专利名称：低电压检测系统的制作方法
技术领域：
一般地说本发明涉及低电压检测系统，更具体地说涉及具有多个电压检测电平的低电压检测系统。
背景技术：
在许多电池供电的系统中，比如便携式电子行业的系统，逻辑装置比如微处理器和微控制器在主控制器和/或功率管理单元中起着一定作用。在这种作用中，重要的是，在电池电力变得微弱或者被取下时保护逻辑装置的内部逻辑状态和易失性存储器(RAM、控制寄存器、逻辑状态等)。例如，在如今可用的微控制器中，低电压检测(LVD)电路检测何时产生低电压和使微控制器复位。可替换地，某些LVD系统允许微控制器接收除了复位之外的中断，以使软件将微控制器置于停止模式以使电流消耗最小，直到电池电压恢复。然而，在这些系统中，虽然处于停止模式中，仍然可能接收中断(比如来自键盘输入)，造成微控制器在电池恢复之前被再次启动并使电池消耗，由此造成数据丢失。因此，需要提供一种LVD系统，这种系统保护逻辑装置的内部逻辑状态和易失性存储器，同时允许从电力微弱的或被取下的电池状态中安全恢复。此外，为了降低成本，需要提供一种使用具有最少数量的引线的逻辑装置的系统。
通过举例和非限制性
本发明，在附图中相同的参考标号表示类似的元件，其中；附图1所示为根据本发明的一种实施例的数据处理系统的方块图；附图2所示为根据本发明的一种实施例的进入和退出安全状态的方法的附图；附图3-5所示为对应于在附图1内的数据处理系统内的各种单元的真值表；附图6所示为在附图1的数据处理系统内的低电压检测单元的一种实施例的示意图；附图7所示为在附图1的数据处理系统内的另一低电压检测单元的一种实施例的示意图；本领域普通技术人员会理解的是，为了清楚简明地说明本发明在附图中的元件没有按比例绘制。例如，在附图中的某些元件的尺寸可以相对于其它的元件放大以有助于理解本发明的实施例。
具体实施例方式
正如在此所使用，术语“总线”被用于指可用于传递一种或多种类型的信息比如数据、地址、控制或状态的多个信号或导体。在此所讨论的导体参考单个导体、多个导体、单向导体或双向导体说明或描述。然而，不同的实施例可以改变导体的实施。例如，可以使用分离的单向导体而不使用双向导体，反之亦然。此外，多个导体可以以串行或时分的方式传递多个信号的单个导体替代。同样地，传递多个信号的单个导体可以被分解为传递这些信号子组的各种不同的导体。因此，对于信号的传递，存在许多选择。
在提到使信号、状态位或类似设备译为逻辑真或逻辑假时分别使用术语“声称”和“否定”(或去声称)。如果逻辑真状态是逻辑电平1，则逻辑假状态是逻辑电平0。如果逻辑真状态是逻辑电平零，则逻辑假状态是逻辑电平1。
附图1所示为数据处理系统100的一种实施例的方块图。数据处理系统100包括逻辑装置比如带有外部电路的微处理器(MCU)102，如附图1所示。在变型的实施例中，MCU 102可以以各种微处理器、微控制器或其它类型的逻辑装置替换，其中在一种实施例中，MCU 102(或任何其它类型的逻辑装置)位于单个集成电路上。MCU 102包括中央处理单元(CPU)160、存储器158、内部设备156、输入输出(I/O)接口154、安全位寄存器134和中断处理器(IH)142，这些都与总线152双向耦合。(注意，如在此所使用，总线152包括地址、数据和控制信号。)MCU 102也包括耦合到提供电压Vbatt的电池节点109(即电源引线)的LVD1单元110。LVD1 110检测在Vbatt何时下降到第一电压电平LV1之下时，MCU 102也包括检测Vbatt何时下降到第二电压LV2之下的LVD2单元116，这里，一般地LV1大于LV2。MCU 102也可以包括耦合到电池节点109和LVD2 116以将Vreg提供给LVD2116的电压调节器114。然而，在变型实施例中，电压调节器114可以不存在，在这种情况下LVD2 116耦合到电池节点109。MCU 102也包括周期性唤醒单元(PWU)124、PWU启动单元120、LVD2启动单元128和中断处理器(IH)控制单元138。总线152将STOP模式指示器STOP 132提供给LVD2启动单元128和PWU启动单元120。