专利名称:荧光x射线分析设备的制作方法
技术领域：
本发明涉及荧光X射线分析设备，其通过在测量样品上照射初级X射线，从测量样品诱发荧光X射线，并测量该荧光X射线的能量和X射线的强度，进行测量样品的元素分析和成分分析。
背景技术：
参考
图10描述常规通常的荧光X射线分析设备。跨过水平的测量样品基座1003， 测量样品1005布置在测量样品基座1003的上方，X射线源1001，初级滤光器1002，和检测器1007布置在测量样品基座1003的下面。参考数字1004指示从X射线源1001照射的初级X射线，参考数字1006指示当测量样品1005由初级X射线1004激发时产生的荧光X射线。这样，常规地，测量样品的表面上的初级X射线的照射表面和测量样品的表面上的与检测器相对的表面在相同平面上。
另外，通常通过让检测器和X射线源尽可能地接近测量样品改进来自聚焦元素的荧光X射线的检测效率。
另外，提供了具有初级滤光器的设备，以便改进聚焦元素的荧光X射线的峰强度和主要基于散射X射线等的背景强度之间的比例(此后，称为峰-背比例)；使用次级靶的设备；以及使用使X射线成为单色并聚焦X射线的光学装置的设备，然而，所有这些设备具有使得检测器与初级X射线照射的点相对的结构(例如，参考专利文献1)。
专利文献1 JP-A-2004-150990 (第 3 页和图 1)
在常规的荧光X射线分析中，通常当确定包含在由C，0和H等组成的轻元素主要组分中，诸如镉之类的痕量重金属的存在和它的密度时，使用初级滤光器改进锋-背比例。 本方法非常有用，然而，通过插入初级滤光器，削弱了初级X射线，结果，由测量样品激发的痕量重金属的荧光X射线进入检测器的强度较低。
因此，为了使得进入检测器的X射线的强度更强，使用让检测器和X射线源接近测量样品的结构。然而，因为检测器和X射线源都布置为与测量样品的表面上的相同平面相对，当让它们接近测量样品时，由于两个结构物体的干扰，接近的距离有限度。因此，通常当测量轻元素中的痕量重金属时，在几百秒的测量中，检测限度是几个wtppm。
为了改进痕量重金属的检测限度，峰-背比例是重要的因素，然而，可获得的X射线的强度的数量，即，它的灵敏度也是重要的因素。此后，描述了检测限度的通常的公式。当 X射线的强度增加时，与此成比例，背景强度和灵敏度增加。换句话说，从下面的公式，检测限度反比于获得的X射线强度的根改进(降低)。
[公式1]
权利要求
1.一种荧光X射线分析设备，其包括用于容纳固体样品或液体样品的样品密封构件，其由X射线传输通过的材料制成；用于产生初级X射线的X射线源，初级X射线以放射状的方式从样品密封构件的侧壁进入，以便用X射线照射样品；及检测器，其与样品密封构件的底面相对设置，并具有在样品的方向内从入射点延伸至检测元件的入射立体角，用于检测从给予初级X射线的样品产生的荧光X射线；其中荧光X射线分析设备从检测的荧光X射线的谱进行样品的元素的分析；样品密封构件具有向着检测器逐渐变细的锥形形状，且锥形形状从样品密封构件的底面朝着检测器设置的侧面相对的方向随着检测器的视场的延伸而延伸。
2.根据权利要求
1所述的荧光X射线分析设备，其中产生初级X射线的X射线源与样品密封构件的侧壁相对设置。
3.根据权利要求
1所述的荧光X射线分析设备，其中初级X射线布置为能够照射检测器相对的样品密封构件的底面。
4.根据权利要求
1所述的荧光X射线分析设备，其中样品密封构件为可以自由地接附和分开的样品外壳。
5.根据权利要求
1所述的荧光X射线分析设备，其中通过插入初级滤光器用于选择性地仅激发X射线源和样品密封构件的侧壁之间的聚焦元素，当检测器观察聚焦元素时，改进聚焦元素在谱上的峰-背比例。
6.根据权利要求
1所述的荧光X射线分析设备，其中通过在样品密封构件的侧壁上设置用于产生最适于激发聚焦元素的荧光X射线的金属壁，当从检测器观察时，改进聚焦元素在谱上的峰-背比例。
7.根据权利要求
1所述的荧光X射线分析设备，其中通过在样品和检测器之间具有用于仅允许聚焦元素的荧光X射线选择性地传输通过的次级滤光器，当从检测器观察时，改进聚焦元素在谱上的峰-背比例。
8.根据权利要求
1所述的荧光X射线分析设备，在样品密封构件的初级X射线入射表面上，具有不少于一件允许用于激发聚焦元素的 X射线有选择性地传输通过的初级滤光器；其中通过旋转样品密封构件，初级滤光器可以改变。
9.根据权利要求
1所述的荧光X射线分析设备，在样品密封构件的检测器的底面上，包括至少一件允许聚焦元素的荧光X射线有选择性地传输通过的次级滤光器；其中通过旋转样品密封构件，次级滤光器可以改变。
10.根据权利要求
1所述的荧光X射线分析设备，其中通过在样品密封构件的侧壁上设置至少一个用于产生最适于激发聚焦元素的荧光X射线的金属构件，通过旋转样品密封构件，金属构件可以改变。
专利摘要
为提供荧光X射线分析设备，由此通过有效地激发聚焦元素改进峰-背比例且通过减小为背景的散射X射线改进聚焦元素的检测限度。样品外壳具有一个或更多由X射线传输通过的材料制成的壁表面，且布置X射线源为初级X射线照射到壁表面上。布置样品外壳为不同于初级X射线照射到的壁表面的壁表面与X射线检测器入射窗相对。布置来自X射线源的初级X射线以便能够照射X射线检测器入射窗相对的样品外壳的壁表面。样品外壳具有随着从X射线检测器入射窗观察X射线检测器内的检测元件的视场延伸而延伸的形状。在样品外壳壁上，用于次级激发聚焦元素的金属布置在除了初级X射线传输通过的区域和来自聚焦元素的荧光X射线传到检测器的区域的区域上。
文档编号G21K1/02GKCN101078696 B发布类型授权 专利申请号CN 200710104555
公开日2012年5月9日 申请日期2007年5月25日
发明者深井隆行, 的场吉毅, 高桥正则 申请人:精工电子纳米科技有限公司导出引文BiBTeX, EndNote, RefMan专利引用 (4),