n合金。
[0026] 本发明中，还包括具有多个上述任意一项所述的电接触构件的检查用连接装置。
[0027] 发明效果
[002引本发明的电接触构件中，关于构成与被测体接触的电接触构件的表面的含金属元 素碳被膜，在相对于电接触构件的轴线成45°的倾斜面上所形成的含金属元素碳被膜的表 面粗趟度Ral在一定的值W下。因此，特别是在大约85°C左右的高温下的反复接触后，仍能 够实现与被测体的低附着性，并且能够抑制接触电阻的上升。其结果是，能够长期保持稳定 的电接触。
【附图说明】
[0029] 图1是表示电接触构件的前端部与被测体（Sn电极）接触时的情况的局部图。
[0030] 图2是表示使相对于电接触构件的轴线的倾斜面的角度在0~90°的范围进行各 种变化时的、倾斜面的角度与表面粗趟度Ral的关系的图。
[0031] 图3是表示本发明中优选使用的电接触构件的与被测体接触的前端部分的构成 的剖面示意图。
【具体实施方式】
[0032] 本发明人等，从提供一种在现有的电接触构件关联技术中未充分研究的、即使在 高温试验环境下该样的严酷的状况下也可W使用的电接触构件的观点出发，进行研究。研 究时，W构成电接触构件的最上面（最表面）的含金属元素碳被膜的表面性状为中屯、进行 研究。其结果是，本发明人等发现，例如不是像上述专利文献4该样控制在垂直于电接触构 件的轴线的面上所形成的含金属元素碳被膜的表面粗趟度（参照后述表2的Ra2)，而是减 小在相对于电接触构件的轴线成45°的倾斜面上所形成的含金属元素碳被膜的表面粗趟 度Ral(参照后述的图1)，使其达到一定的值W下是有效的。
[0033] 目P，本发明的电接触构件是与被测体反复接触的电接触构件，其特征在于，与所述 被测体接触的所述电接触构件的表面由含有金属元素的含金属元素碳被膜构成。而且，关 于所述含金属元素碳被膜，在相对于所述电接触构件的轴线成45°的倾斜面上所形成的含 金属元素碳被膜的表面粗趟度Ral在一定的值W下。根据本发明，特别是在经过大约85°C 左右的高温下的反复接触后，也能够实现与被测体的低附着性，并且能够抑制接触电阻的 上升。
[0034] 在本说明书中，所谓"在高温的反复检查后仍可抑制接触电阻的上升"如后述的实 施例所述，意思是在85°C下使之与Sn电极接触一万次后的接触电阻值为lOOmQW下。
[0035] 在本说明书中"含金属元素碳被膜"意思是在碳被膜中至少含有金属元素的被膜。 例如在后述的图3中，金属密接层Kr、Ni)，因为除了不可避免的混入W外不含碳（C)，所W 不包含在本发明的"含金属元素碳被膜"中。相对于此，混合层（化+C+W)因为含有碳（C)， 所W包含在本发明的"含金属元素碳被膜"中。
[0036] W下，一边参照图1，一边说明如上述该样通过控制倾斜区域的Ral，从而有效地 发挥Sn附着抑制效果的问题。图1是表示电接触构件的前端部与被测体（Sn电极等）接 触时的情况的局部图。如图1所示，为了确保电接触构件与Sn电极的接触面积达到一定程 度，电接触构件W使Sn电极的一部分变形、陷入该样的形式进行接触。W下，为了说明方 便，对于作为被测体使用Sn电极时的情况进行说明，但本发明没有限定于此的意图。
[0037] 一直W来，电接触构件的Sn附着通过与电接触构件的轴线垂直的面（图中，Ra2的 区域）进行评价。在此，所谓"与电接触构件的轴线垂直的面"，意思是例如像电接触构件的 锐利的前端部等该样，与作为被测体的对象电极材直接接触的部分（正对接触对象电极材 的部分）。
