多晶硅还原炉电源的电压控制方法、装置和计算机设备与流程

本技术涉及电气控制，特别是涉及一种多晶硅还原炉电源的电压控制方法、装置、计算机设备、计算机可读存储介质和计算机程序产品。

背景技术：

1、现在的多晶硅生产作业通常采用多晶硅还原炉对多晶硅施加电流电压来实现多晶硅的还原生长。在多晶硅的生长过程中，多晶硅的阻值变化十分明显。刚开始未击穿的多晶硅的电阻可能达到几兆欧姆，击穿后一开始是一百多欧姆，然后随着加热，在1周时间内缓慢减少到1-2欧姆。在如此长时间的过程中要保证多晶硅还原生长过程中电压电流的连续以及稳定，需要多晶硅还原炉电源根据不同生长过程的多晶硅，持续稳定的输出电压。

2、现在通常使用单一的控制电路，工作人员根据历史生产经验对控制电路进行手动调节或是以单一控制的电压持续整个多晶硅的生长过程。多晶硅还原炉电源无法自动根据多晶硅的生长过程输出对应的电压，对不同生长过程的多晶硅提供的电压不够准确可靠。

技术实现思路

1、基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种能够对不同生长过程的多晶硅供给准确电压的多晶硅还原炉电源的电压控制方法、装置、计算机设备、计算机可读存储介质和计算机程序产品。

2、第一方面，本技术提供了一种多晶硅还原炉电源的电压控制方法，所述方法包括：

3、根据多晶硅还原炉电源当前所处阶段确定对应的初始电流；

4、获取多晶硅的测量数据，根据所述初始电流和所述多晶硅的测量数据计算电压偏差值；

5、根据所述电压偏差值和所述多晶硅的测量数据得到预期电压；

6、根据所述多晶硅还原炉电源的工作模式和所述预期电压得到目标电压；

7、根据所述目标电压对所述多晶硅还原炉电源进行电压控制。

8、在其中一个实施例中，所述获取多晶硅的测量数据，根据所述初始电流和所述多晶硅的测量数据计算电压偏差值，包括：

9、获取多晶硅的测量数据，根据所述多晶硅的测量数据得到所述多晶硅的实时电阻；

10、根据所述多晶硅的实时电阻和所述初始电流得到等效初始电压；

11、根据所述等效初始电压和所述多晶硅的测量数据得到电压偏差值。

12、在其中一个实施例中，所述多晶硅的测量数据包括多晶硅的实时电流和多晶硅的实时电压，所述获取多晶硅的测量数据，根据所述多晶硅的测量数据得到所述多晶硅的实时电阻，包括：

13、获取多晶硅的实时电流和多晶硅的实时电压，根据所述多晶硅的实时电流和多晶硅的实时电压得到所述多晶硅的实时电阻；

14、所述根据所述等效初始电压和所述多晶硅的测量数据得到电压偏差值，包括：

15、根据所述等效初始电压和所述多晶硅的实时电压得到电压偏差值。

16、在其中一个实施例中，所述根据所述电压偏差值和所述多晶硅的测量数据得到预期电压，包括：

17、根据所述多晶硅的测量数据和预设电流阈值得到调节参数；

18、根据所述电压偏差值和所述调节参数得到预期电压。

19、在其中一个实施例中，所述根据所述多晶硅还原炉电源的工作模式和所述预期电压得到目标电压之前，还包括：

20、根据所述多晶硅的测量数据得到所述多晶硅的实时电阻；

21、根据所述多晶硅的实时电阻和所述初始电流得到等效初始电压；

22、根据所述等效初始电压和各预设电压阈值，确定所述多晶硅还原炉电源的工作模式。

23、在其中一个实施例中，所述工作模式包括单层运行模式、叠层运行模式和限幅运行模式，所述根据所述多晶硅还原炉电源的工作模式和所述预期电压得到目标电压，包括以下任一项：

