电接触构件和检查用连接装置的制造方法
【技术领域】
[0001] 本发明设及电接触构件和具有该电接触构件的检查用连接装置。
【背景技术】
[0002] 集成电路（1C(IntegratedCir州it))、大规模集成电路（LSI(LargeScale Integration))、发光二极管（LED(Li曲t血ittingDiode))等电子元件（即、使用了半导 体器件的电子元件）是通过使用于检查用连接装置的电接触构件（接触端子）与半导体 器件的电极接触，从而检查其电特性。上述电接触构件当然要求导电性良好（接触电阻值 低），并要求具备即使与作为被测体的电极的反复接触，也不会发生磨损、损伤该种程度的 优异的耐久性。
[000引上述电接触构件的接触电阻值通常设定在lOOmQW下，但是，由于进行与被测体 的反复检查，使其从数lOOmQ劣化至数Q。因此，一直W来，会定期进行电接触构件的清洁 和更换，但该使得检查工序的可靠性和检查用连接装置的运转率显著降低，因此，即使经长 期的反复使用，接触电阻值也不会降低的电接触构件的开发得到推进。特别是作为被测体 的电极由焊料、锻锡（Sn)等构成时，因为焊料和锡柔软，所W与电接触构件的接触导致电 极表面被削去，其碎屑等容易附着（粘合）在电接触构件的前端部。附着的焊料、锡容易被 氧化，电接触构件的接触电阻上升。另外，由于附着的锡等的物理性的障碍导致与对象电极 的接触不充分等的影响，接触电阻将上升。因此，难W将电接触构件的接触电阻值稳定保持 在低水平。
[0004] 作为使电接触构件的接触电阻值稳定化的方法，例如可列举专利文献1和专利文 献2。其中，专利文献1公开有一种W碳或碳和氨为主成分的非晶质的硬质皮膜。该硬质皮 膜，作为碳、氨W外的杂质元素，在0. 001~40原子％的范围内添加选自V、化、Zr、佩、Hf、 Ta、Au、Pt、Ag中的至少一种元素，从而具备优异的耐磨损性和高导电性，膜应力小，具备良 好的滑动特性。记载着该硬质皮膜能够合适地适用于对电接触有要求的滑动部。
[0005] 另外，专利文献2中公开有一种由鹤或鍊鹤构成的探头。记述的是，该探头在前端 侧的接触部的至少前端部，形成有在1~50质量％的范围内含有鹤、钢、金、银、镶、钻、铭、 钮、锭、铁、铜、锡、铅、侣、粗、铁、铜、铺、销、饿、锋、簡之中的至少一种金属的DLC值iamond UkeCarbon)膜。根据上述构成的探头，即使与侣电极反复接触，侣屑也难W附着，不用频 率地清洁作业也能够使接触电阻稳定化在低水平。
[0006] 此专利文献1、2均是通过在DLC等的碳被膜中混入鹤等金属元素，从而有效地发 挥出由上述金属元素添加带来的高导电性、和由上述含金属元素碳被膜带来的被测体（锡 合金等对象材料）对电接触构件的低附着性该两方面的技术。
[0007] 另一方面，在专利文献3和专利文献4中记述，与电极接触的电接触构件的表面的 平滑性（粗趟度）、和形成于最上面的含金属元素碳被膜的平滑性（粗趟度），对减少Sn附 着有效。
[000引具体来说，专利文献3公开有一种与半导体器件的电极接触的接触端子。所述接 触端子与所述电极的接触部的表面粗趟度的最大高度Ry被控制在10ymW下。记述上述 最大高度Ry能够通过对接触端子基材表面进行机械/化学研磨或干式研磨来达成。再在 最上面形成含有金属元素的碳被膜。然而，关于碳被膜的表面粗趟度，被认为会反映基材表 面的形状，而对于碳被膜本身的表面性状对锡凝集性造成的影响则没有研究。
