专利名称：半导体集成电路的制作方法
技术领域：
本发明涉及例如具备BTL(Balanced Transformer Less桥式推挽放大电路)输出的扬声器驱动用放大电路的半导体集成电路。
背景技术：
近年来，在笔记本PC(笔记本型个人计算机)、DVC(数字视频照相机)、DSC(数码相机)、PDA(个人数字助理)、移动电话等信息终端设备中，伴随设备的高性能化，功耗的增大成为一个课题。
对可充电电池而言，虽然其性能逐年提高，但现状是，循着近年来数字设备的功能一味增加，电池的容量却并未追赶上数字设备昨日的增加。因而，即使对于装载的半导体集成电路来说，对减少功耗以使装载了半导体集成电路的数字设备的可使用时间变得更长作出贡献也成为重要的课题。
因此，作为抑制功耗的方法，有对消耗电流大的声音电路的控制方法。在上述信息终端设备等中，始终必须有声音输出的场面受到限制，通常只在必要时才输出或输入必要的声音。也就是说，由于即使信息终端装置在使用中，也有不使用声音处理电路的期间，故一般采用在此期间关断包含声音处理电路在内的半导体集成电路的电源，或者只要具有备用功能即可利用该功能以减少功耗的方法。
此外，输出用放大器必须有驱动负载的能力，由于与在通常的信号处理中使用的放大器相比，消耗电流量多，所以采取使用仅仅将输出用放大器通、断的节省电力的功能以削减功耗的方法。
然而，在上述信息终端设备等中，以电池为电源，使用稳压器，使之发生恒定电压或内部电源电压等，但在该电压中还会产生不少起伏(以下，称为电源波纹)。在包含声音处理电路的半导体集成电路中，为了减轻这种影响，存在用于应对给予内部电路的基准电压的变动的稳定电容或用于仅仅通过音频波段的滤波器的电容等。
一般来说，由于这些电容值较大，故不可内置于半导体集成电路中，而要外接。因此，如果具有电源的通/断切换及备用功能，就会根据该功能的通/断切换，而每次都需要用于对电容充电的时间。
特别是，由于用于消除上述电源波纹的稳定电容或用于仅仅通过音频波段的滤波器等其电容值较大，所以在电源接通时及备用关断时，具有至上述电容值的充电结束、电压稳定的时间加长的趋势。特别是，对稳定电容而言，在从接通电源或关断备用功能至基准电压稳定的期间，如要关断输出用放大器的节省电力功能而输出信号，则信号输出就产生级差，此级差作为突发噪声(pop noise)出现而使声音品质恶化。因此，必须等待至基准电压稳定为止。
这样，在信息终端设备中成为声音输出模式后，至电源接通、输出声音，如果花费时间，则使用中的用户就会感到响应很差，商品的价值显著降低。
因此，一般是采用对连接了成为这种充电需要时间的原因的电容的端子进行预充电的技术(例如，参照专利文献1、2)。
图3示出了表示进行这样的预充电的现有半导体集成电路的一例的电路图。在图3中，符号100表示半导体集成电路。符号1表示外接的预充电定时生成用电容器。符号2表示与预充电定时生成用电容器1构成时间常数电路的电阻。符号31表示用于连接预充电定时生成用电容器1的端子。符号3表示为了产生基准电压VREF而对电源电压进行分割的第1电阻。符号4表示为了产生基准电压VREF而对电源电压进行分割的第2电阻。符号5表示外接的基准电压稳定用电容器。符号11表示将端子31的电压与任意的电压进行比较后根据比较结果而输出低电平或高电平的信号的电压比较器。符号12表示依据从电压比较器11输出的低电平或高电平的信号进行通、断的预充电电路。符号13表示以基准电压VREF为基准进行工作的信号处理电路。符号16表示电流源(用电阻亦可)。符号17表示备用控制用开关。符号21表示从外部供给的电源。符号32表示用于连接基准电压稳定用电容器5的端子。