LVD1 110将信号LV1_Detect 112提供给PWU启动单元120和IH控制单元138。PWU启动单元120将信号PWU_en 122提供给PWU 124，以及PWU 124将信号Wakeup 126提供给LVD2启动单元128。LVD2启动单元128将信号LVD2_en 130提供给LVD2 116和电压调节器114(如果存在的话)。安全位寄存器134将信号safe 136提供给PWU启动单元120和IH控制单元138。中断处理器142从LVD2 116接收信号safe 136、从IH控制单元138接收信号IH_块140、通过总线152接收内部中断以及通过双向导体148接收外部中断144。
数据处理系统100的外部电路包括可连接到电池节点109、电荷元件104和外部设备166的电池106。注意，所示的电荷元件104在附图1中所示电容器(因此，被称为电容器104或者功率存储电容器104)。然而，注意，电池106可以以通过充电电路可充电的可充电电池替换(因此它替换电容器104)。此外，电池106可以以任何适当的电源替换。如附图1所述，电池106的第一端子和电容器104的第一端子耦合到电池节点109。电池106的第二端子和电容器104的第二端子耦合到地端。还应该注意，虽然在附图1中没有示出，在MCU 102内所示的每个单元耦合到电池节点109或者电压调节器114的输出(如果存在的话)。I/O接口154双向地耦合到外部设备166。注意，外部设备166可以包括各种各样的外设，比如键盘、显示器和其它的处理器等。
在操作中，电容器104从电池节点109中滤去噪声并在电池106连接到节点109时提高对高频散射的散射保护。在电池106被取下时，电容器30给电池节点109提供足够的电压以维持在MCU 102内的RAM存储器、控制寄存器、逻辑状态等在低功率状态下延长的时间周期。此外，注意，在所示的实施例中，单个电压电源引线(电池节点109)用于给MCU 102输送功率并用于检测由电力微弱的或被取下的电池引起的低电压状态，如下文更详细地描述。
I/O接口154、内部设备156、存储器158和CPU 160如本领域公知地操作并在下文更详细地讨论。即，仅讨论与在此所描述的低电压检测系统相关的这些单元中的每个单元的一些方面。下文参考附图2-7更详细地讨论MCU 102(包括LVD1 110、LVD2 116、电压调节器114、PWU启动单元120、PWU 124、LVD2启动单元128、安全位寄存器134、IH控制单元138、中断处理器142和CPU 160)的低电压检测系统的操作。
在一种实施例中，MCU 102通常能够在运行或停止模式下操作，只要Vbatt保持在MCU 102的最小操作电压Vmin之上。在运行模式下，MCU 102能够执行指令，而停止模式是MCU 102不能够执行指令的低功率模式。MCU 102能够从运行模式通过执行停止指令进入停止模式。MCU 102能够响应外部中断144或者内部中断146退出停止模式并进入运行模式。然而，外部中断可以包括键盘中断，以使用户可以通过按压按键唤醒MCU 102。然而，如果MCU 102从停止模式过渡到运行模式同时Vbatt低于Vmin，则MCU 102的操作可能有问题，因为它将运行在它的最小操作电压之下，即操作在它的指定操作范围之外。因此，在一种实施例中，在Vbatt下降到Vmin之下(由于电力微弱的或被取下的电池引起)时，MCU 102进入安全状态，在这种状态下MCU 102禁止承认外部或内部中断。只有在Vbatt上升到安全操作电压之上(由于电力微弱的或被取下的电池的更换引起或者由于电池的再充电引起)，才退出安全状态，以使MCU 102可以恢复正常操作，其中MCU 102不再被禁止承认中断。在这一点上，MCU 102可以安全地返回到运行模式。
