专利名称：Rfid芯片的光学控制的制作方法
技术领域：
本发明一般地涉及射频识别(RFID)和更具体地涉及在RFID应用中光能和辐射的使用。
背景技术：
射频识别(RFID)设备(例如，RFID标签、RFID标记、RFID嵌体、或RFID芯片)在多种应用中得到使用。例如，出于识别和追踪目的，一般可将RFID设备与零售产品相附连， 例如，附着在零售产品的包装上，实现例如供应链管理或者电子制品防盗系统(EAS)目的。例如，通过在RFID标签或转发器中存储数据，RFID设备可提供自动识别功能。通过使用发送射频(RF)信号以激活RFID设备的RFID读出器，可远程检索数据。一般地，RFID 设备通过响应RF信号起作用可为RFID设备供电以及与RFID设备交换信息。RFID的若干潜在应用，以及其它操作例如制造和测试设备，可依赖于抑制通过RF信号激活的RFID芯片灵敏度。例如，与RFID设备制造相关的一个挑战是以大量和成本有效方式测试RFID设备。 在制造过程中，当彼此靠近布置时(例如，RFID设备作为嵌体布置在一卷带或者一张标签上，也称为共用载片(common carrier web))，可测试RFID设备，其中每个RFID设备的天线安装在共用载片上且其集成线路安装在天线上。一些设备的选择性抑制激活可提高测试的准确性。结果，需要用于控制RFID设备激活的系统和方法。发明简述在一种实施方式中，射频识别(RFID)系统包括RFID芯片和布置在RFID芯片附近的光活性材料。光活性材料以光频辐射的形式为RFID芯片提供能量，其增强RFID芯片对读出信号的灵敏度。在另一种实施方式中，射频识别(RFID)系统包括RFID芯片，其具有抛光的背面和照射抛光背面的红外(IR)光，其根据红外光的强度增强或者抑制RFID的读取速度。 在又一种实施方式中，用于控制RFID设备运行的方法包括发送射频(RF)读出器场(reader field)到多个RFID设备，读出器场低于RFID设备的运行阈值(operational threshold)并光学地照射多个RFID设备的所选一个，以便所选的RFID设备变为运行的并且与读出器通讯。在又一种实施方式中，射频识别(RFID)的方法包括经由RFID设备的RFID芯片附近的光活性材料产生影响RFID设备运行的波长的光能；和在由光活性材料通过发送RF信号至RFID设备产生的条件下读取RFID芯片。
本发明的范围由权利要求限定，所述权利要求通过引用并入本部分。通过考虑下列一种或者多种实施方式的详细描述，对于本发明实施方式的更全面的理解和其另外优点的实现将提供给本领域技术人员。将参考附图页，首先简单描述附图。 附图简述
图1是图解了根据本发明实施方式的射频识别(RFID)系统的系统结构图。图2是图解了根据本发明实施方式的RFID设备的透视图。图3是图解了根据本发明另一种实施方式的RFID设备的透视图。图4是图解了根据本发明实施方式的RFID系统的透视图。图5是结合根据本发明实施方式的RFID系统使用光学照射的方法的流程图。通过参考下面的详细描述，本发明实施方式及其优点将被最好地理解。应当理解使用相同的参看数字标识一张或者多张图中图解的相同元件。发明详述本发明实施方式提供了用于控制射频识别(RFID)设备激活的系统和方法，实现 RFID各种应用，例如化学和生物学远程感测、定位和发现物体、电子制品防盗系统(EAS)、 用于制造的RFID产品测试、和例如通过弥补常规系统对于某些光辐射波长的灵敏度增强常规RFID系统的性能。例如，根据一些实施方式，利用光辐射——例如红外(IR)光——控制RFID芯片的激活，可实现激活或者去激活多个紧密相邻芯片中的一个芯片的精确定位， 使若干应用例如精确的RFID芯片测试能够实现。同样例如，根据一些实施方式，光化学反应性或者光化学灵敏性材料可涂敷在RFID芯片上，或用别的方法与RFID芯片附连，以使 RFID能够感测例如化学品、生物材料、光或者其它现象。同样，例如，根据一些实施方式，与 RFID芯片附连的光化学反应性材料可用于增强RFID设备的灵敏度——无论何种原因，该 RFID设备可能避开(obscure)其RFID读出器。例如，这种材料可用于增加能量并因此增加 RFID标签的灵敏度——该RFID标签对其RFID读出器隐蔽，试图逃过EAS系统。