双极型器件低剂量率辐射损伤增强效应试验的预处理系统及方法_2

文档序号:8527342阅读:来源:国知局
能够放置双极型器件的主体11,密封盖12与主体11的开口相适配,密封盖12与主体11铰链式连接,主体11与测压装置4、氢气供给装置6分别连通。其中,控温装置I用于提供双极型器件掺氢处理的场所和环境(如主体11内适当的气压、温度),真空泵2用于调控控温装置的主体11内的气体环境(如抽真空、抽氢),测压装置4用于显示控温装置I的主体11内的气压值,氢气供给装置6用于向主体11内提供氢气,本系统能够有效地在双极型器件的氧化层或硅界面处掺入预定浓度的、符合试验要求的氢分子。
[0027]本实施例中,密封盖12上设有透明的视窗13,便于观测主体11内的处理样品;真空泵2与第一调节阀3之间设有宝塔式接头31,真空泵2通过软管21与该宝塔式接头31连通,在保障气密性要求的同时便于组装或拆卸,便于储存和维护;第一调节阀3和第二调节阀5都是手动式直通阀,便于人员调控。另外,测压装置4包括三通阀41和压力表42,三通阀41与压力表42、第一调节阀3、控温装置I的主体11分别连通。
[0028]一种双极型器件低剂量率辐射损伤增强效应试验的预处理方法,包括如下具体步骤:
[0029]将双极型器件放入控温装置I的主体11内,通过密封盖12进行密封;
[0030]关闭第二调节阀5,打开第一调节阀3,开启真空泵2,观察测压装置4中压力表42显示的压力值;
[0031]当压力值小于第一预定值(如I(T1Pa)时,关闭第一调节阀3,打开第二调节阀5,氢气供给装置6向控温装置I的主体11内通入氢气,氢气分子会渗透入双极型器件的氧化层或硅界面处;
[0032]当气压值达到第二预定值时,关闭第二调节阀5,控温装置I将主体11内的温度保持在预定温度,保持预定时间(如两个星期),确保双极型器件的氧化层或硅界面处能渗入较高浓度的氢分子;
[0033]保持预定时间后,开启真空泵2,打开第一调节阀3,真空泵2将主体11内的氢气抽走;
[0034]打开密封盖12,取出双极型器件。此时的双极型器件已完成了预处理(掺入的氢分子浓度可根据主体11内的预定温度、氢气浓度及保持预定时间而调节),能够用于进行模拟低剂量率辐射损伤增强效应的高剂量率辐射(如10rad/S)试验。
[0035]以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合,为使描述简洁,未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述,然而,只要这些技术特征的组合不存在矛盾,都应当认为是本说明书记载的范围。
[0036]以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本发明的保护范围。因此,本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
【主权项】
1.一种双极型器件低剂量率辐射损伤增强效应试验的预处理系统,其特征在于,包括依次序连通的真空泵、测压装置、控温装置和氢气供给装置,真空泵与测压装置之间设有第一调节阀,控温装置与氢气供给装置之间设有第二调节阀,控温装置包括密封盖和能够容纳双极型器件的主体,密封盖与主体的开口相适配,主体与测压装置、氢气供给装置分别连通。
2.根据权利要求1所述的双极型器件低剂量率辐射损伤增强效应试验的预处理系统,其特征在于,所述密封盖上设有透明的视窗。
3.根据权利要求1所述的双极型器件低剂量率辐射损伤增强效应试验的预处理系统,其特征在于,所述真空泵与所述第一调节阀之间设有宝塔式接头,所述真空泵通过软管与该宝塔式接头连通。
4.根据权利要求1所述的双极型器件低剂量率辐射损伤增强效应试验的预处理系统,其特征在于,所述第一调节阀和第二调节阀均为手动式直通阀。
5.根据权利要求1所述的双极型器件低剂量率辐射损伤增强效应试验的预处理系统,其特征在于,所述测压装置包括三通阀和压力表,三通阀与压力表、所述第一调节阀、所述控温装置的主体分别连通。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的双极型器件低剂量率辐射损伤增强效应试验的预处理系统,其特征在于,所述密封盖与所述主体铰链式连接。
7.一种双极型器件低剂量率辐射损伤增强效应试验的预处理方法,其特征在于,包括如下具体步骤: 将双极型器件放入控温装置的主体内,通过密封盖进行密封; 关闭第二调节阀,打开第一调节阀,开启真空泵,通过测压装置检测并显示主体内的气压值; 当气压值小于第一预定值时,关闭第一调节阀,打开第二调节阀,氢气供给装置向控温装置的主体内通入氢气; 当气压值达到第二预定值时,关闭第二调节阀,控温装置的主体调节内部的温度使之达到预定温度,保持预定时间; 预定时间之后,开启真空泵,打开第一调节阀,真空泵将主体内的氢气抽走; 打开密封盖,取出双极型器件。
【专利摘要】本发明公开了一种双极型器件低剂量率辐射损伤增强效应试验的预处理系统及方法,双极型器件低剂量率辐射损伤增强效应试验的预处理系统包括依次序连通的真空泵、测压装置、控温装置和氢气供给装置,真空泵与测压装置之间设有第一调节阀,控温装置与氢气供给装置之间设有第二调节阀,控温装置包括密封盖和能够容纳双极型器件的主体,密封盖与主体的开口相适配,主体与测压装置、氢气供给装置分别连通。本系统能够有效地在双极型器件的氧化层或硅界面处掺入氢分子。双极型器件低剂量率辐射损伤增强效应试验的预处理方法能使双极型器件的氧化层或硅界面处掺入的氢分子浓度达到符合试验要求的预定浓度。
【IPC分类】G01R31-26
【公开号】CN104849642
【申请号】CN201510212955
【发明人】杨少华, 王晓晗, 刘远, 恩云飞, 黄云, 雷志锋, 陈辉
【申请人】工业和信息化部电子第五研究所
【公开日】2015年8月19日
【申请日】2015年4月29日
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