在一种实施例中，MCU 102的低电压检测系统使用第一低电压检测单元(LVD1 110)检测Vbatt何时降低到LV1之下(这里LV1对应于MCU 102的安全操作电压)。在这个实施例中，MCU 102使用第二电压检测单元(LVD2 116)检测Vbatt何时降低到LV2之下，这个LV2一般在LV1之下但高于Vmin。如上文所描述，一旦Vbatt降低LV2之下，MCU 102被置于安全状态，在这种状态下MCU 102不再能够再进入运行模式，并且被禁止承认任何外部或内部中断，直到Vbatt上升到LV1之上。在所示的实施例中，LVD1 110是低功耗电压、检测电路，它在MCU 102的所有的正常模式下操作，包括运行和停止模式两者。然而，由于LVD1 110被设计成消耗最小的功率(它的实例将在下文参考附图6讨论)，LVD1 110不足够精确到确保MCU 102仍然保持在Vmin之上，同时确保了最大的电池寿命。虽然LVD2 116被设计成提供精确的低电压指示；然而，LVD2 116为此拉出更大的电流。因此，在Vbatt大约是LV1(由低功耗引起的不精确性引起的)时，LVD1 110提供了指示器(即声称LV1_Detect 112)，以及在Vbatt达到LV2时LVD2 116提供了中断(即声称LV2_interrupt 118)。注意，在当前的实施例中，LVD2 116总是在运行模式中启动。然而，由于LVD2116消耗了更多的功率，因此在MCU 102处于停止模式的同时，理想的是不允许LVD2 116启动。即，与总是启动的LVD1 110不同的是，在MCU 102处于停止模式的同时，LVD2 116根据需要有选择性地启动。
注意，在上文的描述以及在下文的描述中，LVD2 116监测Vbatt以检测Vbatt何时低于LV2。即假设在MCU 102中不存在可选择的电压调节器114(即，LVD2 116直接接收Vbatt而不是Vreg)。然而，注意如MCU 102所示，如果存在电压调节器114，则LVD2 116(耦合到电压调节器114)接收Vreg，因此可以实际地检测Vreg何时低于LV2。因此，在本实施例中，用于LV2的实际值可以基于通过电压调节器114感测的电压降调节。不管是否监测Vreg或者Vbatt，在Vbatt下降到第二阈值LV2之下时，LVD2 116仍然提供LV2_interrupt 118。此外，注意，在Vbatt接近在LV2附近的电压电平时，在电压调节器114上的电压降降低到Vbatt大致与Vreg相同。因此，为了这里解释的方便，下文的描述参考LVD2监测Vbatt而不是Vreg，但本领域普通技术人员可以理解的是监测Vreg可以实现相同的结果。
附图2所示为根据本发明的第一实施例的进入和退出安全状态的方法的附图。在Vbatt开始下降时，由于电力微弱的或被取下的电池(这里Vbatt通过电容器104提供)的缘故，LVD1 110检测Vbatt何时达到大约LV1，这在附图2中以点180示出。一旦达到点180，如果MCU 102正在停止模式下操作，则LVD2 116周期性地启动以提供精确的低电压检测。
例如，返回到附图1，PWU启动单元120基于LV1_Detect 112、safe 136和STOP 132使PWU 124启动。即，在LV1_Detect 112、safe 136和STOP 132的值如附图5的真值表所示时，PWU启动单元120声称PWU_en 122(以启动PWU 124)。即，如附图5所示，仅在声称LV1_Detect 112、声称STOP 132和不声称safe 136时，声称PWU_en122。即，在LVD1 110检测到Vbatt在LV1之下时(因此声称LV1_Detect112)，MCU 102处于停止模式(声称STOP 132)，并且MCU 102不处于安全状态(不声称safe 136)，启动PWU 124。注意，在LV1_Detect112、safe 136和STOP 132的值的所有的其它的组合上，不声称PWU_en122以便不启动PWU 124。
