GIS导体检测温度的多级校准方法、装置、介质及终端设备与流程

本发明涉及gis温度技术领域，尤其涉及一种gis导体检测温度的多级校准方法、装置、介质及终端设备。

背景技术：

六氟化硫气体绝缘金属全封闭开关配电设备(gas—instulatedswitchgear简称gis)的内部导体触头接触故障会导致局部发热严重，进而引起gis设备内部和外壳温度分布发生变化。当gis设备的gis过热会击穿导致变电设备发生故障。gis中的母线导体、隔离开关和断路器由于触头接触不良造成的过热故障，已经严重影响到电力系统的安全稳定运行。

目前变电站对gis进行温度检测的常规手段多为红外测温巡视，一方面巡视不具备及时性，另一方面只能通过外壳温升的分布差异作为过热判据，灵敏度差、准确率低。现有对检测gis设备的温度没有校准，无法知晓检测的温度是否准确，不能保证得到的gis设备的检测温度是gis设备实际的温度，从而导致监控gis设备出现失误，损坏gis设备以及变电设备。

技术实现要素：

本发明实施例提供了一种gis导体检测温度的多级校准方法、装置、介质及终端设备，用于解决现有检测的gis导体温度知识对gis设备壳体表面检测的温度，让检测的温度不能真实反映gis导体内部的实际温度的技术问题。

为了实现上述目的，本发明实施例提供如下技术方案：

一种gis导体检测温度的多级校准方法，应用于gis红外测温装置上，包括以下步骤：

s10.对所述gis红外测温装置的测温进行一级校准，得到校准后的第一gis红外测温装置；

s20.获取检测的gis设备壳体的第一实测温度和gis设备导体内部的第一标称温度，根据所述第一实测温度和所述第一标称温度对所述第一gis红外测温装置进行二级校准，得到第二gis红外测温装置；

s30.获取检测的gis设备壳体的第二实测温度和gis设备导体内部的第二标称温度，根据所述第二实测温度和所述第二标称温度对所述第二gis红外测温装置进行三级校准，得到第三gis红外测温装置；

s40.获取检测的gis设备壳体的第三实测温度和gis设备导体内部的第三标称温度，根据所述第三实测温度和所述第三标称温度对所述第三gis红外测温装置进行四级校准，得到第四gis红外测温装置，所述第四gis红外测温装置检测gis设备壳体的温度作为gis设备导体的实测温度。

优选地，在步骤s10中，对所述gis红外测温装置的测温进行一级校准，得到校准后的第一gis红外测温装置的步骤包括：

对所述gis红外测温装置中单片机的温度采集端输入温度电压值，采集所述gis红外测温装置中单片机输出的采集电压值；

若所述温度电压值与所述采集电压值比较不一致，采用零漂校准公式对所述gis红外测温装置中单片机输出的电压值进行校准；

其中，所述零漂校准公式为：ui＝0.998*u0-0.385，式中，ui为校准后的第一gis红外测温装置中单片机输出的电压值，u0为gis红外测温装置中单片机输出的采集电压值。

优选地，在步骤s20中，得到第二gis红外测温装置的步骤包括：

将所述第一gis红外测温装置设置在所述gis设备壳体的可视窗口上，所述第一gis红外测温装置检测得到第一实测温度；

采用具有热偶线的测温触头设置在所述gis设备导体中，所述测温触头检测得到第一标称温度；

根据所述第一实测温度、所述第一标称温度以及对所述第一gis红外测温装置进行二级校准，得到第二gis红外测温装置；

其中，所述二级校准公式为δt＝(2.87/100000)*t1^3-0.008512*t1^2+0.9416*t1-21.77，t2＝t1+δt，式中，t1为第一实测温度，t2为第二gis红外测温装置检测gis导体的温度值，δt为第一实测温度与第一标称温度之间的拟合误差。

