技术特征:
技术总结
本发明公开了一种SiCMOSFET仿真电路模型参数精度校正方法,建立SiCMOSFET仿真电路模型,对SiCMOSFET仿真电路模型进行双脉冲电路仿真测试,得到仿真双脉冲测试电压电流波形图;根据SiCMOSFET仿真电路模型建立SiCMOSFET实际电路,对SiCMOSFET实际电路进行双脉冲电路测试,得到实际双脉冲测试电压电流波形图;调整门极‑漏极电容Cgd、门极‑源极电容Cgs、阈值Vth、跨导gf和源极寄生电感Ls和漏极寄生电感Ld,SiCMOSFET仿真电路模型参数精度校正完成。本发明有效提高SiCMOSFET仿真电路模型的精确性。
技术研发人员:杨媛;文阳
受保护的技术使用者:西安理工大学
技术研发日:2018.10.31
技术公布日:2019.04.02