一种量子点残留检测电路、显示面板及制作方法与流程

1.本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种量子点残留检测电路、显示面板及制作方法。


背景技术：

2.量子点显示技术凭借其高色域高稳定性的优势逐渐成为未来显示的重要技术。目前量子点发光二极管(quantum dot light emitting diodes，qled)制作主要通过打印、转移等手段实现。但是由于打印等工艺存在位置或墨水量等控制问题，稳定性和精确度均不满足现代显示对于高ppi(pixels per inch，像素密度)的要求，尤其是300ppi以上。采用光刻法进行qled材料的图形化，具有定位和加工的优势，在未来高ppi领域有着较大的优势和前景。目前的光刻过程中，由于曝光显影的过程中可能出现前层量子点材料的残留，这部分残留将会破坏qled结构，严重影响qled器件的稳定性，导致混色等不良；因此，如何对量子点光刻残留进行准确检测成为了目前亟待解决的问题。


技术实现要素：

3.鉴于上述问题，本发明提出了一种量子点残留检测电路、显示面板及制作方法，可实现对量子点发光层的前层的量子点残留情况进行准确检测。
4.第一方面，本技术通过一实施例提供如下技术方案：
5.一种量子点残留检测电路，包括：检测结构、待测单元和初始化单元；
6.所述检测结构设置在显示面板的量子点发光层的前层，并连接所述待测单元的控制端；所述检测结构，用于与制作所述量子点发光层过程中所述检测结构上残留的量子点进行电荷转移；所述初始化单元连接所述待测单元的控制端以及被配置为接入初始化电压，所述初始化单元用于初始化所述待测单元的控制端电压；所述待测单元的输入端被配置为接入测试电压，所述待测单元中的电流变化大小用于表征所述检测结构上的量子点残留密度。
7.可选的，所述待测单元包括至少一待测晶体管；所述待测晶体管的栅极分别与所述初始化单元和所述检测结构连接，所述待测晶体管的源极被配置为接入所述测试电压。
8.可选的，所述初始化单元包括至少一电容；所述电容连接所述待测晶体管的栅极，所述电容连接所述待测晶体管栅极的一端被配置为接入初始化电压。
9.可选的，所述检测结构为环形结构，并位于所述量子点发光层的前层边缘。
10.可选的，所述检测结构、待测单元和初始化单元设置在所述显示面板的玻璃基板。
11.可选的，还包括：至少一辅助测试晶体管；所述辅助测试晶体管与所述待测单元串联，所述辅助测试晶体管的栅极被配置为接入测试控制信号，所述测试控制信号用于控制所述辅助测试晶体管允许通过的最大电流。
12.可选的，还包括补偿单元，所述补偿单元连接所述待测单元，所述补偿单元被配置为对所述待测单元的电流进行补偿。
13.可选的，所述补偿单元包括：电流补偿电路，所述电流补偿电路的输出端连接所述待测单元的输入端，所述电流补偿电路被配置为在所述待测单元的控制端电压初始化时，向所述待测单元输出恒定电流。
14.可选的，所述电流补偿电路包括：第一开关和第二开关；所述第一开关的第一连接端被配置为接入所述初始化电压，所述第一开关的第二连接端连接所述待测单元的控制端；所述第二开关的第一连接端被配置为接入恒定电流，所述第二开关的第二连接端连接所述待测单元的输入端，所述第一开关和所述第二开关开启或关闭的时序相同。
15.可选的，所述补偿单元包括：电压补偿电路，所述电压补偿电路的输入子电路连接所述待测单元的输入端，所述电压补偿电路的充电子电路的两端分别连接所述待测单元的输出端和控制端。
16.可选的，所述输入子电路包括第三开关，所述第三开关的输入端被配置为接入补偿电压，所述第三开关的输出端连接所述待测单元的输入端；所述充电子电路包括第四开关，所述第四开关的输入端连接所述待测单元的输出端，所述第四开关的输出端连接所述待测单元的控制端，所述第三开关和所述第四开关的开启或关闭时序相同。
17.第二方面，基于同一发明构思，本技术通过一实施例提供如下技术方案：
18.一种量子点残留检测方法，应用于上述第一方面中任一所述的量子点残留检测电路，所述方法包括：
19.接入初始化电压对初始化单元进行充电，以使所述待测单元控制端的电压初始化，并获取所述待测单元中的第一电流；断开所述初始化电压并接入测试电压，开启预设的激发光源照射所述检测结构，获取所述待测单元中的第二电流；其中，所述检测结构上残留的量子点在所述激发光源的照射下与所述检测结构之间发生电荷转移；根据所述第一电流和第二电流，获得所述检测结构上的量子点残留密度。