符号33表示声音信号输入端子。符号34表示声音信号输出端子。符号51表示以基准电压VREF为基准进行工作的声音信号的输出用放大器。符号61表示用于将基准电压VREF供给输出用放大器51和信号处理电路13的缓冲器。符号301表示从以由第1电阻3与第2电阻4进行了电阻分压的电压(基准电压)为输入的缓冲器61输出的基准电压VREF的布线。符号15表示由低电平或高电平的信号从外部控制备用控制用开关17及输出用放大器51的控制信号发生器。符号S1表示从控制信号发生器15输出的备用控制信号。符号S2表示从控制信号发生器15输出的节省电力控制信号。
图5是表示预充电电路的一例的电路图。在图5中，调整分压电阻R1、R2的电阻值，使得A点的电位成为与基准电压VREF相同的电压。另外，电流IPR由电压比较器11的比较结果进行控制。在该预充电电路中，从电源关断到电源接通时，在有备用功能的情况下，从备用接通到备用关断时，在数十msec内流过电流IPR。由此，采用因内部的电阻分压而产生的电压经发射极跟随器对VREF端子进行快速充电，从而进行预充电。大概在10～20msec左右，VREF端子TM1的电压达到基准电压VREF成为可能。在没有预充电电路的情况下，VREF端子的电压以电阻RVREF与外接的VREF稳定用电容CVREF的时间常数上升，从而使至达到基准电压VREF所需的时间延长。
在此处，电阻RVREF相当于图3的电阻4，VREF稳定用电容CVREF相当于图3的基准电压稳定用电容器5，VREF端子TM1相当于图3的端子32，缓冲器BF相当于图3的缓冲器61。
图4是表示图3中各部分的电压变化的波形图。
对于以上那样构成的半导体集成电路，以下用图3和图4说明其工作。
首先，电源21从关断到接通。
接着，由图4所示的备用控制信号S1在时刻T1使开关17闭合，将电源电压从电源21提供给半导体集成电路100中的各元件，同时电流源16接通。
借助于电流源16接通，连接了预充电定时生成用电容器1的端子31的电压VX按照预充电定时生成用电容器1与电阻2的时间常数，如图4中所示的波形那样，从时刻T1起缓慢上升，端子31的电压VX的初始值为0V。再有，时间常数被表示为τ，是电阻的电阻值与电容器的电容值之积，具有时间的量纲，约在3τ～5τ内得到稳定电压。
电压比较器11将预充电定时生成用电容器1的连接端子31的电压VX与任意的电压VC进行比较。其结果是，当端子31的电压VX≤电压VC时，电压比较器11的输出为高电平，
当端子31的电压VX＞电压VC时，电压比较器11的输出为低电平。
也就是说，从备用控制信号成为高电平的时刻T1至端子31的电压VX超过电压VC的时刻T2的期间为高电平。
接着，预充电电路12受电压比较器11的输出电压控制，使得在高电平时预充电电路12接通(工作)，在低电平时预充电电路12关断(不工作)。因此，预充电电路12在时刻T1接通，在时刻T2关断。
然后，在预充电电路12接通的期间(T2-T1)，对基准电压稳定用电容器5进行预充电，使基准电压稳定用电容器5快速充电，如实线所示，端子32的电压VY(＝基准电压VREF)快速上升至稳定电压VS。因此，如虚线所示，与未进行预充电的情形相比，电压VY(＝基准电压VREF)快速进入稳定状态成为可能。使预充电电路12接通的期间(T2-T1)可通过使由电压比较器11进行比较的电压VC发生变化而任意地决定。
以该基准电压VREF为基准，信号处理电路13和输出用放大器51进行工作。因此，在预充电电路12变为关断后，即在时刻T2后的时刻T3，通过用从控制信号发生器15输出的节省电力控制信号S2使输出用放大器51接通，从而可从输出用放大器51输出声音信号。
