本发明涉及基准电压电路领域，尤其涉及一种用于射频中的低功耗基准电路。
背景技术：
在物联网和大多数无线通讯的应用中，相关接收电路或者发射电路等都是需要低功耗的，因此能产生低功耗的基准电路对整个应用来讲是非常关键和非常必要的。基准电路作为模拟电路的重要部分，一般需要在一个较宽的温度范围内正常工作，因此不仅要求功耗低，还需要性能稳定，有较好的温度特性。传统的方式可以采用带隙基准电路进行设计，但是其功耗都是微瓦级别的，不属于低功耗设计范畴。
技术实现要素：
为克服上述现有技术存在的问题，本发明的主要目的在于提供一种用于射频中的低功耗基准电路，其拥有低功耗和较小的硅面积等优点。
为达上述及其它目的，本发明提供一种用于射频中的低功耗基准电路，其至少包括：
一微电流产生电路，其核心是mos管工作在亚阈值区，因此整体工作电流为低至纳安级的电流，功耗非常小；一基准产生电路，采用共源共栅结构，产生的基准电压的精度也非常高，总体电路的面积也非常小。
本发明提出了一种用于射频中的低功耗基准电路，包括：一微电流产生电路，其核心是mos管工作在亚阈值区，因此整体工作电流为低至纳安级的电流，功耗非常小；一基准产生电路，采用共源共栅结构，产生的基准电压的精度也非常高，总体电路的面积也非常小；其特征在于：所述微电流产生电路由第一pmos管pm1、第二pmos管pm2、第三pmos管pm3、第四pmos管pm4、第一pnp三极管q1、第八nmos管nm8和第九nmos管nm9构成，pm1管的源极和pm2管的源极都与电源电压vdd相连接，pm2的栅极与pm1的栅极、pm3的栅极、pm3的漏极、pm4的栅极、nm8的漏极相连接；pm2的漏极与pm4的源极相连接；pm1的漏极pm3的源极相连接；pm4的漏极与q1的发射极、nm8的栅极相连接；nm8的源极与nm9的栅极、nm9的漏极相连接；q1的基极、q1的集电极、nm9的源极接地；所述基准产生电路由第五pmos管pm5、第六pmos管pm6、第七pmos管pm7、第八pmos管pm8、第九pmos管pm9、第十pmos管pm10、第十一pmos管pm11、第十二pmos管pm12、第一nmos管nm1、第二nmos管nm2、第三nmos管nm3、第四nmos管nm4、第五nmos管nm5、第六nmos管nm6、第七nmos管nm7、第一电阻r1构成；pm5管的源极、pm6管的源极、pm7管的源极、pm8管的源极都与电源电压vdd相连接；pm5管的栅极、pm6管的栅极、pm7管的栅极、pm8的栅极、pm9管的栅极、pm10管的栅极、pm11管的栅极、pm12的栅极与pm2管的栅极连接在一起；pm8的漏极与pm12的源极相连接；pm12的漏级与nm6的漏级、nm6的栅极、nm7的栅极相连接；nm6的源极与nm7的漏级、nm5的源极相连接；nm7的源极接地；pm7的漏极与pm11的源极相连接；pm11的漏级与nm4的漏级、nm4的栅极、nm5的栅极相连接；nm4的源极与nm5的漏级、nm3的源极相连接；pm6的漏极与pm10的源极相连接；pm10的漏级与nm2的栅极、nm2的漏级、nm3的栅极相连接；nm2的源极与nm3的漏级、nm1的源极相连接；pm5的漏极与pm9的源极相连接；pm9的漏级与电阻r1的一端相连接，其节点作为基准电压vref的输出端；电阻r1的另一端与nm1的栅极、nm1的漏级相连接；nm1管、nm2管、nm3管、nm4管、nm5管、nm6管、nm7管、nm8管和nm9管的衬底接地；pm1管、pm2管、pm3管、pm4管、pm5管、pm6管、pm7管、pm8管、pm9管、pm10管、pm11管和pm12管的衬底接vdd。
附图说明
构成
本技术：
的一部分的附图用来提供对本发明的进一步理解，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：
图1为本发明一种用于射频中的低功耗基准电路图。
具体实施方式
结合图1所示，在下面的实施例中，所述低功耗基准电路，其至少包括：一微电流产生电路，其核心是mos管工作在亚阈值区，因此整体工作电流为低至纳安级的电流，功耗非常小；一基准产生电路，采用共源共栅结构，产生的基准电压的精度也非常高，电路中只有一个三极管和一个电阻，因此总体电路的面积非常小。
所述的微电流产生电路由pmos管pm1、pm2、pm3、pm4、nmos管nm8、nm9构成和第一三极管q1构成，q1相当于正向导通的二极管，其电压为一个阈值电压，相当于nm8管和nm9管的栅源电压之和，那么就迫使nm8管进入亚阈值区，因此产生的电流ib为na级别的小电流。
所述基准产生电路由pmos管pm5、pm6、pm7、pm8、pm9、pm10、pm11、pm12,nmos管nm1、nm2、nm3、nm4、nm5、nm6、nm7和电阻r1构成；nm1、nm2、nm3、nm4、nm5、nm6、nm7以自偏置方式串联在一起，nm6和nm7、nm4和nm5、nm2和nm3都处于相同的p阱中，都偏置在亚阈值区域内，并且它们都产生正温度系数电压；镜像电流源的pmos管采用共源共栅结构，增加偏置电路中镜像电流的稳定性，增加抗干扰性能。pm1管、pm2管、pm3管、pm4管、pm5管、pm6管、pm7管、pm8管、pm9管、pm10管、pm11管、和pm12管的尺寸都是一样的。
pm9管的漏级作为基准电压vref的输出端，电流流过电阻r1和nm1管，在弱反型区工作的二极管连接晶体管nm1用作负温度系数电压，最终在vref出产生正负温度系数抵消的一个电压值。电阻r1辅助输出电压值达到温度系数的平衡，即增加电阻可以减小该之路的所需的电流，可以进一步节省功耗。
本发明提出了一种无阻抗的低功耗基准电路，与其他电路相比，电路中不利用bjt，结构更简单，电路中晶体管工作在亚阈值区域，显著降低了电源电压和功耗。该电路采用0.18μmcmos工艺设计，整个电路只有15na的电路，属于低功耗基准电路，电路可以在低至1v的电源电压下工作，并在-25℃到125℃范围内提供750mv的输出电压，最大值和最小值之间的电压差仅为1.6mv。
虽然本发明利用具体的实施例进行说明，但是对实施例的说明并不限制本发明的范围。本领域内的熟练技术人员通过参考本发明的说明，在不背离本发明的精神和范围的情况下，容易进行各种修改或者可以对实施例进行组合，这些也应视为本发明的保护范围。