在带电粒子系统中通过偏转器控制进行检查的系统和方法与流程

本文中的描述涉及带电粒子束系统的领域，更具体涉及使用偏转器控制来控制带电粒子束检查系统的样品表面上的充电的系统。

背景技术：

1、在集成电路(ic)的制造过程中，检查未完成或已经完成的电路部件以确保其根据设计制造并且没有缺陷。利用光学显微镜的检查系统的分辨率通常低至几百纳米；并且分辨率受到光的波长的限制。由于ic部件的物理尺寸持续减小到亚100纳米或甚至亚10纳米，所以需要比利用光学显微镜的检查系统具有更高分辨率的检查系统。

2、分辨率低至小于纳米的诸如扫描电子显微镜(sem)或透射电子显微镜(tem)之类的带电粒子(例如，电子)束显微镜用作用于检查特征尺寸为亚100纳米的ic部件的可行工具。利用sem，单个初级电子束的电子或多个初级电子束的电子可以聚焦在被检查的晶片的感兴趣位置处。初级电子与晶片相互作用，并且可以被反向散射或可以使得晶片发射次级电子。包括背散射电子和次级电子的电子束的强度可以基于晶片的内部结构和外部结构的特性而变化，从而可以指示晶片是否具有缺陷。

技术实现思路

1、本公开的各实施例提供了用于使用偏转器控制来控制带电粒子束系统的样品表面上的充电的装置、系统和方法。在一些实施例中，控制器包括电路系统，该电路系统被配置为：扫描样品的多个节点以为多个节点充电；调整射束的扫描速率，使得沉积在多个节点中的每个节点上的电荷量相对于至少一个其他节点变化；生成多个图像；以及比较多个图像以实现对与样品的多个节点中的任一节点相关联的缺陷的检测。

2、在一些实施例中，一种用于检查方法可以包括：扫描样品的多个节点以为多个节点充电；调整射束的扫描速率，使得沉积在多个节点中的每个节点上的电荷量相对于至少一个其他节点变化；生成多个图像；以及比较多个像素以实现对与样品的多个节点中的任一节点相关联的缺陷的检测。

3、在一些实施例中，一种非暂态计算机可读介质可以存储指令集合，该指令集合可由计算设备的至少一个处理器执行，以使得计算设备执行用于检查的方法。该方法可以包括：扫描样品的多个节点以为多个节点充电；调整射束的扫描速率，使得沉积在多个节点中的每个节点上的电荷量相对于至少一个其他节点变化；生成多个图像；以及比较多个像素以实现对与样品的多个节点中的任一节点相关联的缺陷的检测。

技术特征：

1.一种用于检查样品的系统，所述系统包括：

2.根据权利要求1所述的系统，还包括检测器，所述检测器通信地耦合到所述控制器，并且被配置为：响应于所述射束扫描所述样品，基于对从所述样品发射的电子的检测来产生检测数据。

3.根据权利要求1所述的系统，还包括偏转器，所述偏转器被配置为通过偏转所述射束来调整所述扫描速率，使得所述射束的扫描速率在扫描所述样品上的线的期间变化。

4.根据权利要求3所述的系统，其中所述电路系统还被配置为通过改变施加到所述偏转器的电压的变化率来使所述扫描速率变化。

5.根据权利要求1所述的系统，其中所述扫描速率反映在扫描所述样品上的线的期间所述射束横穿所述样品的表面的速度。

6.根据权利要求1所述的系统，其中所述电路系统还被配置为通过调整被配置为支撑所述样品的载物台的速度来调整所述扫描速率。

7.根据权利要求1所述的系统，其中所述多个节点包括在第一方向上布置的节点行。

8.根据权利要求7所述的系统，其中沉积在与所述节点行相关联的每个节点上的所述电荷量在所述第一方向上增加。

9.根据权利要求7所述的系统，其中所述多个节点包括在垂直于所述第一方向的第二方向上布置的节点列。

10.根据权利要求7所述的系统，其中所述多个图像指示与所述多个节点相关联的电压对比度水平。

11.根据权利要求10所述的系统，其中所述电路系统还被配置为检测与所述多个节点相关联的所述电压对比度水平之间的差异。

12.根据权利要求10所述的系统，其中与每个节点相关联的所述电压对比度水平在所述第一方向上递增或递减地变化。

13.根据权利要求10所述的系统，其中与每个节点相关联的所述电压对比度水平在第二方向上递增或递减地变化。

14.根据权利要求1所述的系统，其中所述多个节点中的每个节点的电容是等同的。

15.根据权利要求1所述的系统，其中比较所述多个图像以使得能够检测到是否在所述样品的所述多个节点中标识到缺陷还包括：

技术总结
用于提供射束的装置、系统和方法，以用于使用偏转器控制以控制带电粒子束系统的样品表面上的充电。在一些实施例中，控制器包括电路系统，该电路系统被配置为：扫描样品的多个节点以为多个节点充电；调整射束的扫描速率，使得沉积在多个节点中的每个节点上的电荷量相对于至少一个其他节点变化；生成多个图像；以及比较多个图像以实现对与样品的多个节点中的任一节点相关联的缺陷的检测。

技术研发人员：张大彤,王志弘,O·D·帕特森,汤晓虎
受保护的技术使用者：ASML荷兰有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/16