在未使用预充电电路的情况下，如以上述定时使输出用放大器51接通，则从未进行预充电时的端子32的电压VY的波形(虚线的波形)还可知，由于基准电压VREF不稳定，所以在时刻T3从输出用放大器51产生突发噪声。为了使突发噪声不发生，必须使之以节省电力信号S2的定时来延迟。
与此相对照，通过使用预充电电路12，从而可缩短从解除备用至信号输出的时间。再有，一般来说，设定成T2-T1≤200msec。这是因为该200msec的时间可以说成是这样的时间如比该时间长，则在操作时会感到响应差。在未使用预充电电路的情况下，至基准电压VREF稳定所需的时间通常为1sec以上。
这样，通过将预充电定时生成用电容器1设置于半导体集成电路的外部，从而为了使基准电压VREF快速稳定，就可以在任意的期间进行预充电。其结果是，通常可将输出声音信号需要数秒的时间缩短在200msec以内，使响应得到改善。因此，半导体集成电路在未使用时，无论关断电源，或使之处于备用状态，还是接着接通电源，或解除备用状态，均可不损害响应地输出声音信号。
专利文献1 特开2004-280805号公报专利文献2 特开平8-79338号公报然而，近年来，特别是在信息终端领域等中愈加小型化，降低成本的愿望强烈，在部件件数的削减及半导体集成电路的小型化方面必须减小基板安装面积。可是，在上述现有的结构中，必须有用于连接预充电定时生成用电容器的专用端子，而该端子发挥作用的期间是备用功能从接通到关断后最多不过约200msec左右，其后，在半导体集成电路进行通常工作的期间不发挥作用。另外，当然，如端子数多，则即使减小半导体集成电路的面积，也无法减小封装的尺寸，无法减小基板安装面积。
发明内容
因此，本发明的目的在于，提供一种半导体集成电路，其无需设置用于生成加快稳定基准电压用的预充电电路的工作定时的专用端子，可减小封装的尺寸，从而可减小基板安装面积。
另外，本发明的另一目的在于，提供一种可削减外接的部件件数的半导体集成电路。
为了解决上述课题，本发明的半导体集成电路具备第1内部电路，以第1基准电压为基准进行工作；第2内部电路，以第2基准电压为基准进行工作；电压比较器，将上述第2基准电压与规定电压进行比较；以及预充电电路，以电压比较器得出的比较结果为基础，在直至第2基准电压到达规定电压的期间，使第1基准电压快速地到达稳定电压。
按照该结构，由于通过将第2内部电路中使用的第2基准电压与规定电压进行比较而得到预充电电路的工作定时，所以为了生成用于加快稳定第1基准电压的预充电电路的工作定时，无需设置连接外部电容器的专用端子，可减小封装的尺寸，从而可减小基板安装面积。
理想情况是，在上述结构中，第1和第2基准电压分别由第1和第2基准电压生成电路生成，第1和第2基准电压生成电路分别附加有第1和第2基准电压稳定化电容器，预充电电路通过对第1基准电压生成电路注入电流而对第1基准电压稳定用电容器充电，从而使第1基准电压快速地到达稳定电压。
按照该结构，可共用用于生成控制预充电的定时的电容器和第2基准电压稳定用电容器。
在上述结构中，第1基准电压生成电路例如包括第1和第2电阻，通过串联连接而对电源电压进行电阻分压，从而从相互的连接点产生第1基准电压；第1基准电压稳定用电容器，与第1和第2电阻的连接点连接；以及第1缓冲器，将从第1和第2电阻的连接点产生的第1基准电压供给到第1内部电路。另外，第2基准电压生成电路例如包括第3和第4电阻，通过串联连接而对电源电压进行电阻分压，从而从相互的连接点产生第2基准电压；第2基准电压稳定用电容器，与第3和第4电阻的连接点连接；以及第2缓冲器，将从第3和第4电阻的连接点产生的第2基准电压供给到第2内部电路。
