1.一种分析方法，所述分析方法包括：
2.根据权利要求1所述的分析方法，其中所述离子的所述引导包括将分离的质子和非氢离子束引导到所述样本上，其中所述分离的质子和非氢离子束重叠。
3.根据权利要求1所述的分析方法，其中通过独立的聚焦离子束显微镜的聚焦离子束柱进行所述离子束的所述引导。
4.根据权利要求1所述的分析方法，其中通过使氢气和第二气体的混合物穿过等离子体离子源来生成质子和非氢离子的所述混合物。
5.根据权利要求1所述的分析方法，其中所述等离子体离子源是电感耦合等离子体离子源。
6.根据权利要求4所述的分析方法，其中所述氢气由经纯化的氢气源提供，所述第二气体由经纯化的第二气体源提供，并且所述氢气和所述第二气体在流体联接到所述电感耦合等离子体离子源的歧管中混合。
7.根据权利要求1所述的分析方法，所述分析方法还包括：
8.根据权利要求7所述的分析方法，其中所述测量所述离子种类的所述比例包括：
9.根据权利要求8所述的分析方法，其中所述测量每个相应小射束的所述电流包括将每个小射束引入隔离法拉第杯，所述隔离法拉第杯包括：
10.根据权利要求9所述的分析方法，其中所述测量每个相应小射束的所述电流包括跨所述接地的第一电极的所述孔径扫描所述每个小射束。
11.根据权利要求9所述的分析方法，其中所述测量每个相应小射束的所述电流包括移动所述隔离法拉第杯，使得每个小射束依次穿过所述接地的第一电极的所述孔径并且传递到所述第二电极。
12.根据权利要求1所述的分析方法，其中通过双束装置的聚焦离子束柱进行所述离子束的所述引导，所述双束装置还包括扫描电子显微镜(sem)柱。
13.根据权利要求12所述的分析方法，所述分析方法还包括：
14.根据权利要求12所述的分析方法，所述分析方法还包括：
15.根据权利要求12所述的分析方法，所述分析方法还包括通过以下步骤测量包括所述离子束的离子种类的比例：
16.根据权利要求15所述的分析方法，其中所述测量每个相应小射束的所述电流包括将每个小射束引入隔离法拉第杯，所述隔离法拉第杯包括：
17.根据权利要求1所述的分析方法，其中所述混合物的离子的动能不大于30kev。
18.根据权利要求1所述的分析方法，其中所述混合物的离子的动能不大于24kev。
19.根据权利要求1所述的分析方法，其中所述将包括质子和非氢离子的所述混合物的所述离子引导到所述样本上包括将包括质子和非氢离子的所述混合物的束聚焦到所述样本上。
20.根据权利要求1所述的分析方法，其中所述非氢离子包括ar+离子、xe+离子或kr+离子。
21.一种研磨样本表面的区域的方法，所述方法包括：
22.根据权利要求21所述的研磨样本表面的区域的方法，其中所述将所述离子引导到所述区域上包括将分离的质子和非氢离子束引导到所述区域上，其中所述分离的质子和非氢离子束重叠。
23.根据权利要求21所述的研磨样本表面的区域的方法，其中所述将所述离子引导到所述区域上包括将所述离子聚焦到所述区域上。
24.根据权利要求21所述的研磨样本表面的区域的方法，所述方法还包括：
25.根据权利要求21所述的研磨样本表面的区域的方法，其中所述非氢离子包括ar+离子、xe+或kr+离子中的任一者。
26.根据权利要求21所述的研磨样本表面的区域的方法，其中通过双束装置的聚焦离子束柱进行所述离子的所述引导，所述双束装置还包括扫描电子显微镜(sem)柱。
27.根据权利要求21所述的研磨样本表面的区域的方法，所述方法还包括生成所述区域的图像，所述图像通过跨所述区域进行电子束的光栅扫描，同时检测由所述样本发射的次级电子或由所述样本背散射的电子中的任一者而生成。
28.根据权利要求21所述的研磨样本表面的区域的方法，其中所述混合物的离子的动能不大于30kev。