优选地，在步骤s30中，得到第三gis红外测温装置的步骤包括：

将所述第二gis红外测温装置设置在安装有红外玻璃的所述gis设备壳体的可视窗口上，所述第二gis红外测温装置检测得到第二实测温度；

采用具有热偶线的测温触头设置在所述gis设备导体中，所述测温触头检测得到第二标称温度；

根据所述第二实测温度、所述第二标称温度以及三级校准公式对所述第二gis红外测温装置进行三级校准，得到第三gis红外测温装置；

其中，所述三级校准公式为δt'＝0.0001356*t2'^3-0.0315*t2'^2+2.718*t2'-56.38，t3＝t2'+δt'，式中，t2'为第二实测温度，t3为第三gis红外测温装置检测gis导体的温度值，δt'为第二实测温度与第二标称温度之间的拟合误差。

优选地，在步骤s40中，得到第四gis红外测温装置的步骤包括：

在gis设备壳体的内部填充sf6气体，将所述第三gis红外测温装置设置在安装有红外玻璃的所述gis设备壳体的可视窗口上，所述第三gis红外测温装置检测得到第三实测温度；

采用具有热偶线的测温触头设置在所述gis设备导体中，所述测温触头检测得到第三标称温度；

根据所述第三实测温度、所述第三标称温度以及四级校准公式对所述第三gis红外测温装置进行四级校准，得到第四gis红外测温装置；

其中，所述四级校准公式为δt”＝(4.229/10000)*t3'^3-0.01292*t3'^2+0.957*t3'-25.24，t4＝t3'+δt”，式中，t3'为第三实测温度，t4为第四gis红外测温装置检测gis导体的温度值，δt”为第三实测温度与第三标称温度之间的拟合误差。

优选地，所述第四gis红外测温装置检测gis设备导体的实测温度与gis设备导体的实际温度的误差小于2℃。

优选地，在步骤s20至步骤s40中，采用温度采集仪检测gis设备导体内部的标称温度。

本发明还提供一种gis导体检测温度的多级校准装置，应用于gis红外测温装置上，包括一级校准模块、二级校准模块、三级校准模块和四级校准模块；

所述一级校准模块，用于对所述gis红外测温装置的测温进行一级校准，得到校准后的第一gis红外测温装置；

所述二级校准模块，用于获取检测的gis设备壳体的第一实测温度和gis设备导体内部的第一标称温度，根据所述第一实测温度和所述第一标称温度对所述第一gis红外测温装置进行二级校准，得到第二gis红外测温装置；

所述三级校准模块，用于获取检测的gis设备壳体的第二实测温度和gis设备导体内部的第二标称温度，根据所述第二实测温度和所述第二标称温度对所述第二gis红外测温装置进行三级校准，得到第三gis红外测温装置；

所述四级校准模块，用于获取检测的gis设备壳体的第三实测温度和gis设备导体内部的第三标称温度，根据所述第三实测温度和所述第三标称温度对所述第三gis红外测温装置进行四级校准，得到第四gis红外测温装置，所述第四gis红外测温装置检测gis设备壳体的温度作为gis设备导体的实测温度。

本发明还提供一种计算机可读存储介质，所述计算机存储介质用于存储计算机指令，当其在计算机上运行时，使得计算机执行上述所述的gis导体检测温度的多级校准方法。

本发明还提供一种终端设备，包括处理器以及存储器；

所述存储器，用于存储程序代码，并将所述程序代码传输给所述处理器；

所述处理器，用于根据所述程序代码中的指令执行上述所述的gis导体检测温度的多级校准方法。

从以上技术方案可以看出，本发明实施例具有以下优点：该gis导体检测温度的多级校准方法、装置、介质及终端设备采用层层递进的四级校准方式，上一层的输出作为下一层的输入，四级校准模式后的gis红外测温装置能够综合考虑诸多影响温度变化的变量，使得四级校准模式后得到的gis红外测温装置检测gis导体温度的结果更为准确、可靠，解决了现有检测的gis导体温度知识对gis设备壳体表面检测的温度，让检测的温度不能真实反映gis导体内部的实际温度的技术问题。

该gis导体检测温度的多级校准方法首先对gis红外测温装置中单片机处理输出的温度进行一级校准，其次是再次基于母线和触头光滑金属表面并在常温常规下检测gis设备壳体与导体内部温度对第一gis红外测温装置进行二级校准，在gis设备加装红外玻璃后检测gis设备壳体与导体内部温度对第二gis红外测温装置进行三级校准，最后是给gis设备壳体内部充sf6气体后检测gis设备壳体与导体内部温度对第三gis红外测温装置进行四级校准，从而实现对gis红外测温装置的四级校准。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。