[0009] 专利文献4是上述专利文献3的改良技术。目P，专利文献4是基于如下认识而完 成的发明，"在基材上形成被膜时，被膜表面的表面性状对锡粘合性造成影响，如上述专利 文献3该样即使在Ry满足10ymW下的表面粗趟度的区域内，由于被膜制作时的条件等， 锡的粘合仍会成为问题"。在专利文献4中记述，着眼于历来未进行研究的、被膜的微小区 域的表面性状对耐锡粘合性造成的影响，通过控制被膜的微小区域的表面性状参数来提高 耐锡粘合性。具体来说，在上述专利文献4中，公开有一种具有如下外表面的半导体检查装 置用接触式探针，所述外表面中，形成于导电性基材表面的非晶质碳系导电性皮膜的表面 粗趟度（Ra)为6.OnmW下，均方根斜率巧Aq)为0.28W下，表面形态的凸部的前端曲率 半径的平均值（时为180nmW上。
[0010] 现有技术文献
[0011] 专利文献
[0012] 专利文献1 ;日本国专利第3336682号公报
[0013] 专利文献2 ;日本国特开2001-289874号公报
[0014] 专利文献3 ;日本国特开2007-24613号公报 [001引专利文献4 ;日本国特开2011-64497号公报
[0016] 发明所要解决的课题
[0017] 根据上述专利文献1~专利文献4所述的方法，期待提供一种可耐受在室温下的 反复检查的电接触构件。但是，电接触构件的使用环境各种各样，也有在比室温严酷的高 温下使用电接触构件的情况。例如，若将电接触构件用于大约85°C左右的高温下的反复检 查，则被加热至高温的Sn等的电极构件与电接触构件接触，会带来Sn对电接触构件的附着 率大幅提高，电接触构件的导电性也显著提高等严重的问题。但是，上述的专利文献1~专 利文献4的技术没有从该种观点出发进行。若是使该些专利文献所公开的那样遍及大范围 而含有宽范围的添加元素的探头在高温下与Sn电极等反复接触，则从电极上被削掉的Sn 大量附着在电接触构件的表面，而附着的Sn的氧化会导致导电性降低，接触电阻有可能上 升。若是如此，则不能长期确保稳定的电接触。
[0018] 另一方面，为了除去来自电极材料的Sn等附着物，也会采用将电接触构件的前端 加工成尖锐的形状等方法，但仅仅如此，并不能使高温下的反复接触后的附着防止效果有 效地发挥。
【发明内容】
[0019] 本发明鉴于上述情况而形成，其目的在于，提供一种能够实现与被测体（例如焊 料、Sn、A1、Pd等）的低附着性，并能够长期稳定地抑制接触电阻的上升的电接触构件和具 有其的检查用连接装置。本发明的目的特别在于，提供一种在经过大约85°C左右的高温下 的反复接触后，仍能够实现与被测体的低附着性，并且能够抑制接触电阻的上升，能够长期 保持稳定的电接触的电接触构件，W及具有其的检查用连接装置。
[0020] 用于解决课题的手段
[0021] 能够解决上述课题的本发明的电接触构件，是与被测体反复接触的电接触构件， 其具有的要点在于，与所述被测体接触的所述电接触构件的表面由含有金属元素的含金属 元素碳被膜构成，在所述含金属元素碳被膜中，在相对于所述电接触构件的轴线成45°的 倾斜面上所形成的含金属元素碳被膜的表面粗趟度Ral在一定的值W下。
[002引在本发明的优选的实施方式中，所述Ral为2. 7nmW下。
[0023] 在本发明的优选的实施方式中，所述含金属元素碳被膜的厚度为50nmW上且 5000nmW下。
[0024] 在本发明的优选的实施方式中，所述含金属元素碳被膜中包含的所述金属元素是 选自鹤、粗、钢、魄、铁、铭、钮、锭、销、钉、银、饥、错、給、铺、铁、钻和镶中的至少一种。
[0025] 在本发明的优选的实施方式中，被检查的被测体包含Sn或S