20.第三方面，基于同一发明构思，本技术通过一实施例提供如下技术方案：
21.一种显示面板，包括前述第一方面中任一所述的量子点残留检测电路。
22.第四方面，基于同一发明构思，本技术通过一实施例提供如下技术方案：
23.一种显示面板的制作方法，包括：
24.在制作所述显示面板的量子点发光层之前，制作空穴传输层和检测结构；在所述空穴传输层上形成量子点发光层；其中，所述检测结构上方的量子点材料在制作所述量子点发光层的过程中被刻蚀或剥离；所述检测结构，用于与制作所述量子点发光层过程中所述检测结构上残留的量子点进行电荷转移。
25.可选的，所述在制作所述显示面板的量子点发光层之前，制作空穴传输层和检测结构，包括：
26.形成所述空穴传输层和围绕所述空穴传输层的检测结构。
27.本发明实施例提供的一种量子点残留检测电路、显示面板及制作方法，至少具备如下技术效果：
28.通过设计一检测结构，并利用量子点的光生伏特效应在光照下发生电荷转移，同时采用一待测单元的控制端来感应电荷转移所带来的电压变化，当待测单元的控制端电压发生改变从而改变待测单元中的电流，待测单元中的电流变化情况即可反映检测结构上的量子点残留密度，通过预先标定完成的量子点密度-电流变化曲线即可得到残留量子点的
密度，也即检测出了量子点发光层前层的量子点残留密度。
29.上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本发明的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举本发明的具体实施方式。
附图说明
30.为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。在附图中：
31.图1示出了本发明实施例提供的一种量子点残留检测电路的模块结构示意图；
32.图2示出了本发明实施例一种量子点残留检测电路的第一种实现电路图；
33.图3示出了本发明实施例一种量子点残留检测电路的第一种实现电路中制作于玻璃基板部分的结构示意图；
34.图4示出了本发明实施例一种量子点残留检测电路的第二种实现电路图；
35.图5示出了本发明实施例一种量子点残留检测电路的第三种实现电路图；
36.图6示出了本发明实施例一种量子点残留检测电路的第三种实现电路中制作于玻璃基板部分的结构示意图；
37.图7示出了本发明实施例一种量子点残留检测电路的第四种实现电路图；
38.图8示出了本发明实施例一种量子点残留检测电路的第四种实现电路中制作于玻璃基板部分的结构示意图；
39.图9示出了本发明实施例提供的一种量子点残留检测方法的流程图；
40.图10示出了本发明实施例提供的一种显示面板的制作方法的流程图。
具体实施方式
41.下面将参照附图更详细地描述本公开的示例性实施例。虽然附图中显示了本公开的示例性实施例，然而应当理解，可以以各种形式实现本公开而不应被这里阐述的实施例所限制。相反，提供这些实施例是为了能够更透彻地理解本公开，并且能够将本公开的范围完整的传达给本领域的技术人员。
42.本发明实施例提供的一种量子点残留检测电路，可应用于光刻工艺的显示面板制造过程中，对曝光显影后量子点发光层的前层所残留的量子点材料进行检测；检测时，可在完成量子点发光层制作后进行检测，可确定是否存在量子点残留；也可在完成任一颜色区域的量子点制作之后进行检测，可确定是何种类型或哪一步工艺导致的量子点残留；还可在完成整个显示面板制作之后进行检测，可确定量子点发光层前层是否存在量子点残留，以验证显示面板的可靠性和稳定性。下面将通过具体实施例对本发明的构思进行更加详细的阐述和说明。
43.请参阅图1，在本发明的一实施例中提供的一种量子点残留检测电路100，该量子点残留检测电路100，包括：检测结构110、待测单元120和初始化单元130。
44.检测结构110设置在显示面板的量子点发光层的前层，并连接待测单元120的控制
端；检测结构110，用于与所述检测结构110上残留的量子点进行电荷转移；初始化单元130连接待测单元120的控制端以及被配置为接入初始化电压，初始化单元130用于初始化待测单元120的控制端电压；待测单元120的输入端被配置为接入测试电压，待测单元120中的电流变化大小用于表征检测结构110上的量子点残留密度，待测单元120中的电流可通过外接电流测量装置150进行测量。