在上述结构中，第1内部电路例如包括信号处理电路，对所输入的声音信号进行信号处理；以及声音输出用放大电路，以信号处理电路的输出信号为输入，以第1基准电压为基准进行工作。另外，第2内部电路例如包括BTL输出型的扬声器驱动用放大电路，以信号处理电路的输出信号为输入，以第2基准电压为基准进行工作。
上述扬声器驱动用放大电路例如包括使信号处理电路的输出信号反相的倒相器、输入倒相器的输出信号和第2基准电压的第1扬声器驱动用放大器、以及输入信号处理电路的输出信号和第2基准电压的第2扬声器驱动用放大器，将扬声器连接在第1扬声器驱动用放大器的输出端与第2扬声器驱动用放大器的输出端之间。
按照本发明，无需为了生成用于加快稳定基准电压的预充电电路的工作定时而设置专用端子，可减小封装的尺寸，从而可减小基板安装面积。
另外，通过共用将预充电接通的定时生成用的电容器和基准电压稳定用电容器，从而可削减部件件数和削减端子数。
图1是表示本发明实施例1中的半导体集成电路的结构的方框图。
图2是图1所示的半导体集成电路的各部分的电压波形图。
图3是表示现有例的半导体集成电路的结构的方框图。
图4是图3所示的半导体集成电路的各部分的电压波形图。
图5是表示预充电电路的一例的电路图。
具体实施例方式
以下，参照
本发明的实施例。
(实施例1)现用图1和图2说明本发明实施例1的半导体集成电路。再有，对于与图3的现有例相同的结构要素，使用相同的符号。
在图1中，符号101表示半导体集成电路。符号3表示为了产生基准电压VREF而将电源电压进行分割的第1电阻。符号4表示为了产生基准电压VREF而将电源电压进行分割的第2电阻。符号5表示外接的基准电压稳定用电容器。符号6表示为了产生扬声器用基准电压VREFSP而将电源电压进行分割的第3电阻。符号7表示为了产生扬声器用基准电压VREFSP而将电源电压进行分割的第4电阻。符号8表示外接的扬声器用基准电压稳定用电容器。符号32表示用于连接基准电压稳定用电容器5的端子。符号35表示用于连接扬声器用基准电压稳定用电容器8的端子。符号11表示将端子31的电压与任意的电压进行比较，根据比较结果而输出低电平或高电平信号的电压比较器。符号12表示依据从电压比较器11输出的低电平或高电平信号进行通、断的预充电电路。符号13表示以基准电压VREF为基准进行工作的信号处理电路。符号17表示备用(standby)控制用开关。符号21表示从外部供给的电源。符号33表示声音信号输入端子。符号34表示声音信号输出端子。符号51表示以基准电压VREF为基准进行工作的声音信号的输出用放大器。符号61表示用于将基准电压VREF供给半导体集成电路101内的输出用放大器51和信号处理电路13(相当于第1内部电路)的缓冲器。符号65表示使信号处理电路13的输出信号反相的倒相器。符号66表示以倒相器65的输出信号和扬声器用基准电压VREFSP为输入的扬声器驱动用的第1输出用放大器。符号67表示以信号处理电路13的输出信号和扬声器用基准电压VREFSP为输入的扬声器驱动用的第2输出用放大器。符号62表示用于将扬声器用基准电压VREFSP供给半导体集成电路101内的第1和第2输出用放大器66、67的缓冲器。符号36表示至扬声器的输出信号的正相输出端子。符号37表示至扬声器的输出信号的反相输出端子。符号68表示设置于外部、连接在正相输出端子36与反相输出端子37之间的扬声器。符号301表示从以由第1电阻3和第2电阻4进行了电阻分压的电压(基准电压)为输入的缓冲器61输出的基准电压VREF的布线。