根据各种实施方式的另外的实例在下面进一步描述。图1图解了根据本公开一种实施方式的RFID系统100。RFID系统100可包括若干RFID设备102——例如，RFID标签、标记、嵌体或者转发器——分别附着在若干物体104 上。物体104可以是RFID技术应用可有用地应用的各种物品，例如零售产品、标记嵌体阵列或者卷、图书馆中的书、生物实验室的小瓶、或者收费公路上的车。RFID系统100可包括 RFID读出器106，其通过对RFID设备102发送射频(RF)信号107和从RFID设备102接收 RF信号109，可与RFID设备102通讯并控制RFID设备102。RF信号109可例如采取反向散射辐射的形式。RF信号107可包含电磁场，称为读出器场，其可照射或者辐射RFID设备 102。RFID设备102还可通过光学照射源或者光源110被光学照射(即，使用可以在电磁辐射谱的红外到紫外区域的光)。光源Iio可包含例如激光或者发光二极管(LED)，并且可以提供红外辐射即波长大于大约800纳米(nm)的光形式的光学照射111。RFID芯片(例如，RFID芯片202，见图2)在影响芯片的运行，例如增强或者抑制芯片对RF信号107的灵敏度方面，对于波长950nm的红外光——其恰巧是例如在远程控制中常用的波长——尤其灵敏。在一些实施方式中，光源110还可包含例如太阳或者人工室内照明，且照射111可包含自然太阳光、荧光、或者其它人造光。
在一些可选择实施方式中，光源110可包含例如光化学光源，并且照射111可由化学发光提供。例如，光源110可包含荧光棒，其可在塑料管中含有彼此分离的两种化学溶液，例如，与在塑料管里面的玻璃小瓶内的过氧化氢溶液分离的草酸二苯酯和荧光染料溶液。通过打开小瓶并将该过氧化物与草酸二苯酯混合，过氧化氢可氧化草酸二苯酯，产生苯酚和不稳定的过氧酸酯。过氧酸酯可分解，产生另外的苯酚和环状过氧化合物，其可分解为二氧化碳，释放激发荧光染料的能量，然后，荧光染料通过释放光子去激，光子波长一发射光的颜色一取决于染料的结构。 图2图解了根据本发明实施方式的RFID设备102。RFID设备102可包含RFID芯片202。RFID芯片202可通过例如设备导线204与天线206连接。RFID芯片202和天线 206可安置在载片208的一部分以形成RFID嵌体。该嵌体还可包含粘性背材210，在这种情况下RFID设备102可称为“湿嵌体(wet inlay) ”。RFID设备102还可包含布置在RFID芯片202的背面211上或附近的材料212。例如，芯片202的背面211可描述为远离芯片图案(pattern)的芯片衬底面。例如，材料212 可涂敷在背面211上，粘附在或者用其它方法附着在背面211上，或者机械地固定于适当的位置，例如，被载片208支撑。就材料212可发射在光谱的视觉部分内的光能的意义而言， 材料212可以是例如光活性材料。光活性材料212发射的光能例如通过增加芯片的RF灵敏度和能量输出水平可影响RFID芯片202的运行。在一种实施方式中，背面211可被抛光以改善RFID芯片202对接收自光活性材料211的能量的灵敏度。光活性材料212可以是化学发光的材料，例如如上所述的，其由于化学反应发射光能。光活性材料212还可以是例如响应于与流体(例如，气体或者液体)的接触发射光能的材料。在另一种实例中，光活性材料212可以是荧光材料，其曝光后持续发射光能一段时间，即对曝光响应。这种实施方式可用于电子制品防盗系统(EAS)。例如，环境商店照明或者货架照明可将能量泵浦入可涂敷在RFID芯片202上的荧光光活性材料212。接着，对于在标签从货架取走和通常隐蔽(即，避开光)之后的几分钟时期，荧光光活性材料212的光输出可给RFID芯片202提供额外的能量，这增加了包含RFID芯片202的RFID标签被探测的可能性。在另一种实施方式中，RFID芯片202可具有光伏能力，其可用来自入射照射如商店照明给储能电容器充电以给RFID芯片202额外的能量以提高其被读出的灵敏度，这增加其被探测的可能性。在另一种实例中，光活性材料212可以是具有受环境因素例如温度、湿度、或者暴露于一些化学品的时长影响的可变光吸收的材料。