PWU 124提供wakeup 126给LVD2启动单元128。在一种实施例中，wakeup 126是用于通过LVD2启动128周期性地启动LVD2 116的周期脉冲。即，LVD2启动单元128接收wakeup 126和STOP 132并将LVD2_en 130提供给LVD2 116(以及电压调节器114，如果存在的话)。在声称LVD2_en 130时，LVD2 116启动并监测Vbatt以确定Vbatt是高于还是低于LV2。(可替换地，如上文所述，如果存在电压调节器114，LVD2 116可以监测Vreg，在这种情况下它可以大致等于Vbatt以确定Vbatt是高于还是低于LV2)。LVD2启动单元128根据在附图4中所示的真值表操作。因此，在运行模式中时(在不声称STOP132时)，声称LVD2_en 130，因此启动LVD2 116。然而，在停止模式时(声称STOP 132)，在声称wakeup 126时，仅声称LVD2_en 130。这样，在停止模式过程中和在Vbatt处于LV1和LV2之间时，LVD2 116通过wakeup 126周期性地启动以便消耗最小的功率。
返回到附图2的曲线图，随着Vbatt继续下降，由于电力微弱的电池或被取下的电池的缘故，LVD2 116监测Vbatt何时达到LV2，LV2在附图2中通过点182示出。注意，如果MCU 102在停止模式下操作，则LVD2 116检测在通过wakeup 126确定的一个周期时间内达到LV2的Vbatt。然而，如果MCU 102在运行模式下操作，则LVD2 116总是启动(即，在去声称STOP 132时，总是声称LVD2_en 130，而与wakeup 126无关)，并且检测达到LV2的Vbatt。如上文所述，LVD2116更精确地检测除了LVD1 110检测到达LV1的Vbatt之外Vbatt何时到达LV2。一旦达到LV2，LVD2 116声称LV2_interrupt 118。注意，在一种实施例中，LV2_interrupt 118指定最高的优先级以确保它立即通过中断处理器142承认。因此，在这个实施例中，一旦声称LV2_interrupt 118，则中断处理器142允许CPU 160服务于待定的LVD2116中断。用于服务LVD2 116中断的中断服务程序可以包含指令以允许MCU 102安全地关闭。例如，中断服务程序可以将任何所需的信息(包括状态信息)保存进存储器158，并且可以将信号保存到外部设备166等中。
由于MCU 102现在正在Vmin附近操作(即Vbatt正接近Vmin的地方)，因此MCU 102应该在Vmin之前或者到达它时置于安全状态。在一种实施例中，中断服务程序可以包括将安全位寄存器134设定到1以指示已经进入安全状态的指令。注意，在安全位寄存器134被设置时，声称safe 136以禁止中断处理器142承认待定的或将来的中断。例如，参考附图1，IH控制单元138控制中断处理器142对外部和内部中断的响应。IH控制单元138接收LV1_Detect 112和safe 136并有选择性地声称如通过附图3的真值表所示的IH_block 140。例如，在声称LV1_Detect 112和safe 136两者时，IH控制单元138仅声称IH_block 140。在声称IH_block 140时，禁止或阻止中断处理器142承认来自外部中断144或内部中断146的中断。因此，在一个实施例中，每个中断具有在外部中断144或内部中断146内的对应的中断信号。每个中断信号可以通过运行每个中断信号和IH_block 140通过IH_block 140单独阻止进入AND门。可替换地，其它的启动或门电路可用于禁止输入到中断处理器142。在一种变型实施例中，IH_block 140可用于使中断处理器142的全部或一部分停止以实现中断的阻止或禁止。在再一实施例中，IH_block 140可通过中断处理器142的输出选通以实现中断的阻止或禁止。
注意，在一种变型实施例中，safe 136可以以不同的方式实施。例如，响应LVD2 116检测达到LV2的Vbatt(在某些实施例中，Vreg)，可以自动地声称safe 136(而不是通过中断服务程序)。还要注意，安全位寄存器134可以认为在MCU 102内的任何地方。