24、第一项，

25、当所述工作模式为单层运行模式时，根据所述预期电压和第一对应关系得到目标电压；

26、第二项，

27、当所述工作模式为叠层运行模式时，根据所述预期电压和第二对应关系得到目标电压；

28、第三项，

29、当所述工作模式为限幅运行模式时，根据预设幅值对所述预期电压进行限幅后，得到目标电压。

30、在其中一个实施例中，所述根据多晶硅还原炉电源当前所处阶段确定对应的初始电流，包括：

31、获取历史数据包；所述历史数据包包括多晶硅还原炉电源的历史初始电流；

32、从所述历史初始电流中，选取与多晶硅还原炉电源当前所处阶段对应的初始电流。

33、第二方面，本技术还提供了一种多晶硅还原炉电源的电压控制装置，所述装置包括：

34、初始输出模块，用于根据多晶硅还原炉电源当前所处阶段确定对应的初始电流；

35、偏差计算模块，用于获取多晶硅的测量数据，根据所述初始电流和所述多晶硅的测量数据计算电压偏差值；

36、调节模块，用于根据所述电压偏差值和所述多晶硅的测量数据得到预期电压；

37、调理输出模块，用于根据所述多晶硅还原炉电源的工作模式和所述预期电压得到目标电压；

38、控制模块，用于根据所述目标电压对所述多晶硅还原炉电源进行电压控制。

39、第三方面，本技术还提供了一种计算机设备。所述计算机设备包括存储器和处理器，所述存储器存储有计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现以下步骤：

40、根据多晶硅还原炉电源当前所处阶段确定对应的初始电流；

41、获取多晶硅的测量数据，根据所述初始电流和所述多晶硅的测量数据计算电压偏差值；

42、根据所述电压偏差值和所述多晶硅的测量数据得到预期电压；

43、根据所述多晶硅还原炉电源的工作模式和所述预期电压得到目标电压；

44、根据所述目标电压对所述多晶硅还原炉电源进行电压控制。

45、第四方面，本技术还提供了一种计算机可读存储介质。所述计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现以下步骤：

46、根据多晶硅还原炉电源当前所处阶段确定对应的初始电流；

47、获取多晶硅的测量数据，根据所述初始电流和所述多晶硅的测量数据计算电压偏差值；

48、根据所述电压偏差值和所述多晶硅的测量数据得到预期电压；

49、根据所述多晶硅还原炉电源的工作模式和所述预期电压得到目标电压；

50、根据所述目标电压对所述多晶硅还原炉电源进行电压控制。

51、第五方面，本技术还提供了一种计算机程序产品。所述计算机程序产品，包括计算机程序，该计算机程序被处理器执行时实现以下步骤：

52、根据多晶硅还原炉电源当前所处阶段确定对应的初始电流；

53、获取多晶硅的测量数据，根据所述初始电流和所述多晶硅的测量数据计算电压偏差值；

54、根据所述电压偏差值和所述多晶硅的测量数据得到预期电压；

55、根据所述多晶硅还原炉电源的工作模式和所述预期电压得到目标电压；

56、根据所述目标电压对所述多晶硅还原炉电源进行电压控制。

57、上述多晶硅还原炉电源的电压控制方法、装置、计算机设备、计算机可读存储介质和计算机程序产品，根据多晶硅还原炉电源当前所处阶段确定对应的初始电流，获取多晶硅的测量数据，根据初始电流和多晶硅的测量数据计算电压偏差值，根据电压偏差值和多晶硅的测量数据得到预期电压，根据多晶硅还原炉电源的工作模式和预期电压得到目标电压，根据目标电压对多晶硅还原炉电源进行电压控制。以多晶硅还原炉电源当前所处阶段为基础，确定初始电流，在初始电流的基础上对多晶硅进行测量，获取多晶硅的测量数据。结合初始电流、多晶硅的测量数据以及多晶硅还原炉电源的工作模式得到目标电压，根据目标电压对多晶硅还原炉电源进行电压控制。这样能够对不同生长过程的多晶硅提供对应的准确的电压。