一种振荡复式天线拉曼场增强芯片的制作方法

文档序号:37284479发布日期:2024-03-13 20:31阅读:10来源:国知局
一种振荡复式天线拉曼场增强芯片的制作方法

本技术涉及痕量样品含量检测,尤其涉及一种振荡复式天线拉曼场增强芯片。


背景技术:

1、传统拉曼检测方式,对溶液样品进行检测,采用同等定量方式(等量入射激光、等量溶液之一)对不同浓度样品进行检测,进一步的通过信号光强判断溶液样品中有效物质的含量,在实际检测过程中,随着痕量样品的进一步减低,产生的信号光强偏弱,导致误差增大。传统的芯片多为平面刻线式、喷洒颗粒式或者被动式单针尖,其拥有一定的增强效果,然而对于超低痕量样品有自身局限。其增强倍率相对较小,且结构、功能相对单一。


技术实现思路

1、本实用新型提供了一种振荡复式天线拉曼场增强芯片,用以解决现有技术中传统芯片信号增强倍率相对弱、结构、功能相对单一,应用场景受限的问题。

2、为解决上述问题,本实用新型提供了一种振荡复式天线拉曼场增强芯片,包括第一锥形针尖天线、多个第二锥形针尖天线、第一电极和第二电极,多个所述第二锥形针尖天线呈几何图形结构设置,所述第一锥形针尖天线设置于多个所述第二锥形针尖天线形成的几何图形结构之间,相邻的两个所述第二锥形针尖天线电性连接,所述第一电极与所述第一锥形针尖天线电性连接,所述第二电极与所述第二锥形针尖天线电性连接。

3、在另一种优选的实施方式中,多个所述第二锥形针尖天线呈圆形结构布置,多个所述第二锥形针尖天线形成的圆形结构居间设置有一个所述第一锥形针尖天线,所述第一锥形针尖天线与所述第二锥形针尖天线电性连接。

4、在另一种优选的实施方式中,多个所述第二锥形针尖天线呈多边形结构设置,多个所述第二锥形针尖天线形成的多边形结构居间设置有所述第一锥形针尖天线,所述第一锥形针尖天线与所述第二锥形针尖天线电性连接。

5、在另一种优选的实施方式中,所述第一锥形针尖天线和所述第二锥形针尖天线的外部设置有贵金属镀层,所述贵金属为金或者银。

6、本实用新型的有益效果是:本实用新型提出一种振荡复式天线拉曼场增强芯片,该芯片包括第一锥形针尖天线和多个第二锥形针尖天线,多个第二锥形针尖天线呈几何图形结构设置,复式针尖可分离供电组合,拥有四种组合方式,在常规使用状态下不通交频电流,同时可根据需求在第一电极上通交频电流、可在第二电极上通交频电流或者同时在第一电极和第二电极上通交频电流,同时可根据需求提供多阶电信号增强模式,需要辅助增强时向第一电极或者第二电极通电,利用尖端电子趋肤振荡效应,形成二次场增强,加大对细节弱信号的放大,使其在传统光场场增强效应的基础上进一步提升作用区拉曼信号强度,进而使普通样品也向单分子测量方向迈进,同时使增强信号向局域面增强的方向迈进。



技术特征:

1.一种振荡复式天线拉曼场增强芯片,其特征在于,包括第一锥形针尖天线、多个第二锥形针尖天线、第一电极和第二电极,多个所述第二锥形针尖天线呈几何图形结构设置,所述第一锥形针尖天线设置于多个所述第二锥形针尖天线形成的几何图形结构之间,相邻的两个所述第二锥形针尖天线电性连接,所述第一电极与所述第一锥形针尖天线电性连接,所述第二电极与所述第二锥形针尖天线电性连接。

2.根据权利要求1所述的振荡复式天线拉曼场增强芯片,其特征在于,多个所述第二锥形针尖天线呈圆形结构布置,多个所述第二锥形针尖天线形成的圆形结构居间设置有一个所述第一锥形针尖天线,所述第一锥形针尖天线与所述第二锥形针尖天线电性连接。

3.根据权利要求1所述的振荡复式天线拉曼场增强芯片,其特征在于,多个所述第二锥形针尖天线呈多边形结构设置,多个所述第二锥形针尖天线形成的多边形结构居间设置有所述第一锥形针尖天线,所述第一锥形针尖天线与所述第二锥形针尖天线电性连接。

4.根据权利要求1所述的振荡复式天线拉曼场增强芯片,其特征在于,所述第一锥形针尖天线和所述第二锥形针尖天线的外部设置有贵金属镀层,所述贵金属为金、银或者铜。


技术总结
本技术涉及痕量样品含量检测技术领域,涉及一种振荡复式天线拉曼场增强芯片。该芯片包括第一锥形针尖天线、多个第二锥形针尖天线、第一电极和第二电极,多个第二锥形针尖天线呈几何图形结构设置,第一锥形针尖天线设置于多个第二锥形针尖天线形成的几何图形结构之间,相邻的两个第二锥形针尖天线电性连接。该芯片结构具有复式作用场,复式针尖可连体、分离形成自身一阶场,可根据需求提供多阶电信号增强模式,在交频电流的作用下形成二次类天线临界状态,通过形成的强趋肤电场为痕量分子或者单分子提供二次趋肤作用增强电场,进而提升拉曼信号,有效的对细节弱信号进行放大,使其在传统场增强效应的基础上提升局域诱导作用放大拉曼信号强度。

技术研发人员:侯国辉,侯国利,刘友兰,侯利艳,侯振岳,高阳,蒙荣秀
受保护的技术使用者:深圳市笨辉光电科技有限公司
技术研发日:20230804
技术公布日:2024/3/12
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