以及具备同时测量介电常数和磁导率功能的新型微波传感器。该传感器是在传统的互补开环谐振器和传输线结构基础上进行设计的。本发明按以下技术方案实现：一种新型微波传感器，该微波传感器为两端口器件，由顶层至底层包括微带线结构、介质层、金属薄片、两个刻槽金属csrr结构；所述微带线结构，置于介质层的上表面，包括分别位于介质层两侧的一个输入端口和一个输出端口，所述两端口用于连接sma连接头，所述sma连接头与矢量网络分析仪相连通；所述输入端口与输出端口之间通过五段微带线连接，所述五段微带线包括第一至第三微带线ⅰ和第一至第二微带线ⅱ，第一微带线ⅰ的一端通过50欧姆电阻与第一微带线ⅱ的一端焊接，第一微带线ⅰ的另一端通过金属补丁与第二微带线ⅰ的一端连接，第二微带线ⅰ的另一端通过金属补丁与第三微带线ⅰ的一端连接，第三微带线ⅰ的另一端通过50欧姆电阻与第二微带线ⅱ的一端焊接，第一微带线ⅱ、第二微带线ⅱ的另一端分别作为输入输出端口；其中第一微带线ⅰ与第一微带线ⅱ位于同一直线，第三微带线ⅰ与第二微带线ⅱ位于同一直线，第一微带线ⅰ与第二微带线ⅰ呈90度角，第二微带线ⅰ与第三微带线ⅰ呈90度角；进一步地，所述微带线ⅱ的宽度为1.67mm，用以匹配50ω电阻；进一步地，所述微带线ⅰ的宽度小于微带线ⅱ的宽度；进一步地，所述介质层为方形pcb板；所述的金属薄片与介质层形状相同，设置在介质层的下表面，且刻蚀有两个结构大小相同的刻槽金属csrr结构。两个刻槽csrr结构的开口朝向相同。每个刻槽金属csrr结构由内外槽环构成，内外槽环均设有一个开口，且开口朝向均相同；所述内外槽环开口相对的两直角均对齐内折，所述外槽环的开口向环内外延伸构成槽沟，其中外槽环开口槽沟之间的部分为磁场强度最大，电场强度最小的区域，该区域放置待测样品用于测量样品磁导率；内外槽环两个内折直角相接的槽沟之间的部分为电场强度最大，磁场强度最小的区域，该区域放置待测样品用于测量样品介电常数；所述两个金属补丁分别位于两个刻槽金属csrr结构内部的相对位置，且金属补丁分别耦合刻槽金属csrr结构；所述刻槽金属csrr结构内槽环的开口宽度与外槽环开口槽沟宽度相同。进一步地，两个刻槽金属csrr结构之间空隙距离设置为9.24mm，以消除彼此间的耦合；进一步地，所述刻槽金属csrr结构外槽环尺寸设置为11mm×7mm，槽宽为0.41mm，内槽环尺寸设置为6.31mm×5.74mm，槽宽为0.38mm，内外槽环槽边对齐处距离设置为0.22mm，其合理的尺寸使得电场很好的束缚在槽环周边；进一步地，外槽环开口槽沟与内槽环开口之间留有一定距离的空隙，距离设置为0.675mm，使得磁场很好的束缚在空隙中；进一步地，所述金属补丁中心与刻槽金属csrr结构内槽环的开口槽沟中心的水平距离为1.55mm；进一步地，所述两个金属补丁中心之间的距离为20mm；所述传感器的灵敏度决定了对介电常数和磁导率测量的分辨率；质量因子决定了测量的精度；测量范围和小型化决定了传感器的实用性。本发明与现有技术相比，具有如下的突出实质性特点和显著技术进步：本发明与现有的微波传感器相比，克服了现有传感器只能单一测量介电常数或磁导率的缺点，能够在同一传感器不同区域同时测量介电常数和磁导率。而且，该传感器的刻槽金属csrr结构的对强场的束缚很强，因此灵敏度很高，同时金属补丁与刻槽金属csrr结构之间耦合提高了传感器谐振时的阻抗匹配，从而提高了质量因子，因此本发明很适用于测量介电常数和磁导率较高的磁介质材料。附图说明图1是本发明的结构示意图以及参数标注图：其中(a)传感器顶层示意图，(b)传感器底层示意图，(c)传感器平面示意图；图2是本发明的s参数示意图；图3是本发明的场强度分布示意图：其中(a)电场强度分布示意图，(b)磁场强度分布示意图；图4是本发明的透射系数与待测样品的磁导率和介电常数的关系示意图：其中(a)透射系数与待测样品的磁导率的关系示意图，(b)透射系数与待测样品的介电常数的关系示意图。其中，1.pcb板；2.金属补丁；3.微带线ⅰ；4.50ω电阻；5.微带线ⅱ；6.sma连接头；7.金属薄片；8.csrr槽环；9.电场强度最大区域；10.磁场强度最大区域。