45.因此，本实施例提供的量子点残留检测电路100中，当需要对量子点发光层的前层进行检测的时，首先采用初始化单元130初始化测试单元的控制端电压，保证每次检测时的初始状态一致，然后采用合适的激发光源对检测结构110进行照射，由于量子点的光生伏特效应在光照下发生电荷转移，此时检测结构110上也发生电荷转移；由于检测结构110连接在待测单元120的控制端，而待测单元120输入端的测试电压不变，待测单元120的控制端电压发生改变从而改变待测单元120中的电流，待测单元120中的电流变化情况即可反映检测结构110上的量子点残留密度，通过预先标定完成的量子点密度-电流变化曲线即可得到残留量子点的密度，也即检测出了量子点发光层前层的量子点残留密度。
46.本实施例的量子点残留检测电路100可在工艺过程中进行检测，在检测出量子点残留密度之后，可按照标准测试产生的残留密度门限进行控制，如量子点残留密度低于门限则工艺继续向后进行；如量子点残留密度高于门限则采取重做工艺或者增加清洗/剥离时间等方式进行进一步将量子点去除，直到符合要求后继续进行后续工艺步骤。
47.在本实施例中，该量子点残留检测电路100的各部件的一些实现方式可参照如下：
48.对于检测结构110而言，所述的量子点发光层的前层为量子点发光层之前所制作的膜层，包括但不限于，玻璃基板210、玻璃基板210上的电极层、空穴注入层、空穴传输层等等；例如，可在玻璃基板210的电极层上制作检测结构110，也可在空穴注入层上制作检测结构110，制作的检测结构110形成一感应垫(sensor pad)，可对残留量子点进行感应。在玻璃基板210上或空穴注入层上制作检测结构110时，可采用与空穴传输层相同的材料，检测结构110可与空穴传输层一同制作，简化制作工艺。进一步的，检测结构110的形状可为环形结构，方形结构，条形结构等等；例如，检测结构110可围绕在量子点发光层的前层边缘，可与空穴传输层同层，并围绕在空穴传输层的边缘。在完成量子点发光层或完成某一颜色的量子点制作后，该检测结构110上的量子点材料将被刻蚀或剥离，从而可进行量子点餐料的残留检测。
49.检测结构110和量子点之间的电荷转移包括：在对应的激发光源下，残留的量子点上的载流子转移至检测结构110；以及在对应的激发光源下，残留的量子点获取检测结构110所转移的载流子。
50.对于待测单元120而言，本实施例可采用一待测晶体管t1或采用多个待测晶体管t1及其他器件组成与一待测晶体管t1等效的电路实现该待测晶体管t1同样或相似的功能，不作限制。待测晶体管t1可为p型晶体管，也可为n型晶体管，不作限制。本实施例的后续说明以待测晶体管t1为一p型晶体管为例进行说明，如图2所示。检测结构110连接待测晶体管t1的栅极，当检测结构110与残留的量子点之间发生电荷转移时，待测晶体管t1的栅极电压即会发生改变；初始化单元130连接待测晶体管t1的栅极，待测晶体管t1的源极被配置为接入测试电压。
51.对于初始化单元130而言，本实施例可采用一电容c1或采用多个器件组成与该电
容c1等效的电路实现该电容c1相同或相似的功能。本实施例的后续说明以初始化单元130为一电容c1为例进行说明，如图2所示。电容c1连接待测晶体管t1的栅极，电容c1连接待测晶体管t1栅极的一端被配置为接入初始化电压。当需要对待测晶体管t1的栅极电压进行初始化时，将初始化电压导通至电容c1进行充电，即可完成待测晶体管t1栅极的初始化。
52.请参阅图2所示的量子点残留检测电路100，在进行测试时，可首先开启开关t11对电容c1进行充电，在完成充电后关闭开关t11，电容c1被写入初始化电压v0，然后开启开关t12后获取待测晶体管t1的电流；此时，待测晶体管t1电流为接着，继续打开激发光源照射检测结构110，此时，检测结构110向电容c1产生额外的电荷q，电容c1电压变化为再次获取待测晶体管t1的电流其中，其中，其中，为宽长比，μ为迁移率，c
ox
为栅极电容，v
+
为测试电压，v
th
为阈值电压；残留量子点导致的电流变化为值电压；残留量子点导致的电流变化为通过δi和预先标定的量子点密度-电流变化曲线，就可确定量子点发光层的前层所残留量子点的密度。在图2中开关t11以及开关t12可为p型或n型晶体管，也可为时序控制的继电器，不作限制。