符号302表示从以由第3电阻6和第4电阻7进行了电阻分压的电压(扬声器用基准电压)为输入的缓冲器62输出的扬声器用基准电压VREFSP的布线。符号15表示用于由低电平或高电平的信号从外部控制备用控制用开关17及输出用放大器51、输出用放大器66、输出用放大器67的控制信号发生器。符号S1表示从控制信号发生器15输出、用于控制备用控制开关17的备用控制信号。符号S2表示从控制信号发生器15输出、用于控制输出用放大器51的节省电力控制信号。符号S3表示从控制信号发生器15输出、用于控制输出用放大器66和输出用放大器67的节省电力控制信号。
图2是表示图1中的各端子的电压变化的波形图。
对于用以上方式构成的半导体集成电路，以下用图1和图2说明其工作。
首先，电源21从关断到接通。
接着，在备用控制信号S1作用下，在时刻T1开关17闭合，从电源21将电源电压供给到半导体集成电路101中的各元件。
其结果是，连接了扬声器用基准电压稳定用电容器8的端子35的电压VZ根据扬声器用基准电压稳定用电容器8与电阻6、7的时间常数，如图2所示的波形那样，从时刻T1起缓慢上升。端子35的电压VZ的初始值为0V。再有，时间常数以τ表示，是由电阻的电阻值与电容器的电容值决定的具有时间量纲的值，在约3τ～5τ内达到稳定电压。例如，在本实施例中，如假定电容器8的电容值为C8，电阻6的电阻值为R6，电阻7的电阻值为R7，则时间常数τ用下式表示τ＝C8*R6*R7/(R6+R7)电压比较器11将扬声器用基准电压稳定用电容器8的连接端子35的电压VZ与任意的电压VC进行比较。其结果是，当端子35的电压VZ≤电压VC时，电压比较器11的输出为高电平，
当端子35的电压VZ＞电压VC时，电压比较器11的输出为低电平。
也就是说，从备用控制信号S1为高电平的时刻T1到端子35的电压VZ超过电压VC的时刻T2的期间为高电平。
接着，预充电电路12受电压比较器11的输出电压控制，使得在高电平时预充电电路12变为接通(工作)，在低电平时预充电电路12变为关断(不工作)。因此，预充电电路12在时刻T1接通，在时刻T2关断。
然后，在预充电电路12接通的期间(T2-T1)，对基准电压稳定用电容器5进行预充电，使基准电压稳定用电容器5快速充电，如实线所示，使端子32的电压VY快速上升至稳定电压VS。因此，如虚线所示，与未进行预充电的情形相比，可使电压VY(＝基准电压VREF)快速进入稳定状态。使预充电电路12接通的期间(T2-T1)可通过使由电压比较器11进行比较的电压VC发生变化而任意地决定。
以该基准电压VREF为基准，信号处理电路13和输出用放大器51进行工作。因此，在预充电电路12变为关断后，即在时刻T2后的时刻T3，通过用从控制信号发生器15输出的节省电力控制信号S2使输出用放大器51接通，可从输出用放大器51输出声音信号。
在未使用预充电电路的情况下，如以上述定时使输出用放大器51接通，则从未进行预充电时的端子32的电压VY的波形(虚线的波形)还可知，由于基准电压VREF不稳定，所以在时刻T3从输出用放大器51产生突发噪声。为了使突发噪声不发生，必须使之以节省电力信号S2的定时来延迟。
与此相对照，通过使用预充电电路12，从而可缩短从解除备用至信号输出的时间。再有，一般来说，设定成T2-T1≤200msec。这是因为该200msec的时间可以说成是这样的时间如比该时间长，则在操作时会感到响应差。在未使用预充电电路的情况下，至基准电压VREF稳定所需的时间通常为1sec以上。
另外，正相输出端子36和反相输出端子37的电压从时刻T1到时刻T2，与端子35的电压同样地缓慢上升，而在时刻T3，节省电力控制信号S3从低电平变化到高电平，通过使输出用放大器66、67接通，成为恒定电压。
