一种新型的RFID线性稳压电路的制作方法

本发明涉及一种射频电路技术领域，尤其是一种新型的RFID线性稳压电路。

背景技术：

在低频无源RFID芯片的电路设计中，数字电路工作的电源从天线端获得，天线的信号是类正弦波交流信号，得到数字电路工作的直流电压就要经过滤波，限压，稳压得到一个相对稳定的直流电压，经过滤波稳压得到一个比较高的，抖动比较厉害的直流电压，不适合数字电路工作，因此需要稳压器来进行降压稳压得到一个稳定电压，由于无源RFID的特性，不适合做DC-DC电路。

技术实现要素：

针对现有技术的不足，本发明提供一种新型的RFID线性稳压电路。

本发明的技术方案为：一种新型的RFID线性稳压电路，其特征在于：包括电流源电路、一反馈电路、电流镜像电路和一个PMOS驱动管MP5，所述电流源电路的输出端与反馈电路的输入端连接，所述反馈电路的输出端与电流镜像电路输入端连接，所述电流镜像电路的输出端与PMOS驱动管MP5的栅极连接。

所述电流源电路包括电流源I0、MOS管MP0、MOS管MN0和滤波电容C0，所述MOS管MP0的源极与电流源I0连接，所述MOS管MP0的栅极与漏极连接在一起并与MOS管MN0的漏极连接，所述MOS管MN0的源极接地gnd，所述MOS管MN0的栅极与漏极连接在一起并与MOS管MP0的漏极连接，所述MOS管MP0的栅极与MOS管MN0的栅极连接，所述滤波电容C0的一端接地gnd，所述滤波电容C0的另一端与MOS管MP0的源极连接并与电流源I0连接。

所述反馈电路包括MOS管MP1、MOS管MP2、MOS管MN2，所述MOS管MP1的源极与输出电压VDD连接，所述MOS管MP1的栅极与MOS管MP0的源极连接，所述MOS管MP1的漏极与MOS管MP2的源极连接，所述MOS管MP2的栅极与漏极连接在一起并与MOS管MN2的漏极连接，所述MOS管MN2的漏极与栅极连接在一起并与MOS管MP2的漏极连接，所述MOS管MN2的源极接地gnd。

所述电流镜像电路包括MOS管MP3、MOS管MP4、MOS管MN3以及电阻R0，所述MOS管MN3的栅极与MOS管MN2的栅极连接，所述MOS管MN3的源极接地gnd，所述MOS管MN3的漏极与MOS管MP3的漏极连接，所述MOS管MP3的源极与电源HV连接，所述MOS管MP3的栅极与漏极连接在一起并与MOS管MN3的漏极连接，MOS管MP3的栅极与MOS管MP4的栅极连接，所述MOS管MP4的源极接电源HV，所述MOS管MP4的漏极与电阻R0的一端连接，所述电阻R0的另一端接地gnd。

所述PMOS驱动管MP5的源极与电源HV连接，所述PMOS驱动管MP5的栅极与MOS管MP4的漏极连接并经电阻R0接地gnd，所述PMOS驱动管MP5的漏极与输出电压VDD连接。

由于所述MOS管MN0工作在饱和区，调制MOS管MP0使MOS管MP0也工作在饱和区，根据MOS管在饱和区工作的电流电压特性，在所述稳定电流源I0的驱动下得到net1的电压是稳定的，net1的电压的大小由电流源I0以及MOS管MP0、MOS管MN0共同决定，所述滤波电容C0具有滤波作用，通过滤波电容C0过滤掉由于电流源I0抖动而产生的毛刺电压，

输入电压HV从地gnd的电平开始缓慢上升，由于电阻R0的作用，开始时 net2信号线的电压为地GND的电平，所述PMOS驱动管MP5导通，得到一个随着HV变化而变化的输出电压VDD，随着所述输出电压VDD的升高，所述MOS管MP1也导通，MOS管MP1、MOS管MP2、MOS管MN2组成的回路形成电流通路，所述MOS管MN3镜像所述MOS管MN2的电流，所述MN3和所述MOS管MP3形成的通路的电流大小与所述MOS管MN2的电流大小成比例关系，电流大小比例关系为MOS管MN2的宽长比与MOS管MN3的宽长比的比例，所述MP4和MP3组成一个电流镜像电路，所述MP4和所述电阻R0形成的通路的电流大小与所述MOS管MP3的电流大小成比例关系，他们的电流大小比例关系为所述MOS管MP3的宽长比与MOS管MP4的宽长比的比例，可知，电阻R0的电流大小与MOS管MP1的电流大小成比例关系，随着输出电压VDD的增加，所述MOS管MP1的电流也变大，所述电阻R0的电流也变大，net2的电压也变大，同时 net2的电压增大会影响PMOS驱动管MP5的导通能力，随着net2的电压增大，所述PMOS驱动管MP5的导通变小，输出电压VDD变小，根据MOS管的电流电压特性，所述输出电压VDD和net1的电压的电压差与所述MOS管MP1的宽长比决定所述MOS管MP1的电流大小。由于net1的电压是稳定的，随着输出电压VDD变小，所述MOS管MP0的电流也随着变小，从而电阻R0的电流也会变小，net2的电压也变小；由于net2电压变小，所述MP5管的导通能力也会变增大，输出电压VDD变大，因此，所述输出电压VDD经过反馈的作用，得到了一个相对稳定的电压，输出电压VDD由所述MOS管MP1、所述MOS管MN2、所述MOS管MN3、所述MOS管MP3、所述MOS管MP4以及电阻R0、net1的电压共同决定。

