一种谐振式压力传感器及其制备方法与流程

技术特征：

1.一种谐振式压力传感器，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的谐振式压力传感器，其特征在于，所述空腔结构包括第四区域、第五区域和第六区域；其中，所述第五区域在所述衬底层的垂直投影的形状为拱形，所述第四区域和所述第六区域位于拱形的两个端部；

3.根据权利要求2所述的谐振式压力传感器，其特征在于：

4.根据权利要求1所述的谐振式压力传感器，其特征在于，所述空腔结构在所述衬底层的垂直投影的形状为拱形；

5.根据权利要求4所述的谐振式压力传感器，其特征在于：

6.根据权利要求1所述的谐振式压力传感器，其特征在于，所述空腔结构包括第七区域、第八区域和第九区域；其中，所述第八区域为圆角矩形区域，所述第七区域和所述第九区域位于所述第八区域的两侧；

7.根据权利要求1所述的谐振式压力传感器，其特征在于，所述第二电极层包括第一叉指电极、第二叉指电极、第一端口电极、第二端口电极和第三端口电极；

8.根据权利要求1所述的谐振式压力传感器，其特征在于，还包括：

9.根据权利要求1所述的谐振式压力传感器，其特征在于，

10.根据权利要求1所述的谐振式压力传感器，其特征在于，

11.根据权利要求1所述的谐振式压力传感器，其特征在于，所述第一电极层和所述第二电极层的材料包括铂、钼、金和钨中的任意一种；

12.一种谐振式压力传感器的制备方法，其特征在于，包括：

技术总结
本发明公开了一种谐振式压力传感器及其制备方法，谐振式压力传感器包括：器件层、第一电极层、压电层和第二电极层均包括第一区域、第二区域和第三区域，第一区域通过第三区域与第二区域连接；第一区域和第三区域的器件层、第一电极层、压电层和第二电极层在埋氧层的垂直投影位于空腔结构内；第一区域包括第一谐振器结构和第二谐振器结构，以及连接第一谐振器结构和第二谐振器结构的垂直立式膜；第一谐振器结构和第二谐振器结构均包括器件层、第一电极层、压电层和第二电极层，垂直立式膜包括器件层、第一电极层、压电层；本发明可以提高器件的使用寿命、稳定性和测量灵敏度，无需额外的校准程序，即可精确测量环境的绝对压力水平。

技术研发人员：缪建民,高云飞,王志宏
受保护的技术使用者：华景传感科技（无锡）有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15