图1为本发明实施例所述的gis导体检测温度的多级校准方法的步骤流程图。

图2a为本发明实施例所述的gis导体检测温度的多级校准方法四级校准后拟合误差与第三实测温度之间的变化曲线图。

图2b为本发明实施例所述的gis导体检测温度的多级校准方法的标称温度与校准后的实测温度的关系图。

图3为本发明实施例所述的gis导体检测温度的多级校准装置的框架图。

具体实施方式

为使得本发明的发明目的、特征、优点能够更加的明显和易懂，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，下面所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而非全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。

本申请实施例提供了一种gis导体检测温度的多级校准方法、装置、介质及终端设备，应用于gis红外测温装置上，采用层层递进的四级校准，首先对gis红外测温装置中单片机处理输出的温度进行一级校准，其次是再次基于母线和触头光滑金属表面并在常温常规下检测gis设备壳体与导体内部温度对第一gis红外测温装置进行二级校准，在gis设备加装红外玻璃后检测gis设备壳体与导体内部温度对第二gis红外测温装置进行三级校准，最后是给gis设备壳体内部充sf6气体后检测gis设备壳体与导体内部温度对第三gis红外测温装置进行四级校准，四个层级的校准层层递进，上一层的输出作为下一层的输入，四级校准模式后的gis红外测温装置能够综合考虑诸多影响温度变化的变量，使得四级校准模式后的gis红外测温装置检测gis导体温度的结果更为准确、可靠，解决了现有检测的gis导体温度知识对gis设备壳体表面检测的温度，让检测的温度不能真实反映gis导体内部的实际温度的技术问题。

实施例一：

图1为本发明实施例所述的gis导体检测温度的多级校准方法的步骤流程图。

如图1所示，本发明实施例提供了一种gis导体检测温度的多级校准方法，应用于gis红外测温装置上，包括以下步骤：

s10.对gis红外测温装置的测温进行一级校准，得到校准后的第一gis红外测温装置；

s20.获取检测的gis设备壳体的第一实测温度和gis设备导体内部的第一标称温度，根据第一实测温度和第一标称温度对第一gis红外测温装置进行二级校准，得到第二gis红外测温装置；

s30.获取检测的gis设备壳体的第二实测温度和gis设备导体内部的第二标称温度，根据第二实测温度和第二标称温度对第二gis红外测温装置进行三级校准，得到第三gis红外测温装置；

s40.获取检测的gis设备壳体的第三实测温度和gis设备导体内部的第三标称温度，根据第三实测温度和第三标称温度对第三gis红外测温装置进行四级校准，得到第四gis红外测温装置，第四gis红外测温装置检测gis设备壳体的温度作为gis设备导体的实测温度。

在本发明实施例的步骤s10中，主要是对gis红外测温装置检测温度的处理器进行校准，避免gis红外测温装置输出的温度值因处理器的输入输出误差导致检测的温度值不准确。

需要说明的是，gis红外测温装置可以为2020年1月17日公开申请号为cn201911071293.1的一种gis红外测温装置及其温度补偿校准方法中的gis红外测温装置。gis红外测温装置的处理器可以为单片机。

在本发明实施例的步骤s20中，主要是对步骤s10中校准后得到的第一gis红外测温装置进行二级校准。

在本发明实施例的步骤s30中，主要是对步骤s20中校准后得到的第二gis红外测温装置进行三级校准。

在本发明实施例的步骤s40中，主要是对步骤s30中校准后得到的第三gis红外测温装置进行四级校准。

本发明提供的gis导体检测温度的多级校准方法中的第四gis红外测温装置检测gis设备导体的实测温度与gis设备导体的实际温度的误差小于2℃。采用温度采集仪检测gis设备导体内部的标称温度。

本发明提供的一种gis导体检测温度的多级校准方法采用层层递进的四级校准方式，上一层的输出作为下一层的输入，四级校准模式后的gis红外测温装置能够综合考虑诸多影响温度变化的变量，使得四级校准模式后得到的gis红外测温装置检测gis导体温度的结果更为准确、可靠，解决了现有检测的gis导体温度知识对gis设备壳体表面检测的温度，让检测的温度不能真实反映gis导体内部的实际温度的技术问题。

