2包括光电晶体管406和光电二极管1202两者的变型。在该实例中，光电晶体管406的发射极412和光电二极管1204的阳极1204与偏压控制404电气通信，偏压控制404包括开关1206，其确定发射极412或阳极1206中的哪个与处理电子器件402电气通信。到偏压控制404的输入指示瓦块216处于哪种模式(光电二极管或光电晶体管)。当处于光电二极管1202模式时，偏压控制404使用电流源(例如图1的电流源126)等等来偏置处理电子器件402的I/F转换器。
[0052]图13图示根据本文中讨论的实施例的方法。
[0053]在1302，获得针对I/F转换器的预定义的感兴趣偏置电流水平，I/F转换器将由成像的探测器像素的光电晶体管输出的电流转换成数字信号。
[0054]在1304，感测光电晶体管的暗电流。
[0055]在1306，至少基于预定义的偏置电流水平来调节被传输到I/F转换器的暗电流的量。
[0056]如本文中描述的，也可以基于硅探测器瓦块216的温度和/或沉积到硅探测器瓦块216的辐射剂量，来调节被传输到I/F转换器的暗电流的量。
[0057]在1308，I/F转换器被用于将光电晶体管的输出转换成数字信号。
[0058]在1310，重建数字信号，生成体积图像数据。
[0059]要认识到，本文中描述的方法中动作的排序并非限制性的。因此，本文中预期其他排序。此外，可以省略一个或多个动作和/或可以包括一个或多个额外的动作。
[0060]已参考优选的实施例描述了本发明。他人在阅读和理解了前面的详细描述后可以想到多种修改和变动。目的是，本发明被解读为包括所有这样的修改和变动，只要它们落入权利要求或其等价方案的范围内。
【主权项】
1.一种硅成像探测器瓦块(216)，包括: 硅光电传感器层(302)，其包括多个探测器像素(304)，每个探测器像素均具有光电晶体管(406);以及 硅电子器件层(314)，其被耦合到所述硅光电传感器层，所述硅电子器件层包括针对所述多个光电晶体管中的每个的电流频率转换器和偏压控制(404)。2.如权利要求1所述的硅成像探测器瓦块，其中，所述多个光电晶体管中的每个均产生暗电流，并且对应的偏压控制调节被传输到对应的电流频率转换器的所述暗电流的量。3.如权利要求2所述的硅成像探测器瓦块，其中，被传输到对应的电流频率转换器的所述暗电流的所述量引起所述电流频率转换器在每个积分周期内产生至少一个脉冲，使得能够由所述电流频率转换器确定一频率。4.如权利要求2至3中的任一项所述的硅成像探测器瓦块，还包括: 寄存器(414)，其存储要引起所述电流频率转换器在每个积分周期内产生至少一个脉冲所需要的电流水平的值，并且所述偏压控制采用所述值来调节所述暗电流。5.如权利要求2至4中的任一项所述的硅成像探测器瓦块，还包括: 在所述硅光电传感器层中的温度传感器(902)，所述温度传感器感测所述瓦块的温度，其中，所述偏压控制基于感测到的温度来调节被传输到所述对应的电流频率转换器的所述暗电流的所述量。6.如权利要求2至5中的任一项所述的硅成像探测器瓦块，还包括: 在所述硅光电传感器层中的辐射传感器(1002)，所述辐射传感器感测被沉积到所述瓦块的辐射，其中，所述偏压控制基于感测到的辐射来调节被传输到所述对应的电流频率转换器的所述暗电流的所述量。7.如权利要求2至6中的任一项所述的硅成像探测器瓦块，其中，所述偏压控制控制所述光电晶体管的基极电流。8.如权利要求1至7中的任一项所述的硅成像探测器瓦块，所述探测器像素中的至少一个还包括光电二极管(1204)，并且其中，所述偏压控制备选地将所述光电二极管或所述光电晶体管电连接到所述电流频率转换器。9.如权利要求1至8中的任一项所述的硅成像探测器瓦块，其中，所述光电晶体管包括单个半导体或被连接到一起的至少两个半导体。10.一种方法，包括: 利用成像探测器的硅光电传感器层的探测器像素的光电晶体管并且在没有X射线辐射时，感测并且产生暗电流； 利用偏压控制，调节被传输到硅电子器件层的电流频率转换器的所述暗电流的量，所述硅电子器件层被耦合到所述硅光电传感器层；并且 利用所述电流频率转换器，转换被传输到所述电流频率转换器的所述暗电流的所述量。11.如权利要求10所述的方法，其中，被传输到对应的电流频率转换器的所述暗电流的所述量引起所述电流频率转换器在每个积分周期内产生至少一个脉冲，使得能够由所述电流频率转换器确定一频率。