返回到附图2，MCU 102保持在安全状态，直到Vbatt再次上升到LV1之上。即，在插入新的电池时，或者在对当前的电池进行再充电时，Vbatt再次上升到LV1之上，在这个点上安全状态退出并且安全位寄存器134复位到0，因此去声称safe 136。因此MCU 102再次能够承认中断，并且能够安全地退出停止模式并返回到运行模式。可替换地，一旦Vbatt上升到LV1之上，安全位寄存器134不复位。在这个实施例中，在唤醒MCU 102之后或某些点上，安全位寄存器可以被用户清除。
在本发明的一种实施例中，LVD1 110也可用于检测Vbatt何时下降到小于Vmin的通电复位电压(VPOR)(如附图2所示)。在Vbatt达到VPOR时，通常RAM和内部逻辑状态完全或部分被破坏。如果在更换或对电池充电之前Vbatt达到VPOR，则由于数据破坏，一旦更换电池或对电池充电，则需要初始化MCU 102。还要注意，在某些实施例中，复位中断或通电复位中断可能具有比上文描述的LVD2 116中断更高的优先级。
附图6所示为可用于附图1的LVD1 110的LVD电路200的一种实施例的示意图。LVD电路200包括比较器212、晶体管208，204和206和电流源202和210。电流源202具有耦合到Vbatt的第一端子和耦合到比较器212的正输入(Vref)和晶体管204的第一电流电极的第二端子。电流源202给比较器212的正输入和晶体管204的第一电流电极提供电流Iref。晶体管204的第二电流电极耦合到晶体管204的控制电极和晶体管206的第一电流电极。晶体管206的控制电极和晶体管206的第二电流电极彼此耦合，并耦合到电流源210的第二端子和地接点。晶体管208的第一电流电极耦合到Vbatt和控制电极，晶体管208的第二控制电极耦合到比较器212的负输入(Vcomp)和电流源210的第一端子。电流源210提供电流Icomp。比较器212的输出提供LV1_Detect 112。注意，在所示的实施例中，晶体管204和208是p-型MOSFET晶体管，晶体管206是双极性晶体管。然而，在变型实施例中，也可以使用其它类型的晶体管，不同的电路结构可用于提供LV1_Detect 112。
在操作中，电流源202用于对晶体管206和204偏压以产生参考电压Vref。Vref的值等于晶体管206的基极到发射极电压(Vbe)和晶体管204的阈值电压(Vtp)之和。电流源210用于对晶体管208偏压以产生等于Vbatt减去晶体管208的阈值电压(Vtp)的Vcomp。通过比较器212监测Vcomp和Vref的关系。在Vcomp高于Vref时，比较器212的输出较低(在本实施例中去声称)。只要Vbatt下降得足够低以使Vcomp变得小于或等于Vref，则比较器输出从低切换到高，指示低电压状态的检测。因此，在这一点上，声称LV1_Detect 112，指示Vbatt已经达到LV1。
在LVD电路200中使用的电流源202和210具有很低的电路值。由于这个原因，对于低电压检测功能，LVD电路200具有比该电路普通所需的抗噪性更低的抗噪性。然而，在一种实施例中，LVD电路200的操作仅在MCU 102处于低功率停止模式中并且所有的时钟都停止时重要。通过LVD电路200产生的参考电压Vref不会高度精确，因为在处理参数和温度方面的偏差的缘故。然而，由于这个电路不用于给MCU 102产生中断以使系统关闭，因此不要求高度精确，如上文所述。即，LVD1 110仅用于在适当的条件下启动更加精确的LVD2 116和将MCU 102保持在低功率安全状态，直到足够的电压已经外部地(通过Vbatt)恢复以允许MCU 102开始再次处理。
附图7所示为可用于附图1的LVD2 116的LVD电路300的一种实施例的示意图。LVD电路300包括带隙电路302、电阻306和304和比较器308。Vbatt(或者如果存在电压调节器114的话，Vref)耦合到带隙电路302的第一端子和电阻306的第一端子。带隙电路302的第二端子耦合到比较器308的正输入以提供Vref，带隙电路302的第三端子耦合到电阻304的第一端子和地接点。电阻306的第二端子耦合到电阻304的第二端子和比较器308的负输入。比较器308具有提供LV2_interrupt 118的输出。注意，不同的实施例可使用不同的电路结构以提供LV2_interrupt 118。