需要说明的是，该gis导体检测温度的多级校准方法首先对gis红外测温装置中单片机处理输出的温度进行一级校准，其次是再次基于母线和触头光滑金属表面并在常温常规下检测gis设备壳体与导体内部温度对第一gis红外测温装置进行二级校准，在gis设备加装红外玻璃后检测gis设备壳体与导体内部温度对第二gis红外测温装置进行三级校准，最后是给gis设备壳体内部充sf6气体后检测gis设备壳体与导体内部温度对第三gis红外测温装置进行四级校准，从而实现对gis红外测温装置的四级校准。

在本发明的一个实施例中，在步骤s10中，对gis红外测温装置的测温进行一级校准，得到校准后的第一gis红外测温装置的步骤包括：

对gis红外测温装置中单片机的温度采集端输入温度电压值，采集gis红外测温装置中单片机输出的采集电压值；

若温度电压值与采集电压值比较不一致，采用零漂校准公式对gis红外测温装置中单片机输出的电压值进行校准；

其中，零漂校准公式为：ui＝0.998*u0-0.385，式中，ui为校准后的第一gis红外测温装置中单片机输出的电压值，u0为gis红外测温装置中单片机输出的采集电压值。

需要说明的是，在步骤s10中，是对gis红外测温装置的硬件采集温度的缺陷方面进行补偿得到校准目的，例如：即对gis红外测温装置中单片机ad采集通道的零漂校准，可以理解为给单片机片内adc输入一个标称电压值，会得到一个输出的实测电压值，但实测电压值与标称电压值通常不是完全一致的，所以要进行零漂校准，校准后gis红外测温装置的单片机adc实际输出的电压值就和输入的采集电压值是一致的。零漂校准的具体为给单片机(微处理器)的adc通道口输入0～3.3v不同的电压值，通过gis红外测温装置的单片机输出并通过显示终端(例如adc采集输出电压值发送到电脑端的串口助手，查看电压值，这时显示终端指的是串口助手)查看输出的电压值u0，将实际输入电压与显示终端输出电压进行比较，根据比较结果，对显示终端输出电压数据进行补偿，经过补偿后使单片机的adc通道输出的电压值与实际单片机的adc通道输入电压相一致。在零漂校准公式的基础上gis红外测温装置的单片机进行温度测量值的换算，主要是将采集的电压值换算为温度测量值。

在本发明的一个实施例中，在步骤s20中，得到第二gis红外测温装置的步骤包括:

将第一gis红外测温装置设置在gis设备壳体的可视窗口上，第一gis红外测温装置检测得到第一实测温度；

采用具有热偶线的测温触头设置在gis设备导体中，测温触头检测得到第一标称温度；

根据第一实测温度、第一标称温度以及二级校准公式对第一gis红外测温装置进行二级校准，得到第二gis红外测温装置；

其中，二级校准公式为δt＝(2.87/100000)*t1^3-0.008512*t1^2+0.9416*t1-21.77，t2＝t1+δt，式中，t1为第一实测温度，t2为第二gis红外测温装置检测gis导体的温度值，δt为第一实测温度与第一标称温度之间的拟合误差。

需要说明的是，在步骤s10一级校准的基础上，将gis红外测温装置的传感器封装壳以及内部组件组装好后，安装到gis设备壳体的介质窗口，并在gis设备导体内部的触头测温位置提前粘贴好热偶线，通过绝缘出线盘引出来接到标称温度采集仪，用作标称温度值的测量，通过大电流发生器给gis设备的三相母线通大电流使得触头温度不断均匀升高(三工位接地开关盆子侧三相母线需要提前用铜排短接)，在此过程中均匀记录通过热偶线采集到的第一标称温度t0，以及通过gis红外测温装置的显示终端(上位机窗口显示界面)采集的第一实测温度t1，对已经经过一级校准后的第一gis红外测温装置根据第一标称温度t0、第一实测温度t1和二级校准公式进行补偿，得到第二gis红外测温装置输出的温度作为二级校准后的测量温度。