具体实施方式下面结合附图用具体实施例对本发明作进一步详细说明。如图1所示是本发明的结构示意图，本发明的传感器包括顶层微带线、中间层pcb板1、底层金属薄片7被刻蚀的csrr槽环8；顶层微带线包括三段微带线ⅰ3与两段微带线ⅱ5，第一微带线ⅰ与第一微带线ⅱ5之间、第三微带线ⅰ与第二微带线ⅱ5之间分别通过两个50ω电阻4焊连，第一微带线ⅰ与第二微带线ⅰ、第二微带线ⅰ与第三微带线ⅰ分别通过金属补丁2相连，微带线ⅰ3延伸出馈电长脚用于连接sma连接头6；金属补丁2耦合底层的csrr槽环7；每个刻槽金属csrr结构由内外槽环构成，两个刻槽csrr结构的开口朝向相同；所述内外槽环均设有一个开口，开口朝向均相同，且开口相对的两直角均内折，内折两边相同，且槽环具有两个敏感区域，所述外槽环的开口向环内外延伸，其中外槽环开口槽沟之间的部分为磁场强度最大区域10，该区域放置待测样品用于测量样品磁导率；内外槽环两个内折直角相接的槽沟之间的部分为电场强度最大区域9，该区域放置待测样品用于测量样品介电常数；外槽环开口槽沟与内槽环开口之间的空隙宽度为0.675mm。本发明的传感器设计在三维电磁仿真软件ansyshfss环境进行的，相关尺寸通过软件得到，如下表所示：参数wt1wt2as1ppa数值(mm)1.670.49.526.20.761.6参数s2bclgw0数值(mm)1.5586.943.40.410.3参数w1w2w3s数值(mm)0.380.220.4120其中中间层pcb板的大小选取35×26×0.813mm3的高频板rogersro4350(介电常数3.66，磁导率1，电介质损耗0.004，磁导率损耗0)如图2所示是本发明的s参数示意图，传感器有两个谐振频率点，分别为2.22ghz和2.46ghz，而且q值都大于300，较高的q值保证了传感器的测量精度高。如图3所示是本发明的场强度分布示意图，其中(a)为电场强度分布示意图，底层csrr槽环中内外槽环内折直角相接的槽沟之间的区域为电场强度最大，磁场强度最小，因此该区域对磁电样品的电介常数变化很敏感，对磁导率不敏感，在该区域放置待测样品可以测量样品的介电常数；(b)为磁场强度分布示意图，底层csrr槽环中外槽环开口槽沟之间的区域为磁场强度最大，电场强度最小，因此该区域对磁电样品的磁导率变化很敏感，对介电常数不敏感，在该区域放置待测样品可以测量样品的磁导率。如图4所示是本发明的透射系数与待测样品的介电常数和磁导率的关系示意图，其中(a)为透射系数与待测样品的介电常数的关系示意图，(b)为透射系数与待测样品的磁导率的关系示意图。一种是待测样品分出两块尺寸分别为3.4×1.12×1mm3和7.8×3.5×1mm3的大小块，第一个块放置在第一个传感器(sensor1)中磁场强度最大的区域，第二块放置在第二个传感器(sensor2)中电场强度最大的区域，分别测量对应样品的磁导率和介电常数。另一种是将一块待测样品同时覆盖在第一个传感器(sensor1)中电场强度最大的区域，以及第二个传感器(sensor2)中磁场强度最大的区域，在不用移动样品的前提下测量该样品的磁导率和介电常数。当待测样品的磁导率数从1变化到2时，传感器的第二个谐振频率点从2.46ghz降到2.26ghz，第一个谐振频率点保持在2.22ghz不变，通过第二个谐振频率点的变化量可推算出样品的磁导率；当待测样品的介电常数从1变化到8时，传感器的第一个谐振频率点从2.22ghz降到1.9ghz，第二个谐振频率点保持在2.46ghz不变，通过第一个谐振频率点的变化量可推算出样品的介电常数，由于两个频率谐振点互不影响，对一种待测样品的磁电特性能同时做出响应，因此能够同时获取待测样品的磁导率和介电常数。而且，随着测量范围的扩大，透射系数的质量因子不断提高，表现出了很高的测量精度，因此传感器很适合介电常数和磁导率偏高的磁介质样品的测量，具有极强的实用性。上面结合附图对本发明进行了示例性描述，显然本发明具体实现并不受上述方式的限制，只要采用了本发明的方法构思和技术方案进行的各种非实质性的改进，或未经改进将本发明的构思和技术方案直接应用于其它场合，均在本发明的保护范围之内。当前第1页12