LVD电路300使用带隙参考电路(带隙电路302)以产生精确的参考电压Vref。电阻306和304形成了在Vref和地之间的分压器，这个分压器用于产生一个以便与参考值进行比较的电压。只要Vbatt(Vref)下降到足够低以使Vcomp变为等于或小于Vref，则比较器308的输出从低切换到高，指示低电压状态的检测(即，声称LV2_interrupt118)。(注意，带隙电路302可以是任何带隙电路，如本领域所公知。)带隙电路302和通过电阻306和304形成的分压器拉出比在某些应用中停止模式所能够允许的电流更大的电流。为此，在MCU 102进入低功率停止模式时LVD1 110(使用LVD电路300)停止。因此，可以理解的是，对于LVD1 110和LVD2 116可以使用不同的类型的LVD电路，其中在电流消耗和精度之间可以实现平衡。
虽然参考特定的导电型或电压极性已经描述老本发明，但是本领域普通技术人员应该理解的是导电型和电压极性可以反向。
在前述的说明书中，参考实施例已经描述了本发明。然而，本领域普通技术人员应该理解的是，在不脱离如在下面的权利要求中阐述的本发明的范围的前提下可以做出各种改进和改变。例如，方块图可以具有除了所示的方块图之外的不同的方块，并且可以具有更多或更少的方块或者不同地设置。此外，某些方块可以组合。例如，一种变型实施例可以将LVD1 110和LVD2 116的功能组合成单LVD系统，该单LVD系统在高功率和低功率模式中能够操作并且在Vbatt下降到LV1之下时提供一种指示而在Vbatt下降到LV2之下时提供另一种指示。因此，说明书和附图应该被看作说明性的而不是限制性的，所有的这种改进都希望被包括在本发明的范围内。
参考特定的实施例上文已经描述了本发明的好处、其它优点和解决问题的方案。然而，这些好处、优点、解决问题的方案和可能使任何好处、优点或方案更加明确的任何元件都不应该被解释为任何或全部权利要求的关键的、所要求的或基本的特征或元件。正如在此所使用，术语“包括”或任何其它的类似的术语都是非排他性包括，因此包括元件列表的过程、方法、物件或设备不仅仅包括这些元件，而是还可以包括除了这种过程、方法、物件或设备固有的或没有被明确地列出的其它元件。
权利要求
1.一种集成电路(100)，包括从电源接收功率的电源引线(109)；具有输出以提供指示电源引线的第一电压电平的第一电压检测信号的第一电压检测电路(110)；具有输出以提供指示电源引线的第二电压电平的第二电压检测信号的第二电压检测电路(116)；中央处理单元(160)，该中央处理单元被构造成从通过电源引线接收的功率供电；可操作地耦合到中央处理单元的中断处理器(142)，该中断处理器响应至少一个中断的一组；中断处理器控制电路(138)，用于控制中断处理器对至少一个中断的组的响应，该中断处理器控制电路响应第一电压检测信号和响应具有第一信号状态的第一信号，该第一信号状态至少指示电源引线的电压电平已经降低到如第二电压检测信号所指示的第二电压电平之下，其中在第一信号处于第一信号状态时，中断处理器控制电路启动中断处理器以在第一电压检测信号指示电源引线的电压电平高于第一电压电平时响应至少一个中断的组。
2.权利要求1所述的集成电路，其中第一信号通过中央处理单元的处理操作被设定到第一信号状态。
3.权利要求2所述的集成电路，其中第二电压检测电路的输出耦合到中断处理器，其中指示电源引线的电压电平在第二电压电平之下的第二电压检测信号产生中断；中央处理单元执行处理操作以至少响应在第二电压检测信号指示电源引线的电压电平在第二电压电平之下时产生的中断将第一信号设定到第一信号状态。
4.权利要求1所述的集成电路，其中集成电路具有低功率停止模式，其中在集成电路处于低功率停止模式时第二电压检测电路停止提供第二电压检测信号。
5.权利要求1所述的集成电路，进一步包括唤醒电路，该唤醒电路具有在至少一个集成电路处于低功率停止模式并且第一电压检测信号指示电源引线的电压电平低于第一电压电平时使第二电压检测电路提供第二电压检测信号的输出。