本发明的有益效果为：通过电流源电路得到一个稳定的net1的电压，并通过反馈电路与电流镜像电路控制net2的电压大小，从而控制PMOS驱动管MP5的导通能力，通过较少的器件得到了相对稳定的输出电压VDD，电路布局简单，减小了布局面积，节约了成本。

附图说明

图1为本发明新型的电路图；

图2为本发明输出电压VDD随电源HV变化的示意图；

具体实施方式

下面结合附图对本发明的具体实施方式作进一步说明：

如图1、图2所示，一种新型的RFID线性稳压电路，其特征在于：包括电流源电路、一反馈电路、电流镜像电路和一个PMOS驱动管MP5，所述电流源电路的输出端与反馈电路的输入端连接，所述反馈电路的输出端与电流镜像电路输入端连接，所述电流镜像电路的输出端与PMOS驱动管MP5的栅极连接；

所述电流源电路包括电流源I0、MOS管MP0、MOS管MN0和滤波电容C0，所述MOS管MP0的源极与电流源I0连接，所述MOS管MP0的栅极与漏极连接在一起并与MOS管MN0的漏极连接，所述MOS管MN0的源极接地gnd，所述MOS管MN0的栅极与漏极连接在一起并与MOS管MP0的漏极连接，所述MOS管MP0的栅极与MOS管MN0的栅极连接，所述滤波电容C0的一端接地gnd，所述滤波电容C0的另一端与MOS管MP0的源极连接并与电流源I0连接，通过电流源电路得到稳定的net1的电压。

所述反馈电路包括MOS管MP1、MOS管MP2、MOS管MN2，所述MOS管MP1的源极与输出电压VDD连接，所述MOS管MP1的栅极与MOS管MP0的源极连接，所述MOS管MP1的漏极与MOS管MP2的源极连接，所述MOS管MP2的栅极与漏极连接在一起并与MOS管MN2的漏极连接，所述MOS管MN2的漏极与栅极连接在一起并与MOS管MP2的漏极连接，所述MOS管MN2的源极接地gnd。

所述电流镜像电路包括MOS管MP3、MOS管MP4、MOS管MN3以及电阻R0，所述MOS管MN3的栅极与MOS管MN2的栅极连接，所述MOS管MN3的源极接地gnd，所述MOS管MN3的漏极与MOS管MP3的漏极连接，所述MOS管MP3的源极与电源HV连接，所述MOS管MP3的栅极与漏极连接在一起并与MOS管MN3的漏极连接，MOS管MP3的栅极与MOS管MP4的栅极连接，所述MOS管MP4的源极接电源HV，所述MOS管MP4的漏极与电阻R0的一端连接，所述电阻R0的另一端接地gnd。

所述PMOS驱动管MP5的源极与电源HV连接，所述PMOS驱动管MP5的栅极与MOS管MP4的漏极连接并经电阻R0接地gnd，所述PMOS驱动管MP5的漏极与输出电压VDD连接。

由于所述MOS管MN0工作在饱和区，调制MOS管MP0使MOS管MP0也工作在饱和区，根据MOS管在饱和区工作的电流电压特性，在所述稳定电流源I0的驱动下得到net1的电压是稳定的，net1的电压的大小由电流源I0以及MOS管MP0、MOS管MN0共同决定，所述滤波电容C0具有滤波作用，通过滤波电容C0过滤掉由于电流源I0抖动而产生的毛刺电压，

输入电压HV从地gnd的电平开始缓慢上升，由于电阻R0的作用，开始时 net2信号线的电压为地GND的电平，所述PMOS驱动管MP5导通，得到一个随着HV变化而变化的输出电压VDD，随着所述输出电压VDD的升高，所述MOS管MP1也导通，MOS管MP1、MOS管MP2、MOS管MN2组成的回路形成电流通路，所述MOS管MN3镜像所述MOS管MN2的电流，所述MN3和所述MOS管MP3形成的通路的电流大小与所述MOS管MN2的电流大小成比例关系，电流大小比例关系为MOS管MN2的宽长比与MOS管MN3的宽长比的比例，所述MP4和MP3组成一个电流镜像电路，所述MP4和所述电阻R0形成的通路的电流大小与所述MOS管MP3的电流大小成比例关系，他们的电流大小比例关系为所述MOS管MP3的宽长比与MOS管MP4的宽长比的比例，可知，电阻R0的电流大小与MOS管MP1的电流大小成比例关系，随着输出电压VDD的增加，所述MOS管MP1的电流也变大，所述电阻R0的电流也变大，net2的电压也变大，同时 net2的电压增大会影响PMOS驱动管MP5的导通能力，随着net2的电压增大，所述PMOS驱动管MP5的导通变小，输出电压VDD变小，根据MOS管的电流电压特性，所述输出电压VDD和net1的电压的电压差与所述MOS管MP1的宽长比决定所述MOS管MP1的电流大小。由于net1的电压是稳定的，随着输出电压VDD变小，所述MOS管MP0的电流也随着变小，从而电阻R0的电流也会变小，net2的电压也变小；由于net2的电压变小，所述MP5管的导通能力也会变增大，输出电压VDD变大，因此，所述输出电压VDD经过反馈的作用，得到了一个相对稳定的电压，输出电压VDD由所述MOS管MP1、所述MOS管MN2、所述MOS管MN3、所述MOS管MP3、所述MOS管MP4以及电阻R0、net1的电压共同决定。

上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理和最佳实施例，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。