RFID设备102的这种构造是有用的，例如作为温度或者其它环境条件传感器，因为例如，通过系统100，根据在没有外部光学照射 (没有光源110提供的照射)情况下读出的(例如，通过RFID读出器106)和有外部光照射(例如，具有光源110提供的一些预定强度水平的照射)情况下读出的RFID芯片202性能之间的差异，可确定环境因素的感测值。在类似的实施方式中，光活性材料212在受环境因素影响时可显示吸收频率的改变。在这种实施方式中，RFID设备102可类似地用作通过根据光活性材料212的照射频率读出RFID芯片202的性能差异的环境检测器，例如，当读出RFID芯片202时(例如，用RFID读出器106)使用扫频光源(例如光源110)照射光活性材料212。图3图解了根据本发明另一种实施方式的RFID设备102。RFID设备102可包含安置在载片208上的RFID芯片202，其中光活性材料212被施加(例如，印刷或者涂敷)在载片208的一个或者多个表面上，例如，在如图3中所示的底面上。例如，光活性材料212 可包含涂敷在载片208上的粘合剂或者印刷在由RFID设备102和载片208形成的嵌体的一面或者其它面上的油墨。在这种实施方式中，就抑制RFID芯片对被读出的响应而言，光活性材料212 (例如，嵌体粘合剂、油墨、或者其它物质)可包括特定的有机化学品以吸收对于RFID芯片202灵敏的波长的光。在一种实施方式中，光活性材料212 (例如，油墨或者粘合剂)可设计具有特定能力以阻止RFID芯片202对其响应的波长的光，以便例如，可制成当暴露于明亮的、宽频光学照射如太阳光时不会遭遇性能降低的标记。
如图3中所示，RFID设备102可被定位以便更容易地容纳来自光源110的照射， 所述光源110可以是例如红外LED。例如，950nm且高于一定强度水平辐射(例如，通过消耗50mA电流的LED提供的)的红外光可抑制来自RFID芯片202的响应，而950nm且低于某一强度水平辐射(例如，通过消耗IOmA电流的LED提供的)的红外光可增强来自RFID 芯片202的响应。因此，为了增强RFID芯片202的响应，从在低于预定电流水平运行的LED 光源110以如此波长辐射IR光111，该波长从没有IR照射的读取速度提高RFID芯片202 的读取速度。读取速度，例如在给定的时间段内RFID芯片能被读出器读出的次数，可用作 RFID芯片性能的量度——读取速度越快，RFID芯片的性能，或者被读出的灵敏度越好。为了提高光学照射对性能的有效性——无论增强或者抑制，RFID芯片202的背面211可被抛光，且RFID芯片202和光源110可被定位并定向以对背面211提供更直接的照射111，如在图3中所示。在一种实施方式中，例如扫描光学模式发光器可用于找出预先选定的RFID标签。 光源110可以是LED或者激光光源，其能以一次一个选择性地照射多个RFID设备102的模式被扫描。RFID设备102可以是例如附着在图书馆的书上或者物品上、架子上的衣服上、或者生物实验室的小瓶上的RFID标签。读出器106可以以适宜的水平运行(例如，具有较低的RF能量入射在RFID设备102上)，以便只有被照射的RFID标签，即具有增强灵敏度的标签，可做出响应并被识别。可继续扫描RFID标签，直到找出预先选定的RFID标签。另外例如，如果IR激光器用于敏化RFID标签，那么一旦发现期望的RFID标签，与IR激光器同样瞄准(aim)的额外的、可见光激光器可用于照射并为系统100的使用者精确定位期望的 RFID标签的位置。图4图解了根据本发明实施方式的RFID系统400。RFID系统400可包括RFID设备102的阵列402。尽管在图4中显示的是矩形阵列402，但是阵列402可以采用其它形式， 例如可被包装为带卷的RFID设备102带，例如，RFID嵌体的RFID设备102带。系统400 可包括一个或者多个光源110，如前所述。系统400还可包括亮/暗模式404。亮/暗模式 404可包含罩，如图4所建议的，其可控制到达阵列402的每个独立RFID设备102的光的量和强度。对于图4中图解的模式，RFID设备1021、1022、1023、和1024可被光学照射，而阵列402的其余RFID设备102未被照射。