技术特征：
1.一种磁电阻传感器，包括：a)衬底，其具有波纹和/或阶梯式表面；b)连续的石墨烯层，其被布置在所述衬底的所述波纹和/或阶梯式表面上；和c)与所述石墨烯层接触的至少两个导电元件；其中，所述石墨烯层基本上与所述衬底的所述波纹和/或阶梯式表面一致。2.根据权利要求1所述的磁电阻传感器，其中，所述衬底的所述波纹和/或阶梯式表面包括至少一个波峰组成部分和一个波谷组成部分。3.根据权利要求1或2所述的磁电阻传感器，其中，所述衬底的所述波纹和/或阶梯式表面包括至少两个波峰组成部分和两个波谷组成部分。4.根据权利要求3所述的磁电阻传感器，其中，所述衬底的所述波纹和/或阶梯式表面选自楼梯结构、方波结构、三角波结构、正弦波结构及其组合。5.根据权利要求3或4所述的磁电阻传感器，其中，所述波纹和/或阶梯式表面具有至少100nm的峰间距离。6.根据权利要求1至5中任一项所述的磁电阻传感器，其中，所述波纹和/或阶梯式表面具有至少100nm的谷间距离。7.根据权利要求1至6中任一项所述的磁电阻传感器，其中，所述波纹和/或阶梯式表面上的组成部分具有约5nm至约50nm的高度。8.根据权利要求1至7中任一项所述的磁电阻传感器，其中，所述石墨烯层是单个石墨烯单原子层。9.根据权利要求1至8中任一项所述的磁电阻传感器，其中，所述石墨烯层与所述衬底的所述波纹和/或阶梯式表面接触。10.根据权利要求1至9中任一项所述的磁电阻传感器，其中，所述至少两个导电元件独立地选自cr、au、ti、pd或其组合。11.根据权利要求1至10中任一项所述的磁电阻传感器，其中，所述至少两个导电元件独立地具有约2nm至约150nm的厚度。12.根据权利要求1至11中任一项所述的磁电阻传感器，其中，所述衬底选自二氧化硅、氮化硅、碳化硅、氮化硼、二硫化钼、二碲化钼、二硒化钨、二硫化钨和复合氧化物，例如钛酸锶。13.一种制造磁电阻传感器的方法，包括：a)在衬底上形成波纹和/或阶梯式表面；b)在所述衬底的所述波纹和/或阶梯式表面上布置连续的石墨烯层；和c)使至少两个导电元件与所述石墨烯层接触；其中，所述石墨烯层基本上与所述衬底的所述波纹和/或阶梯式表面一致。14.根据权利要求13所述的方法，其中，通过使用光刻和等离子蚀刻、电子束光刻和等离子体蚀刻或金属掩模和等离子蚀刻形成所述衬底上的所述波纹和/或阶梯式表面。15.根据权利要求13或14所述的方法，其中，通过聚合物冲压或化学气相沉积cvd将所述石墨烯层布置在所述衬底的所述波纹和/或阶梯式表面上。
技术总结
本发明大体涉及磁电阻传感器及其制造方法。该磁电阻传感器包括被布置在衬底的波纹和/或阶梯式表面上的连续石墨烯层。至少两个导电元件与该石墨烯层接触。该石墨烯层基本上与衬底的波纹和/或阶梯式表面一致。与衬底的波纹和/或阶梯式表面一致。与衬底的波纹和/或阶梯式表面一致。
技术研发人员：胡俊雄 阿里安多 陈俊佑 简国威 安东尼奥
受保护的技术使用者：新加坡国立大学
技术研发日：2021.03.04
技术公布日：2022/12/8