在本发明的一个实施例中，在步骤s30中，得到第三gis红外测温装置的步骤包括：

将第二gis红外测温装置设置在安装有红外玻璃的gis设备壳体的可视窗口上，第二gis红外测温装置检测得到第二实测温度；

采用具有热偶线的测温触头设置在gis设备导体中，测温触头检测得到第二标称温度；

根据第二实测温度、第二标称温度以及三级校准公式对第二gis红外测温装置进行三级校准，得到第三gis红外测温装置；

其中，三级校准公式为δt'＝0.0001356*t2'^3-0.0315*t2'^2+2.718*t2'-56.38，t3＝t2'+δt'，式中，t2'为第二实测温度，t3为第三gis红外测温装置检测gis导体的温度值，δt'为第二实测温度与第二标称温度之间的拟合误差。

需要说明的是，在步骤s20二级校准的基础上，给gis设备壳体的介质窗口加装红外玻璃，此时引入的变量为红外玻璃，其他校准条件与步骤s20二级校准一致，通过大电流发生器给gis设备的三相母线通大电流使得触头温度不断均匀升高，在此过程中均匀记录通过热偶线采集到的第二标称温度t0'以及通过第二gis红外测温装置的显示终端(上位机窗口显示界面)采集的第二实测温度t2'，对已经经过二级校准后的第二gis红外测温装置根据第二标称温度t0'、第二实测温度t2'和三级校准公式进行补偿，得到第三gis红外测温装置输出的温度作为三级校准后的测量温度。

图2a为本发明实施例所述的gis导体检测温度的多级校准方法四级校准后拟合误差与第三实测温度之间的变化曲线图，图2b为本发明实施例所述的gis导体检测温度的多级校准方法的标称温度与校准后的实测温度的关系图。

在本发明的一个实施例中，在步骤s40中，得到第四gis红外测温装置的步骤包括：

在gis设备壳体的内部填充sf6气体，将第三gis红外测温装置设置在安装有红外玻璃的gis设备壳体的可视窗口上，第三gis红外测温装置检测得到第三实测温度；

采用具有热偶线的测温触头设置在gis设备导体中，测温触头检测得到第三标称温度；

根据第三实测温度、第三标称温度以及四级校准公式对第三gis红外测温装置进行四级校准，得到第四gis红外测温装置；

其中，四级校准公式为δt”＝(4.229/10000)*t3'^3-0.01292*t3'^2+0.957*t3'-25.24，t4＝t3'+δt”，式中，t3'为第三实测温度，t4为第四gis红外测温装置检测gis导体的温度值，δt”为第三实测温度与第三标称温度之间的拟合误差。

需要说明的是，在步骤s30三级校准的基础上，给gis设备壳体内的导体填充sf6气体，此时引入的变量为sf6气体，其他校准条件与三级校准一致，通过大电流发生器给gis三相母线通大电流使得触头温度不断均匀升高，在此过程中记录通过热偶线采集的第三标称温度t0”以及通过第三gis红外测温装置的显示终端(上位机窗口显示界面)采集到的第三实测温度t3'，对已经经过三级校准后的第三gis红外测温装置根据第三标称温度t0”、第三实测温度t3'和四级校准公式进行补偿，得到第四gis红外测温装置输出的温度作为四级校准后的测量温度，第四gis红外测温装置检测gis设备壳体的温度作为gis设备导体的实测温度。

在本发明实施例中，由图2a可知，该gis导体检测温度的多级校准方法经过四级校准后的实测温度与标称温度之间的误差随实测温度的增大而有增大的趋势。由图2b可知，该gis导体检测温度的多级校准方法经过四级校准后的实测温度与标称温度近似相一致，通过对数据进行分析，发现四级校准后的实测温度与标称温度之间的误差在2℃以内，说明了该gis导体检测温度的多级校准方法的有效性。

实施例二：

图3为本发明实施例所述的gis导体检测温度的多级校准装置的框架图。

如图3所示，本发明实施例还提供一种gis导体检测温度的多级校准装置，应用于gis红外测温装置上，包括一级校准模块10、二级校准模块20、三级校准模块30和四级校准模块40；

一级校准模块10，用于对gis红外测温装置的测温进行一级校准，得到校准后的第一gis红外测温装置；

二级校准模块20，用于获取检测的gis设备壳体的第一实测温度和gis设备导体内部的第一标称温度，根据第一实测温度和第一标称温度对第一gis红外测温装置进行二级校准，得到第二gis红外测温装置；