这样，通过使用扬声器用基准电压稳定用电容器8，从而为了使基准电压VREF快速稳定，就可以在任意的期间进行预充电。其结果是，通常可将输出声音信号需要数秒的时间缩短在200msec以内，可改善响应。因此，半导体集成电路在未使用时，无论关断电源，或使之处于备用状态，还是接着接通电源，或解除备用状态，均可不损害响应地输出声音信号。
另外，通过将电压比较器11的输入连接到用于连接扬声器用基准电压稳定用电容器8的端子35，从而就无需像现有例那样的专用的预充电定时生成用电容器，从而也无需专用的端子31。因此，可减小封装的尺寸，从而可减小基板安装面积。
在此处，扬声器通常是低阻抗(数Ω负载)的，需要功率晶体管去驱动。另外，如假定扬声器的功率为W，并且假定第1扬声器驱动用的输出用放大器66的输出电压为V+，第2扬声器驱动用的输出用放大器67的输出电压为V-，连接到外部的扬声器68的负载为RSPOUT，则扬声器的功率W用下式表示W＝{(V+)-(V-)}2/RSPOUT与输出电压的2次方成正比。因此，中点电位的偏移仍然对扬声器的输出功率有很大的影响。因此，中点电位的优化是必需的。因此，与其它的信号处理系统的基准电压VREF不同，必须还产生扬声器用基准电压VREFSP，必须另行设置用于该稳定电容的端子。在预充电电路的定时信号生成中共用该端子。因此，无需将该端子用作预充电电路的定时信号生成的专用端子。
如上所述，在该实施例1中，电压比较器11将扬声器用基准电压VREFSP与任意的电压VC进行比较，在最长约200msec的期间使预充电电路12工作。在该期间端子32的电压稳定。
在此处，由于不将预充电电路连接到端子35上，所以扬声器用基准电压VREFSP尚未稳定。在该状态下，如果利用从控制信号发生器15输出的节省电力控制用信号S3，使输出用驱动用放大器66、67工作，则信号处理电路13和输出用放大器66、67的输入(运算放大器的+侧输入)稳定在基准电压VREF，但输出用放大器66、67的基准电压输入(运算放大器的-侧输入)尚未稳定在扬声器用基准电压VREFSP。因此，该差值VREF-VREFSP形成的电压分别从扬声器的输出信号的正相输出端子36和扬声器的输出信号的反相输出端子37作为相同的波形输出。
由于与外部连接的扬声器68是BTL驱动，所以在此简单说明一下BTL驱动。在声音信号输入时，从声音信号输入端子33输入的声音信号被输入到信号处理电路13中。从信号处理电路13输出的声音信号通过倒相器65和输出用放大器66，作为正相信号，从正相输出端子36输出。另一方面，通过输出用放大器67，作为反相信号，从反相输出端子37输出。
因此，如假定从端子36输出的声音信号为V+，从端子37输出的声音信号为V-，则最终将(V+)-(V-)这样2倍后的信号输出到连接至外部的扬声器68。但是，在无信号时，在基准电压VREF稳定、仅仅扬声器用基准电压VREFSP发生过渡性变化的情况下，如上所述，从正相输出端子36和反相输出端子37输出同样的波形(图2)。因此，连接到外部的扬声器68最终为(V+)-(V-)＝0，不发生突发噪声。反之，如果基准电压VREF发生过渡性变化，则由于从正相输出端子36和反相输出端子37分别输出正相和反相的信号，(V+)-(V-)为有限值，故发生突发噪声。为了消除该突发噪声，如上所述，重要的是使用预充电电路，使基准电压VREF加速稳定。
如以上说明那样，通过形成这样的结构，共用定时生成用的电容器与扬声器用基准电压稳定用电容器成为可能，进而可实现削减部件件数和削减端子数。而且，不会发生因共用而造成的故障。