6.权利要求1所述的集成电路，其中中断处理器控制电路通过选通至少一个中断信号(148)进入中断处理器来控制中断处理器对至少一个中断的组的响应。
7.一种能够执行电池通电操作的系统，包括权利要求1所述的集成电路，并且进一步包括耦合到电源引线以给电源引线输送功率的电池；和通过集成电路的至少一个信号线引脚可操作地耦合到集成电路的外部设备。
8.一种集成电路，包括从电源接收功率的电源引线(109)；具有输出以提供指示电源引线的第一电压电平的第一电压检测信号的第一电压检测电路(110)；具有输出以提供指示电源引线的第二电压电平的第二电压检测信号的第二电压检测电路(116)，该第二电压电平低于第一电压电平；唤醒电路(124)，该唤醒电路具有在第一电压检测信号指示电源引线的电压电平低于第一电压电平时启动第二电压检测电路以提供第二电压检测信号的输出(126)。
9.权利要求8所述的集成电路，进一步包括中断处理器(142)，该中断处理器响应至少一个中断的一组；中断处理器控制电路(138)，用于控制中断处理器对至少一个中断的组的响应，该中断处理器控制电路响应第一电压检测信号和响应具有第一信号状态的第一信号，第一信号状态至少指示电源引线的电压电平已经降低到如第二电压检测信号所指示的第二电压电平之下，其中在第一信号处于第一信号状态时，中断处理器控制电路启动中断处理器以在第一电压检测信号指示电源引线的电压电平高于第一电压电平时响应至少一个中断的组。
10.权利要求8所述的集成电路，其中在至少第一电压检测信号指示电源引线的电压电平低于第一电压电平并且集成电路处于低功率停止模式时，唤醒电路启动第二电压检测电路以提供第二电压检测信号。
11.权利要求8所述的集成电路，其中唤醒电路是周期性唤醒电路，其中在至少第一电压检测信号指示电源引线的电压电平低于第一电压电平时，该输出提供周期性信号以启动第二电压检测电路以提供第二电压检测信号。
12.权利要求8所述的集成电路，进一步包括第一信号，该第一信号具有第一信号状态，该第一信号状态至少指示电源引线的电压电平已经降低到如通过第二电压检测信号所指示的第二电压电平之下；其中在至少第一电压检测信号指示电源引线的电压电平低于第一电压电平以及第一信号处于不同于第一信号状态的第二信号状态时，唤醒电路的输出启动第二电压检测电路以提供第二电压检测信号。
13.一种集成电路，包括从电源接收功率的电源引线(109)；中央处理单元(160)，该中央处理单元被构造成从通过电源引线接收的功率供电；电压检测系统，该电压检测系统被构造成提供电源引线的电压电平已经降低到第一电压电平之下的第一指示(118)，并且被构造成提供电源引线的电压电平已经上升到第二电压电平之上的第二指示(112)，其中第一电压电平低于第二电压电平；可操作地耦合到中央处理单元的中断处理器(142)，该中断处理器响应至少一个中断的一组；中断处理器控制电路，用于控制中断处理器对至少一个中断的组的响应，其中在第一信号(136)处于第一信号状态时，该第一信号状态指示电源引线的电压电平已经降低到由第一指示所指示的第一电压电平之下，该中断处理器控制电路响应第二指示启动中断处理器以响应至少一个中断的组。
全文摘要
用于逻辑装置的低电压检测(LVD)系统包括在电源引线电压(109)下降到第一电压电平之下时提供指示的第一LVD电路(110)和在电源引线电压下降到第二电压电平之下时提供中断(118)的第二LVD电路(116)。在一种实施例中，第二LVD电路比第一LVD电路消耗更多的功率，因此有选择性地启动。在一种实施例中，在电源引线电压在第一和第二电压电平之间并且逻辑装置处于停止或低功率模式时，第二LVD电路周期性地启动以检测电源引线电压。在电源引线电压降低到第二电压电平之下时，逻辑装置被置于安全状态，在这种安全状态中逻辑装置被禁止承认中断，直到电源引线电压上升到第一电压电平之上。
文档编号G06F1/30GK1695103SQ03825020
公开日2005年11月9日 申请日期2003年9月30日 优先权日2002年11月12日
发明者乔治·L·埃斯皮纳, 威廉·L·卢卡斯, 迈克尔·G·沃德 申请人:飞思卡尔半导体公司