亮/暗模式404可以以各种方式实施。例如，光源110可形成阵列，其中多个光源 110的每个是单独可控的，以便亮/暗模式404可电子地改变，以便到达阵列402的每个独立RFID设备102的光的量和强度是可控的。亮/暗模式404还可以例如作为相对于阵列 402可移动的罩实施，以便到达阵列402的每个独立RFID设备102的光的量和强度是可控的。还例如，亮/暗模式404可作为可控的罩实施，例如使用液晶或者机电方式，以便到达阵列402的每个单独RFID设备102的光的量和强度是可控的。这类实施在例如RFID打印机中是有用的。 通过独立控制到达阵列402的每个RFID设备102的光，可以以多种方式利用某些波长的光(例如，950nm)对RFID芯片(例如，RFID设备102的RFID芯片202)的性能增强效果——例如在制作过程中测试或者打印阵列或带卷的独立RFID芯片。例如，照射111的入射光能可为RFID芯片202提供额外的能量源，这允许它以较低的入射RF能运行。因此， 阵列402的所有RFID设备102可被低于它们运行极限(例如，低于没有光学照射RFID芯片202将运行的阈值)的RF读出器场(例如，来自RFID读出器106的信号107)照射，以便仅被照射的RFID设备102能够与RFID读出器106通讯，因为被照射的RFID设备102具有通过光源110供应的补充能量。技术的变化可包括1)恒定(即，未调制的)光学照射提供部分能量，调制的RF提供部分能量和指令；2)恒定光学照射提供能量和调制的RF照射提供指令；3)调制的光学照射提供部分能量和指令，和恒定RF照射提供部分能量；4)调制的光学照射提供指令，和恒定RF照射提供能量；和5)调制的光学照射提供指令，和调制的RF照射提供能量和指令。在变化⑷中，阵列402的所有RFID设备102可接收来自高于其阈值的RF读出器场的能量，但是只有具有入射的调制光信号以提供指令的RFID设备102响应，所以不需要精确控制RF读出器场(RF照射)。另外的设计考虑因素可包括提供只在特定的光波长下的光学敏感度和在芯片表面(例如，背面211)上具有滤光器，所述滤光器阻止在错误区域的电荷产生，但是某些区域可以。在变化(5)中，光学照射(例如，光学照射111)可通过特定信号被调制，该特定信号设计来抑制RFID芯片202解码RF指令序列的能力，且光信号可被定时并与来自RF读出器106的RF信号107同步产生。通过使用来自读出器106的低调制深度RF信号，在RFID 芯片202的检测器中的信号(例如，RF信号107)可具有足够的直流(DC)能量，但是较小的并因此更容易控制的信号组分，以便光学照射111可控制RFID芯片202接收RF指令(例如，来自RF信号107)的能力。例如，系统400可使用5%深度RF信号(例如，一种逻辑状态将由100% RF能量表示，其它的由95%表示)，以便光学照射111可控制RFID芯片202 信号接收，其使用比控制向RFID芯片202提供能量所需要的更少的效力——例如现有技术的方法，其通过使用光学照射控制给RFID芯片的能量以增加芯片的漏电电流，以便增加芯片的功率阈值。例如，变化(5)在制造时可与系统400—起使用，以测试每个包含RFID芯片202的 RFID标签102的阵列402。阵列402可通过单个RFID读出器106照射，发送指令和能量至所有的RFID标签102和RFID芯片202。对于RF信号107，所有的RFID标签102可高于它们的灵敏度阈值，因为任何入射光学照射111不会造成任何RFID芯片202不能成功通电。 尽管在阵列402中的所有RFID芯片202可具有足够的RF能量以响应RFID读出器106—— 无论光学照射是否在每个芯片存在，但是光学照射111可产生造成错误的干扰信号——所述错误可以仅是例如在接收的指令中的一个信号位(bit)——以致每个光学照射的RFID 芯片202，尽管是通电的，但是不对RFID读出器106响应。因此，对于一个没有被光学照射的选择的RFID标签102 (例如，被亮/暗模式404的暗色成分所遮蔽的照射111)，仅用于选择的、没有照射的RF ID标签102的RFID芯片202可响应并被测试。