再有，输出用放大器51、第1扬声器驱动用放大器66和第2扬声器驱动用放大器67既可以是反相放大器，又可以是非反相放大器。另外，也可分别使用电流源，来代替电阻3、电阻6。
再有，BTL输出是将同一单信号分为正相和反相并用电阻连接这些信号的方法，在理论上可取出2倍的输出(4倍的功率)。因而，在半导体集成电路中使用BTL结构的情况下，可作为音频扬声器的驱动用，或电动机及电源等的驱动用来使用。
如以上说明的那样，在本发明中，对于具备BTL输出的扬声器驱动用放大器的半导体集成电路而言，通过共用生成控制预充电的定时信号的电容器和扬声器用基准电压稳定用电容器，从而就可以进一步削减部件件数和削减端子数。
权利要求
1.一种半导体集成电路，其中，具备第1内部电路，以第1基准电压为基准进行工作；第2内部电路，以第2基准电压为基准进行工作；电压比较器，将上述第2基准电压与规定电压进行比较；以及预充电电路，以上述电压比较器得出的比较结果为基础，在直至上述第2基准电压到达上述规定电压的期间，使上述第1基准电压快速地到达稳定电压。
2.如权利要求1所述的半导体集成电路，其中，上述第1和第2基准电压分别由第1和第2基准电压生成电路生成，上述第1和第2基准电压生成电路分别附加有第1和第2基准电压稳定用电容器，上述预充电电路通过对上述第1基准电压生成电路注入电流而对上述第1基准电压稳定用电容器充电，从而使上述第1基准电压快速地到达稳定电压。
3.如权利要求2所述的半导体集成电路，其中，第1基准电压生成电路包括第1和第2电阻，通过串联连接而对电源电压进行电阻分压，从而从相互的连接点产生上述第1基准电压；上述第1基准电压稳定用电容器，与上述第1和第2电阻的连接点连接；以及第1缓冲器，将从上述第1和第2电阻的连接点产生的上述第1基准电压供给到上述第1内部电路，第2基准电压生成电路包括第3和第4电阻，通过串联连接而对上述电源电压进行电阻分压，从而从相互的连接点产生上述第2基准电压；上述第2基准电压稳定用电容器，与上述第3和第4电阻的连接点连接；以及第2缓冲器，将从上述第3和第4电阻的连接点产生的上述第2基准电压供给到上述第2内部电路。
4.如权利要求1所述的半导体集成电路，其中，上述第1内部电路包括信号处理电路，对所输入的声音信号进行信号处理；以及声音输出用放大电路，以上述信号处理电路的输出信号为输入，以上述第1基准电压为基准进行工作，上述第2内部电路包括BTL输出型的扬声器驱动用放大电路，以上述信号处理电路的输出信号为输入，以上述第2基准电压为基准进行工作。
5.如权利要求4所述的半导体集成电路，其中，上述扬声器驱动用放大电路包括使上述信号处理电路的输出信号反相的倒相器、输入上述倒相器的输出信号和上述第2基准电压的第1扬声器驱动用放大器、以及输入上述信号处理电路的输出信号和上述第2基准电压的第2扬声器驱动用放大器，将扬声器连接在上述第1扬声器驱动用放大器的输出端与上述第2扬声器驱动用放大器的输出端之间。
全文摘要
本半导体集成电路设置以第1基准电压为基准进行工作、对声音信号进行处理的信号处理电路和对声音信号进行放大的输出用放大器，并且设置以第2基准电压为基准进行工作、对声音信号进行放大并供给到扬声器的BTL输出型的一对输出用放大器。进而设置将第2基准电压与规定电压进行比较的电压比较器，设置以电压比较器得出的比较结果为基础在直至第2基准电压到达规定电压的期间使第1基准电压快速地到达稳定电压的预充电电路。
文档编号G05F3/24GK1976543SQ20061016379
公开日2007年6月6日 申请日期2006年12月4日 优先权日2005年12月2日
发明者川村明裕, 藤井圭一 申请人:松下电器产业株式会社