作为目标的峰的半值宽为0.7u以上且峰的强度变为最大的气压判断为合适的气压。
[0023]此外，在包含于规定试料的既知的化合物中存在只由稳定同位素组成的化合物和包含稳定同位素以外的同位素元素的化合物的情况下，在质谱图上，接近源自只由稳定同位素组成的化合物的峰，而例如在大致只远离Iu的位置出现源自包含稳定同位素以外的同位素元素的化合物的峰。所以，作为本发明涉及的串联四极型质量分析装置的另一实施方式，所述设定信息自动制作部可以构成为:将能够在源自作为目标的化合物的峰中使只由稳定同位素元素组成的化合物的峰与包含非稳定同位素元素的化合物的、且峰的强度变为最大的气压判断为合适的气压。
[0024]根据本发明涉及的串联四极型质量分析装置，即使是在前段四极质量过滤器中进行高速的质量扫描的情况下，也能够减轻在质谱图上的峰的波形形状的溃散，能够确保与接近的峰的分离性并能够实现较高的质量分解能力。与此同时，能够减轻想要观测的离子峰的的强度下降，能够以高灵敏度检测出目标离子。
【附图说明】
[0025]图1是根据本发明的第I实施例的串联四极型质量分析装置的主要部分的概略结构图。
[0026]图2是根据本发明的第2实施例的串联四极型质量分析装置的主要部分的概略结构图。
[0027]图3是表示高扫描速度(2500u/s)的前体离子扫描测定模式下的质谱图的实测例的图。
[0028]图4是表示高扫描速度(2500u/s)的前体离子扫描测定模式下的CID气体供给压与离子强度的关系的实测例的图。
[0029]图5是表示低扫描速度(100u/S)的前体离子扫描测定模式下的质谱图的实测例的图。
[0030]图6是表不低扫描速度(100u/s)的前体离子扫描测定模式下的CID气体供给压与离子强度的关系的实测例的图。
[0031]附图标记说明
[0032]I腔室
[0033]2离子源
[0034]3前段四极质量过滤器
[0035]4碰撞池
[0036]5离子向导
[0037]6后段四极质量过滤器
[0038]7检测器
[0039]8CID气体供给部
[0040]11Ql 电源部
[0041]12q2 电源部
[0042]13Q3 电源部
[0043]14流路切换阀
[0044]15调整用试料供给部
[0045]20数据处理部
[0046]30控制部
[0047]31测定条件存储部
[0048]31a CID气体条件表
[0049]32CID气体条件自动调整部
[0050]40输入部
[0051]41显示部
【具体实施方式】
[0052]以下，对于本发明涉及的串联四极型质量分析装置的一实施例，参照附图进行说明。
[0053]图1是第I实施例的串联四极型质量分析装置的主要部分的概略结构图。
[0054]本实施例的串联四极型质量分析装置在由未图示的真空泵真空排气了的腔室I的内部配置有:离子源2，其将试料中的化合物离子化；前段四极质量过滤器(习惯用Ql标记)3，其将具有特定的质荷比的离子作为前体离子而选择性地使该前体离子通过；碰撞池4，在其内部将前体离子解离而生成各种产物离子；后段四极质量过滤器(习惯用Q3标记)6，其使产物离子中具有特定的质荷比的离子选择性地通过；检测器7，其检测通过了后段四极质量过滤器6的离子。在碰撞池4的内部配置有聚集且输送离子的离子向导(习惯用q2标记)5。另外，从包含例如气体储气瓶、调压器或者流量调整器等的CID气体供给部8连续地或者间歇地向碰撞池4的内部供给氩气等CID气体，由此，碰撞池4内的气压被维持在比位于腔室I内且碰撞池4的外部的区域的气压足够高的气压。
[0055]从Ql电源部11向前段四极质量过滤器3施加合成了直流电压Ul和高频电压Vl.cos ω t的电压土(U1+V1.cos ω t)，或者施加在该合成电压上进一步加上了规定的直流偏置电压Vbiasl的电压土(U1+V1.cos ω t)+Vbiasl。从q2电源部12向离子向导5只施加高频电压土V2.cos on，或者施加在该高频电压上加上了规定的直流偏置电压Vbias2的电压土V2.C0Sot+VbiaS2。从Q3电源部13向后段四极质量过滤器6施加合成了直流电压U3和高频电压V3.cos ω t的电压土(U3+V3.cos ω t)，或者施加在该合成电压上进一步加上了规定的直流偏置电压Vbias3的电压土(U3+V3.cos ω t)+Vbias3。这些电源部11、12、13在控制部30的控制下工作。
[0056]检测器7按照射入的离子的数量输出检测信号，该检测信号在模拟/数字转换器(ADC) 9被转换为数字数据并输入到数据处理部20。数据处理部20基于收集的数据，作成例如质谱图(Mass spectrum)、总离子色谱图(Total 1n chromatogram)以及质量色谱图(Mass chromatogram)等。控制电源部11、12、13和/或CID气体供给部8等的控制部30内置有测定条件存储部31。另外，用于供用户输入测定条件等的输入部40以及用于供用户确认测定条件或测定结果等的显示部41作为用户界面连接于控制部30。
[0057]并且，数据处理部20和/或控制部30中的至少一部分，能够通过把个人电脑作为硬件资源，并执行在该电脑预先安装的专用的控制、处理软件来实现其功能。
[0058]在本实施例的串联四极型质量分析装置中，在测定条件存储部31预先储存有在实行测定上必要的各种测定条件参数。该存储部31虚拟地包含:由用户可以改写的临时存储区域，以及不能由用户改写而是只可以由制造商(或者担当装置的修理等的服务担当业务者等)写入或者改写的固定存储区域。一般在质量分析装置具备被称作自动调谐(Autotuning)等的测定条件的自动最优化功能，用户方利用这样的功能得到的参数或者操作者手动设定或变更的参数被储存在临时存储区域。另一方面，通过装置制造商自身的实测等求出的参数被储存在固定存储区域。
[0059]例如，虽然在图1中省略了记载，但在包含电子倍增管等的检测器7施加有用于设定增益的电压，但是这样的电压的默认值储存在固定存储区域，在不进行测定条件自动最优化调整的状态下该默认值被用于测定。如果进行测定条件自动最优化调整，则在此时的装置状态下算出提供离子强度变为最优的检测器增益的电压值，该电压值被储存在临时存储区域。然后，在以后的测定中，代替默认值，而可以利用储存在临时存储区域的电压值参数。
[0060]在本实施例的串联四极型质量分析装置中，在测定条件存储部31的固定存储区域储存着表示前段四极质量过滤器3的质量扫描的扫描速度与CID气体供给压之间的关系的CID气体条件表31a。如在图1所示的例子中，扫描速度被区分为H、L的2个阶段，能够对各区分分别设定CID气体供给压P1、P2。
[0061]参照图3?图6的实测例说明前段四极质量过滤器3的质量扫描的扫描速度和CID气体供给压之间的关系。图3是表示在高扫描速度(2500u/s)的前体离子扫描测定模式下的质谱图的实测例的图，图4是表示在相同高扫描速度的前体离子扫描测定模式下的C