53.需要说明书的是，本实施例中电流测量装置150可采用示波器等仪器，实现实时采集测量，保证测量准确性，有效捕捉残留量子点的电荷转移，后续实现方式中亦如此。
54.在本实施例中，检测结构110、待测单元120和初始化单元130设置在显示面板的玻璃基板210。也即在显示面板制作过程中，可同步制作对应的待测单元120以及初始化单元130，这样可避免复杂的测试电路设计，保证初始化单元130和待测单元120的均匀性和稳定性。可在玻璃基板210边缘对应的位置预留测试触点，通过普通探针250连接外接电路板，在外接电路230板上课即可完成测量。请参阅图3，在图3中示出了将图2中的检测结构110、待测晶体管t1以及电容c1设置在玻璃基板210后，可预留触点供外界探针250连接，其中，触点tp1连接待测晶体管t1的控制端，触点tp2连接待测晶体管t1的输出端、触点tp3连接待测晶体管t1的输入端，通过探针250连接外接电路230以实现测试。当对显示面板进行过量子点残留检测之后，可对集成于显示面板中的检测结构110、待测单元120和初始化单元130进行切除，也可进行保留，不作限制。
55.请参阅图4，一些实现方式中，量子点残留检测电路100还包括：至少一辅助测试晶体管t21；辅助测试晶体管t21的类型同样可为p型或n型晶体管，不作限制。辅助测试晶体管t21与待测单元120(待测晶体管t1)串联，辅助测试晶体管t21的栅极被配置为接入测试控制信号。由于对待测晶体管t1的进行初始化之后，控制辅助测试晶体管t21可通过的最大电流大于待测晶体管t1；此时，通过待测晶体管t1和辅助测试晶体管t21的电流由待测晶体管t1的栅极电压的所决定，因此，当待测晶体管t1的栅极电压改变时，通过测量辅助测试晶体管t21的电流变化，即可确定量子点的残留密度。
56.测试时，首先控制辅助测试晶体管t21的栅极电压使晶体管的导通电流上限足够
高，以及通过开关t13向电容c1中充电压以初始化待测晶体管t1，使待测晶体管t1工作在可变电阻区间；通过辅助测试晶体管t21测量通过待测晶体管t1的电流i
01
；然后，打开预设的激发光源照亮检测结构110，再次通过辅助测试晶体管t21获取通过待测晶体管t1的电流i
11
，两次测量的电流差即可反映残留量子点的密度。
57.本实施例提供的量子点残留检测电路100，还包括补偿单元。该补偿单元被配置为对待测单元120的电流进行补偿。通过补偿单元进行补偿可保证针对不同面板每次测试时待测单元120特性和测试结果的一致性，使得基于量子点密度-电流变化曲线测得的结果是准确可靠的。
58.一些实现方式中，补偿单元包括：电流补偿电路，电流补偿电路的输出端连接待测单元120的输入端，电流补偿电路被配置为在待测单元120的控制端电压初始化时，向待测单元120输出恒定电流。
59.请参阅图5，电流补偿电路可按照如下方式实现，该电流补偿电路可包括：第一开关t14和第二开关t15。第一开关t14的第一连接端被配置为接入初始化电压，第一开关t14的第二连接端连接待测单元120的控制端；第二开关t15的第一连接端被配置为接入恒定电流(i+)，第二开关t15的第二连接端连接所述待测单元120的输入端，所述第一开关t14和所述第二开关t15开启或关闭的时序相同。
60.测试时，首先开启第一开关t14和第二开关t15对电容c1进行充充电，此时由于第二开关t15的第一连接端接入的恒定电流，并且第二开关t15与待测晶体管t1串联，这样在充电过程中能够保证通过待测晶体管t1的电流始终不变，保证每次进行测试时的初始状态一致性；接着，完成电容c1充电之后，关闭第一开关t14和第二开关t15，开启输入控制开关t16，获取待测晶体管t1的电流i
02
；再接着，打开预设的激发光源照亮检测结构110，再次获取通过待测晶体管t1的电流i
12
，两次获取的电流差即可反映残留量子点的密度。
61.同样的，当将图5所示的量子点残留检测电路100中的检测结构110、待测单元120和初始化单元130设置在显示面板的玻璃基板210时，其结构可如图6所示。其中，通过触点tp11将待测晶体管t1的栅极外接和电容c1外接，通过tp12将待测晶体管t1的输出端外接，通过tp13将待测晶体管t1的输入端配置为接入恒定电流或测试电压。
62.一些实现方式中，补偿单元包括：电压补偿电路，电压补偿电路的输入子电路连接待测单元120的输入端，电压补偿电路的充电子电路的两端分别连接待测单元120的输出端和控制端。
