1.一种高精度的电流基准电路，其特征在于：包括PM1、PM2、PM3、PM4、PM5、PM6、PM7、PM8、NM0、NM1、NM2、NM3、R1、R0、Q1和Q2，所述PM1、所述PM2、所述PM3、所述PM4、所述PM5、所述PM6、所述PM7和所述PM8均为PMOS管，所述NM0、所述NM1、所述NM2和所述NM3均为NMOS管，所述R1和所述R0均为多晶硅电阻，所述Q1和所述Q2均为PNP型的三极管；
所述PM2的源极接电源VDD，所述PM2的漏极接电流基准的输入端，所述PM2的栅极连接所述PM1的栅极和所述PM3的栅极；所述PM2和所述PM1构成电流镜，所述PM1的源极连接所述PM3的漏极，所述PM1的漏极连接所述Q1的发射极，所述Q1的发射极和基极之间连接有所述R1，所述Q1的集电极接地，所述Q1的基极还连接所述NM2的栅极和所述NM3的栅极，所述NM2和所述NM3构成电流镜，所述NM2的栅极与其漏极互连，所述NM2的源极和所述NM3的源极接地，所述NM3的漏极连接所述PM4的栅极和PM5的栅极，所述PM4与PM5构成电流镜，所述PM4的栅极与其漏极互连，所述PM4的源极和所述PM5的源极均接VDD，所述PM5的漏极连接所述PM8的漏极；
所述PM6的源极接电源VDD，所述PM6的漏极连接所述Q2的发射极，所述Q2的发射极和基极之间连接有所述R0，所述Q2的集电极接地，所述PM6的栅极连接所述NM3漏极和所述PM4的漏极，所述Q2的基极还连接所述NM1的栅极和所述NM0的栅极，所述NM1的源极和所述NMO的源极接地，所述NM1和NM0构成电流镜，所述NM1的栅极与其漏极互连，所述NMO的漏极连接所述PM7和所述M8的栅极，所述PM7和PM8构成电流镜，所述PM7的栅极与其漏极互连，所述PM7的源极接电源VDD，所述PM8的源极接电源VDD，所述PM8的漏极和所述PM5的漏极共同输出基准电流Iref。
2.根据权利要求1所述的一种高精度的电流基准电路，其特征在于：所述PM1和PM2的尺寸比例为3：2。
3.根据权利要求1所述的一种高精度的电流基准电路，其特征在于：所述R0和R1的阻值相同，设置在300K-400K之间。
4.根据权利要求1所述的一种高精度的电流基准电路，其特征在于：所述Q2和Q1的发射极面积的比例为1：1。
5.根据权利要求1所述的一种高精度的电流基准电路，其特征在于：所述PM6和PM4的尺寸比例为2：1。