技术特征：
1.一种dpp-dtt晶体管生物传感器的制造方法，其其征在于，所述制造方法包括：对sio2基底进行氧气等离子体处理后，用辛基三氯硅烷与甲苯在恒温下孵育；将二氯苯中的dpp-dtt旋涂在sio2基底上，并作退火处理，得到dpp-dtt/sio2芯片；在所述dpp-dtt/sio2芯片上旋涂光刻胶，恒温软烘烤后冷却，在所述光刻胶/dpp-dtt/sio2芯片上进行光刻，利用显影液对所述光刻胶/dpp-dtt/sio2芯片进行显影，在光刻胶中显示所述沟道图案；以光刻胶图案作为保护层，利用等离子体对干燥后dpp-dtt/sio2芯片进行蚀刻，去除暴露的dpp-dtt，然后丙酮去除光刻胶，露出dpp-dtt沟道；在所述dpp-dtt/sio2芯片上加工制造出源电极和漏电极，得到dpp-dtt晶体管芯片；在所述dpp-dtt晶体管芯片上固定il-6抗体。2.根据权利要求1所述的制造方法，其其征在于，在所述dpp-dtt/sio2芯片上加工制造出源电极和漏电极，得到dpp-dtt晶体管芯片，包括：根据预设的源极和漏极的图案，采用光刻工艺在所述dpp-dtt/sio2芯片产生源极和漏极图案后，进行金属蒸镀，并在丙酮中剥离，以显示出源电极和漏电极，得到dpp-dtt晶体管芯片。3.根据权利要求1所述的制造方法，其其征在于，所述在所述dpp-dtt晶体管芯片上固定il-6抗体，包括：将所述dpp-dtt晶体管芯片进行氧气等离子体处理；将nhs-edc在恒温下加热，产生蒸汽沉积在所述dpp-dtt晶体管芯片的表面；用超纯水清洗所述dpp-dtt晶体管芯片，并用il-6抗体覆盖在pbs中后低温储存，以将il-6抗体固定在所述dpp-dtt晶体管芯片上；将低温储存后的带有il-6抗体的dpp-dtt晶体管芯片取出，在室温下用bsa在tbs缓冲液中孵育后用超纯水清洗，以将dpp-dttdpp-dtt晶体管芯片的表面封闭，以免其它蛋白质干扰检测。4.根据权利要求3所述的制造方法，其其征在于，通过如下方法确认il-6抗体的固定：在用nhs-edc功能化dpp-dtt表面后，将生物素结合的il-6抗体固定在dpp-dtt晶体管芯片上，用bsa孵化，并用超纯水清洗后，用阿维菌素-fitc孵化芯片，用超纯水清洗后在荧光显微镜下对fitc进行表征，得到第一表征其征；在用nhs-edc功能化dpp-dtt表面后，用bsa孵化，并用超纯水清洗后，用阿维菌素-fitc孵化芯片，用超纯水清洗后在荧光显微镜下对fitc进行表征，得到第二表征其征；对比第一表征其征和第二表征其征，确认il-6抗体的固定。5.一种如权利要求1至4中任一项所述的制造方法所制造的dpp-dtt晶体管生物传感器。6.一种如权利要求5所述的dpp-dtt晶体管生物传感器的检测方法，其其征在于，所述检测方法包括：在恒定的栅极电压下，将漏极-源极电压从-20v扫到20v，得到电流的输出曲线；在恒定的漏极-源极电压下，将栅极-源极电压从-20v扫到20v，得到电流的转移曲线；根据所述电流的输出曲线和/或所述电流的转移曲线确定晶体管电学性能和固定抗体
及结合抗原分析物之后电学性能的变化。7.根据权利要求6所述的检测方法，其其征在于，所述检测样本为il-6。8.根据权利要求6所述的检测方法，其其征在于，所述恒定的栅极电压为-20v到20v之间的一个电压。9.根据权利要求6所述的检测方法，其其征在于，所述恒定的漏极-源极电压为-20v到20v之间的一个电压。10.一种如权利要求5所述的dpp-dtt晶体管生物传感器的检测方法，其其征在于，所述检测方法包括：将所述dpp-dtt晶体管生物传感器与il-6在室温下孵化；孵化后，用超纯水清洗dpp-dtt晶体管生物传感器，并吹干；在恒定的栅极-源极电压和恒定的漏极-源极电压的条件下测量dpp-dtt晶体管生物传感器，以获得漏源电流信号；根据所述漏源电流信号确定il-6浓度。
技术总结
本发明涉及生物传感器技术领域，具体公开一种DPP-DTT晶体管生物传感器及制造方法和检测方法，该DPP-DTT场效应晶体管是通过光刻、蚀刻和金属蒸镀制作的，DPP-DTT被白细胞介素6(IL-6)抗体进一步固定化。抗原(IL-6)在芯片上的孵化，IL-6被IL-6抗体捕获到传感器表面。在清洗芯片上的溶液并吹干后，表征传感器的电学性能，通过施加恒定的Vgs和恒定的Vds，得到每种浓度的IL-6的电流Ids，在与IL-6孵化前后比较Ids等电性能，并绘制电信号与IL-6浓度的线性关系，可以有效检测IL-6浓度。本发明制造的DPP-DTT场效应晶体管可以成为传感检测蛋白质的有效电转换器，并有可能用于检测其他各种蛋白质生物标志物。白质生物标志物。白质生物标志物。
技术研发人员：崔悦
受保护的技术使用者：北京大学
技术研发日：2022.11.18
技术公布日：2023/3/31