技术特征：
1.一种基于磁阻效应的双轴弱磁传感器敏感芯片，其特征在于：它包括两片单轴弱磁传感器敏感芯片，两片单轴弱磁传感器敏感芯片的结构相同，且上下堆叠、呈90度，每片单轴弱磁传感器敏感芯片均包括电极引线层(10)、四端惠斯通桥式磁阻(20)、置位/复位电流带(31)和偏置磁场带(41)，电极引线层(10)、四端惠斯通桥式磁阻(20)、置位/复位电流带(31)和偏置磁场带(41)由上至下依次封装，且电极引线层(10)与四端惠斯通桥式磁阻(20)之间，四端惠斯通桥式磁阻(20)与置位/复位电流带(31)之间，置位/复位电流带(31)与偏置磁场带(41)之间均设置有绝缘层；其中，四端惠斯通桥式磁阻(20)包括四端惠斯通电阻桥层(21)和磁阻层(22)，四端惠斯通电阻桥层(21)封装在磁阻层(22)上。2.根据权利要求1所述的一种基于磁阻效应的双轴弱磁传感器敏感芯片，其特征在于：电极引线层(10)上开设有第一供电电极孔(101)、输出正电极孔(102)、接地电极孔(103)、置位/复位负电极孔(104)、输出负电极孔(105)、第二供电电极孔(106)、偏置负电极孔(107)、置位/复位正电极孔(108)和偏置正电极孔(109)；第一供电电极孔(101)、输出正电极孔(102)、接地电极孔(103)、输出负电极孔(105)和第二供电电极孔(106)由左至右依次开设在电极引线层(10)上的上侧，偏置负电极孔(107)和偏置正电极孔(109)开设在输出负电极孔(105)和第二供电电极孔(106)的下方，在电极引线层(10)上的右侧，偏置负电极孔(107)在上，置位/复位负电极孔(104)和置位/复位正电极孔(108)由右至左开设在电极引线层(10)上的下方，在偏置正电极孔(109)的左侧。3.根据权利要求1或2所述的一种基于磁阻效应的双轴弱磁传感器敏感芯片，其特征在于：磁阻层(22)包括19个平行设置的双尖头左磁阻条(2201)和19个平行设置的双尖头右磁阻条(2202)，左磁阻条(2201)和双尖头右磁阻条(2202)水平放置，方向相同，所述双尖头左磁阻条(2201)和双尖头右磁阻条(2202)的材料为铁镍合金。4.根据权利要求3所述的一种基于磁阻效应的双轴弱磁传感器敏感芯片，其特征在于：四端惠斯通电阻桥层(21)包括电阻桥层本体、上供电电极(2101)、输出正极(2102)、接地电极(2103)、输出负电极(2104)和下供电电极(2105)，上供电电极(2101)、输出正极(2102)、接地电极(2103)、输出负电极(2104)和下供电电极(2105)分别安装在电阻桥层本体上，其中，上供电电极(2101)、输出正极(2102)、接地电极(2103)、输出负电极(2104)和下供电电极(2105)的安装位置分别与第一供电电极孔(101)、输出正电极孔(102)、接地电极孔(103)、输出负电极孔(105)和第二供电电极孔(106)对应。5.根据权利要求4所述的一种基于磁阻效应的双轴弱磁传感器敏感芯片，其特征在于：四端惠斯通电阻桥层(21)还包括第一桥臂(2109)、第二桥臂(2108)、第三桥臂(2107)和第四桥臂(2106)，第一桥臂(2109)、第二桥臂(2108)、第三桥臂(2107)和第四桥臂(2106)由上至下依次安装在电阻桥层本体上，其中，上供电电极(2101)与第一桥臂(2109)连接，输出正极(2102)与第二桥臂(2108)和第一桥臂(2109)连接，接地电极(2103)与第三桥臂(2107)和第二桥臂(2108)连接，输出负电极(2104)与第四桥臂(2106)和第三桥臂(2107)连接。6.根据权利要求5所述的一种基于磁阻效应的双轴弱磁传感器敏感芯片，其特征在于：第一桥臂(2109)、第二桥臂(2108)、第三桥臂(2107)和第四桥臂(2106)上均包含一个蛇形
短接条，所述蛇形短接条的材质为金属铝或金。7.根据权利要求6所述的一种基于磁阻效应的双轴弱磁传感器敏感芯片，其特征在于：第一桥臂(2109)的蛇形短接条为6行平行的且向左下倾斜45
°
的独立短接块，独立短接块的竖直宽度大于左双尖头磁阻条(2201)的宽度；第二桥臂(2108)的蛇形短接条为6行平行的且向右下倾斜45
°
的独立短接块，并与第一桥臂(2109)的独立短接块垂直，且独立短接块的竖直宽度大于左双尖头磁阻条(2201)的宽度；第三桥臂(2107)的蛇形短接条为6行平行的且向左下倾斜45
°
的独立短接块，并与第二桥臂(2108)的独立短接块垂直，且独立短接块的竖直宽度大于右双尖头磁阻条(2202)的宽度；第四桥臂(2106)的蛇形短接条为6行平行的且向右下倾斜45
°
的独立短接块，独立短接块的竖直宽度大于右双尖头磁阻条(2202)的宽度。8.根据权利要求1或7所述的一种基于磁阻效应的双轴弱磁传感器敏感芯片，其特征在于：置位/复位电流带(31)采用上、下双螺旋环状结构，上螺旋环状结构从里到外的顺时针螺旋型环状结构，下螺旋环状结构从里到外的逆时针螺旋型环状结构，中间为连接处，两端缺口与置位/复位负电极孔(104)和置位/复位正电极孔(108)相连接。9.根据权利要求1或8所述的一种基于磁阻效应的双轴弱磁传感器敏感芯片，其特征在于：置位/复位电流带(31)的材质为金属铝。10.根据权利要求1或9所述的一种基于磁阻效应的双轴弱磁传感器敏感芯片，其特征在于：偏置磁场带(41)的材质为金属铝。
技术总结
一种基于磁阻效应的双轴弱磁传感器敏感芯片，它涉及一种弱磁传感器敏感芯片。本发明为了解决现有的弱磁传感器存在测量精度差、测量方向单一的问题。本发明包括电极引线层(10)、四端惠斯通桥式磁阻(20)、置位/复位电流带(31)和偏置磁场带(41)，电极引线层(10)、四端惠斯通桥式磁阻(20)、置位/复位电流带(31)和偏置磁场带(41)由上至下依次封装，且电极引线层(10)与四端惠斯通桥式磁阻(20)之间，四端惠斯通桥式磁阻(20)与置位/复位电流带(31)之间，置位/复位电流带(31)与偏置磁场带(41)之间均设置有绝缘层；四端惠斯通桥式磁阻(20)中的四端惠斯通电阻桥层(21)封装在磁阻层(22)上。本发明用于弱磁测量。本发明用于弱磁测量。本发明用于弱磁测量。
技术研发人员：周志炜 孙权 陈宝成 尹延昭 刘兴宇 张鹏 王世宁 于洋
受保护的技术使用者：中国电子科技集团公司第四十九研究所
技术研发日：2022.07.25
技术公布日：2022/10/25