[003引但是，特别是对象电极材是Sn合金时，接触时Sn合金变形，在从电接触构件的前 端部持续倾斜的倾斜面（即，与电接触构件的轴线垂直的面W外的邻域，与Sn合金接触或 能够接触的部分）也有Sn合金附着。本发明人等研究的结果可知，大部分情况下，相比于 与电接触构件的轴线垂直的面而言，Sn的附着反倒是从倾斜面（特别是相对于轴线成45° 左右倾斜的倾斜面）开始附着的。此外还判明，随着构成该倾斜面的角度变大（即，45°W 上），慢慢被覆电接触构件全体，接触电阻变得不稳定。相对于电接触构件的轴线成45°的 倾斜面W围绕轴线的方式存在于电接触构件的表面上，而在本发明中认为，其任何一个位 置都同样重要。
[0039] 因此本发明人等从上述抑制倾斜面的Sn附着即可的观点出发，研究了对倾斜面 的Sn附着造成影响的因素。
[0040] 其结果可知，在相对于电接触构件的轴线成45°的倾斜面上所形成的含金属元素 碳被膜的表面粗趟度Ral与Sn附着存在相关关系。于是可知，通过将Ral减小到一定的值 W下，可有效地发挥Sn附着抑制效果。
[0041] 在此，若对于倾斜面的角度和该倾斜面的表面粗趟度的关系进行说明，则大致如 下。例如，通过基于瓣射法、CVD的真空成膜法形成碳被膜时，一般与等离子体对置的面的 被膜高品质而平滑，但不是与等离子体对置的面的被膜则难W平滑。如图2和表1所示，特 别是W瓣射法成膜的碳被膜，直至从对置面起的倾斜角为0~30°左右（即，相对于电接触 构件的轴线的倾斜面的角度为90~60°左右）都具有大致相同程度的平滑性，但若是变成 超过该一角度的倾斜角，则平滑性急剧降低，表面粗趟度显著增加，该通过本发明人等的实 验可知。
[00创【表1】
[0043]
【主权项】
1. 一种电接触构件，其是与被测体反复接触的电接触构件，其特征在于， 与所述被测体接触的所述电接触构件的表面由含有金属元素的含金属元素碳被膜构 成， 在所述含金属元素碳被膜中，在相对于所述电接触构件的轴线成45°的倾斜面上所形 成的含金属元素碳被膜的表面粗糙度Ral在一定的值以下。
2. 根据权利要求1所述的电接触构件，其中，所述Ral在2. 7nm以下。
3. 根据权利要求1或2所述的电接触构件，其中，所述含金属元素碳被膜的厚度为 50nm以上且5000nm以下。
4. 根据权利要求1或2所述的电接触构件，其中，所述含金属元素碳被膜中所包含的所 述金属元素是选自钨、钽、钼、铌、钛、铬、钯、铑、铂、钌、铱、钒、锆、铪、锰、铁、钴和镍中的至 少一种。
5. 根据权利要求1或2所述的电接触构件，其中，所述被测体包含Sn或Sn合金。
6. -种检查用连接装置，其中，具有多个权利要求1或2所述的电接触构件。
【专利摘要】本发明的电接触构件，是与被测体反复接触的电接触构件。与被测体接触的所述电接触构件的表面由含有金属元素的含金属元素碳被膜构成。在相对于所述电接触构件的轴线成45°的倾斜面上所形成的含金属元素碳被膜的表面粗糙度Ra1在一定的值以下。由此，能够实现与被测体的低附着性，长期稳定抑制接触电阻的上升，确保稳定的电接触。
【IPC分类】H01H1-06, H01L21-66, G01R1-067, H01H1-04, C23C14-06
【公开号】CN104871010
【申请号】CN201380061292
【发明人】平野贵之, 川上信之
【申请人】株式会社神户制钢所
【公开日】2015年8月26日
【申请日】2013年12月12日
【公告号】WO2014092171A1