63.请参阅图7，输入子电路包括第三开关t17，第三开关t17的第一连接端被配置为接入补偿电压，第三开关t17的第二连接端连接待测单元120的输入端；充电子电路包括第四开关t18，第四开关t18的第一连接端连接待测单元120的输出端，第四开关t18的第二连接端连接待测单元120的控制端，第三开关t17和第四开关t18的开启或关闭时序相同。
64.测试时，首先打开第三开关t17、第四开关t18和第五开关t19，接入初始化电压和补偿电压对电容c1充电，完成充电后待测晶体管t1恰好关断；接着，关闭第三开关t17、第四开关t18和第五开关t19，并打开第六开关t31和第七开关t32，就可保证通过待测晶体管t1初始状态的电流为恒定的，可获取待测晶体管t1的电流i
03
；再接着，打开预设的激发光源照亮检测结构110，再次获取通过待测晶体管t1的电流i
13
，两次获取的电流差即可反映残留量子点的密度。
65.同样的，当将图7所示的量子点残留检测电路100中的检测结构110、待测单元120和初始化单元130设置在显示面板的玻璃基板210时，其结构可如图8所示。其中，通过触点tp21将待测晶体管t1的栅极和电容c1一端进行外接，通过tp22将待测晶体管t1的输出端外接，通过tp23将电容c1另一端配置为接入测试电压，通过tp24将待测晶体管t1的输入端配置为接入补偿电压或测试电压。
66.需要说明书的是，在本实施例的上述各种可能的实现方式中，第一开关t14、第二开关t15、第三开关t17、第四开关t18、第五开关t19、第六开关t31以及第七开关t32，各自均可采用p型或n型晶体管实现，也可采用时序控制的继电器实现，不作限制。
67.请参阅图9，基于同一发明构思，在本发明的又一实施例中还提供了一种量子点残留检测方法，该方法可基于前述实施例中的量子点残留检测电路，该量子点残留检测方法包括：
68.步骤s10：接入初始化电压对初始化单元进行充电，以使所述待测单元控制端的电压初始化，并获取所述待测单元中的第一电流；
69.步骤s20：断开所述初始化电压并接入测试电压，开启预设的激发光源照射所述检测结构，获取所述待测单元中的第二电流；其中，所述检测结构上残留的量子点在所述激发光源的照射下与所述检测结构之间发生电荷转移；
70.步骤s30：根据所述第一电流和第二电流，获得所述检测结构上的量子点残留密度。
71.在步骤s10～s30中，第一电流即为激发光源照射所述检测结构之前待测单元中的电流；第二电流即为激发光源照射所述检测结构之后待测单元中的电流；检测结构上的量子点残留密度可通过预先标定的量子点密度-电流变化曲线确定，具体的，可根据第一电流和第二电流的差值，获得检测结构上的量子点残留密度。
72.需要说明的是，本实施例所提供的一种量子点残留检测方法，其中各个步骤的实现在前述量子点残留检测电路实施例中进行对应结构介绍时已进行对应说明，因此本实施例中不再赘述。
73.基于同一发明构思，在本发明的又一实施例中还提供了一种显示面板，包括前述实施例中任一所述的量子点残留检测电路。
74.需要说明的是，本实施例所提供的显示面板可应用于手机、液晶面板、oled面板、电子纸、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框或导航仪等任何具有显示功能的产品或部件中。由于该显示面板包括量子点残留检测电路，其具体实现及产生的技术效果和前述实施例相同，为简要描述，本实施例部分未提及之处，可参考前述实施例中相应内容。
75.请参阅图10，基于同一发明构思，在本发明的又一实施例中还提供了一种显示面板的制作方法，所述方法包括：
76.步骤s100：在制作所述显示面板的量子点发光层之前，制作空穴传输层和检测结构。
77.在步骤s100中，具体包括：形成空穴传输层和围绕空穴传输层的检测结构。形成空穴传输层和检测结构时可采用同种材料，并实现同工艺步骤制作，避免增加额外的工艺步骤。
78.步骤s200：在所述空穴传输层和所述检测结构上覆盖量子点材料，并在所述空穴传输层上形成量子点发光层；其中，所述检测结构上方的量子点材料在制作所述量子点发光层的过程中被刻蚀或剥离；所述检测结构，用于与制作所述量子点发光层过程中所述检测结构上残留的量子点进行电荷转移。