三级校准模块30，用于获取检测的gis设备壳体的第二实测温度和gis设备导体内部的第二标称温度，根据第二实测温度和第二标称温度对第二gis红外测温装置进行三级校准，得到第三gis红外测温装置；

四级校准模块40，用于获取检测的gis设备壳体的第三实测温度和gis设备导体内部的第三标称温度，根据第三实测温度和第三标称温度对第三gis红外测温装置进行四级校准，得到第四gis红外测温装置，第四gis红外测温装置检测gis设备壳体的温度作为gis设备导体的实测温度。

需要说明的是，实施例二装置中的模块对应于实施例一方法中的步骤，实施例一方法中的步骤已在实施例一中详细阐述了，在此实施例二中不再对装置中的模块内容进行详细阐述。

实施例三：

本发明实施例提供了一种计算机可读存储介质，计算机存储介质用于存储计算机指令，当其在计算机上运行时，使得计算机执行上述的gis导体检测温度的多级校准方法。

实施例四：

本发明实施例提供了一种终端设备，包括处理器以及存储器；

存储器，用于存储程序代码，并将程序代码传输给处理器；

处理器，用于根据程序代码中的指令执行上述的gis导体检测温度的多级校准方法。

需要说明的是，处理器用于根据所程序代码中的指令执行上述的一种gis导体检测温度的多级校准方法实施例中的步骤。或者，处理器执行计算机程序时实现上述各系统/装置实施例中各模块/单元的功能。

示例性的，计算机程序可以被分割成一个或多个模块/单元，一个或者多个模块/单元被存储在存储器中，并由处理器执行，以完成本申请。一个或多个模块/单元可以是能够完成特定功能的一系列计算机程序指令段，该指令段用于描述计算机程序在终端设备中的执行过程。

终端设备可以是桌上型计算机、笔记本、掌上电脑及云端服务器等计算设备。终端设备可包括，但不仅限于，处理器、存储器。本领域技术人员可以理解，并不构成对终端设备的限定，可以包括比图示更多或更少的部件，或者组合某些部件，或者不同的部件，例如终端设备还可以包括输入输出设备、网络接入设备、总线等。

所称处理器可以是中央处理单元(centralprocessingunit，cpu)，还可以是其他通用处理器、数字信号处理器(digitalsignalprocessor，dsp)、专用集成电路(applicationspecificintegratedcircuit，asic)、现成可编程门阵列(field-programmablegatearray，fpga)或者其他可编程逻辑器件、分立门或者晶体管逻辑器件、分立硬件组件等。通用处理器可以是微处理器或者该处理器也可以是任何常规的处理器等。

存储器可以是终端设备的内部存储单元，例如终端设备的硬盘或内存。存储器也可以是终端设备的外部存储设备，例如终端设备上配备的插接式硬盘，智能存储卡(smartmediacard，smc)，安全数字(securedigital，sd)卡，闪存卡(flashcard)等。进一步地，存储器还可以既包括终端设备的内部存储单元也包括外部存储设备。存储器用于存储计算机程序以及终端设备所需的其他程序和数据。存储器还可以用于暂时地存储已经输出或者将要输出的数据。

所属领域的技术人员可以清楚地了解到，为描述的方便和简洁，上述描述的系统，装置和单元的具体工作过程，可以参考前述方法实施例中的对应过程，在此不再赘述。

在本申请所提供的几个实施例中，应该理解到，所揭露的系统，装置和方法，可以通过其它的方式实现。例如，以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如，所述单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，例如多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些接口，装置或单元的间接耦合或通信连接，可以是电性，机械或其它的形式。

所述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。

另外，在本发明各个实施例中的各功能单元可以集成在一个处理单元中，也可以是各个单元单独物理存在，也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中。上述集成的单元既可以采用硬件的形式实现，也可以采用软件功能单元的形式实现。

所述集成的单元如果以软件功能单元的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解，本发明的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的全部或部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质中，包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机，服务器，或者网络设备等)执行本发明各个实施例所述方法的全部或部分步骤。而前述的存储介质包括：u盘、移动硬盘、只读存储器(rom，read-onlymemory)、随机存取存储器(ram，randomaccessmemory)、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。

以上所述，以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。