12.如权利要求11所述的方法，还包括: 读取寄存器的寄存器值，所述寄存器存储要引起所述电流频率转换器在每个积分周期内产生至少一个脉冲所需要的电流水平；并且 基于所述寄存器值来调节所述暗电流。13.如权利要求10至12中的任一项所述的方法，还包括: 感测所述硅探测器瓦块的温度；并且 还基于感测到的温度来调节所述暗电流。14.如权利要求10至13中的任一项所述的方法，还包括: 感测被沉积到所述硅探测器瓦块的辐射；并且 还基于感测到的辐射来调节所述暗电流。15.如权利要求10至14中的任一项所述的方法，还包括: 控制所述光电晶体管的基极电流，以调节被传输到所述电流频率转换器的暗电流的所述量。16.如权利要求10至15中的任一项所述的方法探测器，其中，所述探测器像素还包括光电二极管；并且所述方法还包括: 选择性地将所述光电二极管或所述光电晶体管中的一个连接到所述电流频率转换器。17.一种成像系统(200)，包括: 辐射源(208)，其发出辐射； 探测器阵列(210)，其探测所述辐射，所述探测器阵列包括:多个探测器瓦块(216)，每个探测器瓦块包括具有多个探测器像素(304)的硅光电传感器层(302)以及被耦合到所述硅光电传感器层的硅电子器件层(314)，每个探测器像素包括光电晶体管(406)，所述硅电子器件层包括针对所述多个光电晶体管中的每个的电流频率转换器和偏压控制(404)，其中，所述电流频率转换器将来自所述光电晶体管的信号转换成数字信号；以及 重建器(228)，其重建所述数字信号，以生成体积图像数据。18.如权利要求17所述的成像系统，其中，探测器器像素的光电晶体管产生暗电流，并且对应的偏压控制调节被传输到对应的电流频率转换器的所述暗电流的量，其中，被传输到所述对应的电流频率转换器的所述暗电流的所述量引起所述电流频率转换器在每个积分周期内产生至少一个脉冲，使得能够由所述电流频率转换器确定一频率。19.如权利要求17至18中的任一项所述的成像系统，还包括在所述硅光电传感器层中的至少一个温度传感器(902)，所述至少一个温度传感器感测所述瓦块的温度，其中，所述偏压控制基于感测到的温度来调节被传输到所述对应的电流频率转换器的所述暗电流的所述量。20.如权利要求17至19中的任一项所述的成像系统，还包括在所述硅光电传感器层中的至少一个辐射传感器(1002)，所述至少一个辐射传感器感测沉积到所述瓦块中的辐射，其中，所述偏压控制基于感测到的辐射来调节被传输到所述对应的电流频率转换器的所述暗电流的所述量。21.如权利要求17至20中的任一项所述的成像系统，其中，针对光电晶体管的所述偏压控制控制所述光电晶体管的基极电流。22.如权利要求17至21中的任一项所述的成像系统，其中，所述探测器像素中的至少一个还包括光电二极管(1204)，并且所述偏压控制将所述光电二极管或所述光电晶体管电连接到所述电流频率转换器，并且所述偏压控制使用电流源来偏置所述处理电子器件的所述I/F转换器。23.如权利要求17至22中的任一项所述的成像系统，其中，所述探测器像素为光子计数探测器像素。
【专利摘要】一种硅成像探测器瓦块(216)，包括硅光电传感器层(302)以及被耦合到所述硅光电传感器层的硅电子器件层(314)，所述硅光电传感器层包括多个探测器像素(304)，每个探测器像素(204)均具有光电晶体管(406)，所述硅电子器件层包括针对所述多个光电晶体管中的每个的电流频率转换器和偏压控制(404)。一种方法，包括：利用成像探测器的硅光电传感器层的探测器像素的光电晶体管并且在没有X射线辐射时，感测暗电流；利用偏压控制调节被传输到硅电子器件层的电流频率转换器的所述暗电流的量，所述硅电子器件层被耦合到所述硅光电传感器层；并且利用所述电流频率转换器转换被传输到所述电流频率转换器的所述暗电流的量。
【IPC分类】H04N5/32, G01T1/20, H04N5/3745, A61B6/00
【公开号】CN105209932
【申请号】CN201480028193
【发明人】M·A·查波
【申请人】皇家飞利浦有限公司
【公开日】2015年12月30日
【申请日】2014年5月7日
【公告号】EP2997397A1, US20160094798, WO2014184714A1