79.进一步的，在本实施例方法还可包括如下步骤：在显示面板的玻璃基板上制作连接检测结构的待测单元和连接待测单元的控制端的初始化单元。这样可将前述实施例中的量子点残留检测电路集成于玻璃基板上，也即在显示面板制作过程中，例如制作显示面板的电极时，可同步制作对应的待测单元以及初始化单元，这样可避免复杂的测试电路设计，保证初始化单元和待测单元的均匀性和稳定性。
80.通过制作的检测结构即可实现量子点残留密度检测，在检测出量子点残留密度之后，可按照标准测试产生的残留密度门限进行控制，如量子点残留密度低于门限则工艺继续向后进行；如量子点残留密度高于门限则采取重做工艺或者增加清洗/剥离时间等方式进行进一步将量子点去除，直到符合要求后继续进行后续工艺步骤。
81.需要说明的是，由于该显示面板的制作方法，其在制作过程中至少形成了量子点残留检测电路的检测结构，通过该检测结构可实现前述实施例相同效果，为简要描述，检测结构的使用方法及对应效果可参照前述实施例中相应内容。
82.综上所述，本发明提供的一种量子点残留检测电路、显示面板及制作方法，至少具备如下技术效果：
83.通过设计一检测结构，并利用量子点的光生伏特效应在光照下发生电荷转移，同时采用一待测单元的控制端来感应电荷转移所带来的电压变化，当待测单元的控制端电压发生改变从而改变待测单元中的电流，待测单元中的电流变化情况即可反映检测结构上的量子点残留密度，通过预先标定完成的量子点密度-电流变化曲线即可得到残留量子点的密度，也即检测出了量子点发光层前层的量子点残留密度。
84.本文中出现的术语“和/或”，仅仅是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，a和/或b，可以表示：单独存在a，同时存在a和b，单独存在b这三种情况。另外，本文中字符“/”，一般表示前后关联对象是一种“或”的关系；单词“包含”不排除存在未列在权利要求中的元件或步骤。位于元件之前的单词“一”或“一个”不排除存在多个这样的元件。本发明可以借助于包括有若干不同元件的硬件以及借助于适当编程的计算机来实现。在列举了若干装置的单元权利要求中，这些装置中的若干个可以是通过同一个硬件项来具体体现。单词第一、第二、以及第三等的使用不表示任何顺序。可将这些单词解释为名称。
85.本领域内的技术人员应明白，本发明的实施例可提供为方法、系统、或计算机程序产品。因此，本发明可采用完全硬件实施例、完全软件实施例、或结合软件和硬件方面的实施例的形式。而且，本发明可采用在一个或多个其中包含有计算机可用程序代码的计算机可用存储介质(包括但不限于磁盘存储器、cd-rom、光学存储器等)上实施的计算机程序产品的形式。
86.本发明是参照根据本发明实施例的方法、设备(系统)、和计算机程序产品的流程图和/或方框图来描述的。应理解可由计算机程序指令实现流程图和/或方框图中的每一流程和/或方框、以及流程图和/或方框图中的流程和/或方框的结合。可提供这些计算机程序
指令到通用计算机、专用计算机、嵌入式处理机或其他可编程数据处理设备的处理器以产生一个机器，使得通过计算机或其他可编程数据处理设备的处理器执行的指令产生用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的装置。
87.这些计算机程序指令也可存储在能引导计算机或其他可编程数据处理设备以特定方式工作的计算机可读存储器中，使得存储在该计算机可读存储器中的指令产生包括指令装置的制造品，该指令装置实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能。
88.这些计算机程序指令也可装载到计算机或其他可编程数据处理设备上，使得在计算机或其他可编程设备上执行一系列操作步骤以产生计算机实现的处理，从而在计算机或其他可编程设备上执行的指令提供用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的步骤。
89.尽管已描述了本发明的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例作出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本发明范围的所有变更和修改。
90.显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。