一种用于检测的电流采样电路的制作方法

本实用新型属于电流采样电路领域，具体涉及一种用于检测的电流采样电路。

背景技术：

目前用于电机电流的检测普遍采用合金电阻加运算放大器的方式，此种方式在功率回路中间串联一个电阻用于电流的采样，此种方式采用电阻、运算放大器成本较高，由于采样电阻串联在电路中间，会引起发热的情况，通过的电流越大，发热越严重，如果电流过大还需要保证散热条件防止烧坏采样电阻。

技术实现要素：

本实用新型提供一种用于检测的电流采样电路，解决了电路发热严重的问题。

为解决上述技术问题，本实用新型采用了如下的技术方案：一种用于检测的电流采样电路，包括电流采样电路、单片机及与电机连接的mos驱动电路，所述mos驱动电路包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第一三极管、第二mos管、第三三极管、第四三极管、第五mos管、第一二极管、第二二极管、第一稳压管；其中，电机的正极与21v电压连接并与第二二极管的负极连接，电机的负极与第一二极管的正极连接并与第二二极管的正极连接，所述第一二极管的负极与第一稳压管的负极连接；所述第二mos管的d极与电机的负极连接，第二mos管的g极与第一稳压管的正极连接，所述第二mos管的s极接地，所述第一稳压管的正极通过第七电阻接地，所述第一稳压管的正极还通过第三电阻接入第一三极管的发射极，所述第一稳压管的正极还通过第四电阻接入第三三极管的发射极，所述第三三极管的集电极接地，第三三极管的基极与第一三极管的基极连接，所述第三三极管的基极还通过第二电阻接入第一三极管的集电极，所述第三三极管的基极与第四三极管的集电极连接；所述第四三极管的基极通过第一电阻接入第一三极管的集电极，所述第四三极管的发射极接地，所述第四三极管的基极还接入第五mos管的d极；所述第五mos管的s极接地，第五mos管的g极通过第六电阻接地，所述第五mos管的g极通过第五电阻接入单片机的7脚连接，所述电流采样电路包括第八电阻、第九电阻、第十电阻、第十一电阻、第十二电阻、第一电容、第二电容、第二稳压管、第六mos管；其中，第六mos管的d极通过第十二电阻接入mos驱动电路中电机的负极，第六mos管的g极通过第九电阻接地，第六mos管的g极通过第十一电阻接入单片机的6脚，所述第六mos管的s极与第二稳压管的负极连接，第二稳压管的正极接地；所述第六mos管的s极还通过第十电阻接地，所述第六mos管的s极还通过第一电容接地，所述第六mos管的s极还通过第二电容接地；所述第六mos管的s极还通过第八电阻接入单片机的8脚。

优选的，还包括温度检测电路，所述温度检测电路包括第十三电阻、热敏电阻、第三电容，其中，所述热敏电阻的一端通过第十三电阻接入5v电压，所述热敏电阻的一端还通过第三电容接地，所述热敏电阻的的一端还接入单片机的9脚，所述热敏电阻的另一端接地。

本实用新型的有益效果是：本实用新型提供一种用于检测的电流采样电路，能够保护电阻不被损坏，使整个电路更加稳定可靠，避免额外的发热引起不必要的损耗。

附图说明

附图用来提供对本实用新型的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本实用新型的实施例一起用于解释本实用新型，并不构成对本实用新型的限制。在附图中：

图1是本实用新型提供的mos驱动电路电气原理图；

图2是电流采样电路的电气原理图；

图3是温度检测电路的电气原理图；

图4是lgt8p22a单片机的引脚示意图。

具体实施方式

为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图和实施例，对本实用新型进行进一步的详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不限定本实用新型。

如图1、图2、图3和图4所示，一种用于检测的电流采样电路，包括电流采样电路、单片机及与电机连接的mos驱动电路，所述mos驱动电路包括第一电阻r1、第二电阻r2、第三电阻r3、第四电阻r4、第五电阻r5、第六电阻r6、第七电阻r7、第一三极管q1、第二mos管q2、第三三极管q3、第四三极管q4、第五mos管q5、第一二极管d1、第二二极管d2、第一稳压管zd1；其中，电机为现有技术中常见电机，电机m的正极与21v电压连接并与第二二极管d2的负极连接，电机m的负极与第一二极管d1的正极连接并与第二二极管d2的正极连接，所述第一二极管d1的负极与第一稳压管zd1的负极连接；所述第二mos管q2的d极与电机m的负极连接，第二mos管q2的g极与第一稳压管zd1的正极连接，所述第二mos管q2的s极接地；

所述第一稳压管zd1的正极通过第七电阻r7接地，所述第一稳压管zd1的正极还通过第三电阻r3接入第一三极管q1的发射极，所述第一稳压管zd1的正极还通过第四电阻r4接入第三三极管q3的发射极，所述第三三极管q3的集电极接地，第三三极管q3的基极与第一三极管q1的基极连接，所述第三三极管q3的基极还通过第二电阻r2接入第一三极管q1的集电极，所述第三三极管q3的基极与第四三极管q4的集电极连接；所述第四三极管q4的基极通过第一电阻r1接入第一三极管q1的集电极，所述第四三极管q4的发射极接地，所述第四三极管q4的基极还接入第五mos管q5的d极；所述第五mos管q5的s极接地，第五mos管q5的g极通过第六电阻r6接地，所述第五mos管q5的g极通过第五电阻r6接入单片机lgt8p22a的7脚连接。

本实施中，参照图2和图4，所述电流采样电路包括第八电阻r8、第九电阻r9、第十电阻r10、第十一电阻r11、第十二电阻r12、第一电容c1、第二电容c2、第二稳压管zd2、第六mos管q6；其中，第六mos管q6的d极通过第十二电阻r12接入电机m的负极，第六mos管q6的g极通过第九电阻r9接地，第六mos管q6的g极通过第十一电阻r11接入单片机的6脚，所述第六mos管q6的s极与第二稳压管zd2的负极连接，第二稳压管zd2的正极接地；所述第六mos管q6的s极还通过第十电阻r10接地，所述第六mos管q6的s极还通过第一电容c1接地，所述第六mos管q6的s极还通过第二电容c2接地；所述第六mos管q6的s极还通过第八电阻r8接入单片机lgt8p22a的8脚。

本实施例中，参照图3和图4，还包括温度检测电路，所述温度检测电路包括第十三电阻r13、热敏电阻nct1、第三电容c3，其中，所述热敏电阻ntc1的一端通过第十三电阻r13接入5v电压，所述热敏电阻ntc1的一端还通过第三电容c3接地，所述热敏电阻nct1的的一端还接入单片机lgt8p22a的9脚，所述热敏电阻nct1的另一端接地。

通过本实施例提供的电流采样电路，对第二mos管q2的导通电阻rdson进行采集，根据测得的第二mos管q2的vdson电压除以rdson导通电阻求得通过第二mos管q2的电流。

由于第二mos管q2的导通电阻rdson会随着温度的变化而变化，引入热敏电阻ntc1进行第二mos管q2的温度监测，根据当前第二mos管q2产生的温度，引入一个补偿系数，由单片机lgt8p22a进行导通电阻rdson的补偿。另外，当热敏电阻ntc1检测到第二mos管q2的温度超温之后，热敏电阻ntc1会及时切断整个电路，保护控制器不被损坏，使整个产品更加稳定可靠。

以上所述仅为本实用新型的优选实施例而已，并不用于限制本实用新型，尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。