进一步，尽管从阵列 402 一次选择一个RFID标签102可能对于一些应用是有用的，但是一次可以选择RFID标签 102的阵列402的任意子集，如在图4中图解的实例所建议的。在另一种实施方式中，到达阵列402的每个RFID设备102的光的性能增强或者抑制效果可使用通过打印或者其他方式附着在芯片表面(例如，背面211)的化学光源(例如，光活性材料212)被单独控制。作为对特定化学事件——例如，物质的存在或者缺失、或者抗体与生物结构的反应——的响应，从光活性材料212发射光，来自光活性材料的某些波长的光对RFID芯片的性能增强或者抑制效果也能以若干方式利用。例如，考虑100个阵列(例如阵列402)，RFID芯片202以IOX 10布置。RFID芯片202可在晶片水平结合或者可与传导墨连接成一个“大”芯片，称为芯片的连接阵列。例如，通过串联连接10个芯片的导线(现在总电容是单个芯片的1/10)并接着将所有10个芯片的10条导线并联放置(现在总电容是IOX 1/10 = 1，与单个芯片相同)。连接阵列的每个RFID芯片202可具有喷墨在表面(例如，背面211)上的不同的光活性材料212的诊断‘团迹(blob) ’，其可由于化学反应发光或者在UV光下以改变RFID芯片响应的频率发荧光。通过读出(例如，使用RFID读出器106)不同的功率电平下连接阵列(例如，RFID芯片202)的25个响应，可产生照射水平图，且照射水平可与感测结果例如化学反应的结果的指示或者在UV光下的荧光的指示相关联。在另一种实施方式中，RFID读出器106可采用近场磁技术(其与例如使用RF信号辐射的远场技术相对)，以便即使当连接的阵列在人里面时，连接的阵列能被读出，使医用一次性诊断测试元件成为可能。在另一种实施方式中，在水中或者其它地方的有害化学品可被监测，其中一次性传感器(例如，RFID芯片202的连接阵列)是有用的。在另一种实施方式中，RFID标记——其与存在的生物制剂(例如，耐甲氧西林金黄色葡萄球菌(MRSA)) 反应，可被设计应用于医院的表面(例如，门)上，以便在即使难以到达的地方的清洁和灭菌方案的有效性可使用手提式RFID读出器每天进行监测。图5图解结合根据本发明实施方式的RFID系统使用光学照射的方法。图5的方法可以在光活性材料(例如，布置在RFID芯片202附近或者附着在RFID芯片202上的光活性材料212)存在情况下，运行RFID芯片(例如，RFID芯片202、RFID设备201、或者RFID 芯片的阵列402)。在方块501处，图5的方法可光学照射芯片。例如，LED或者激光光源110可照射 RFID芯片202。光源110可以是将照射局部化为阵列例如阵列402的单个元件的扫描装置的一部分。光源110可以是人造室内照明或者商业照明，或者光源110可以是例如太阳。在方块501处，还可通过布置在RFID芯片202附近的光活性材料(例如，光活性材料212)提供光学照射。在一些实施方式中，光学照射还可通过作用于光活性材料212的外部光和通过布置在RFID芯片202附近或者与其接触的光活性材料212内部产生的光子能的联合提供。RFID芯片202的光学照射可产生光能，其波长(例如，950nm)影响RFID设备(例如， RFID设备102)的运行。在方块502处，图5的方法可在由光学照射和光活性材料产生的条件下读出RFID 芯片202。例如，RFID读出器106可发送RF信号107至芯片，可使用近场技术，且芯片可通过可包含例如反向散射辐射的信号109与读出器通讯。可选地，如上所述，调制的或者非调制的RF读出器场能和照射的光能的各种组合可用来与RFID芯片通讯。在方块503处，图5的方法可将读出RFID芯片(例如，测量读取速度或更简单地选择的芯片响应与否)的性能结果与环境因素例如光的存在或者不存在、温度、化学反应、 或者生物材料的感测值相关联。读出芯片的关联结果还可用于其它应用，例如电子制品防盗系统、发现和定位贴RFID标签的物体、和为RFID标签和嵌体的制造测试和打印多个紧密间隔的RFID设备。 上述实施方式图解但不限制本发明。也应当理解，根据本发明原则，若干修改和变化是可能的。因此，本发明的范围仅根据权利要求限定。
权利要求
1.射频识别(RFID)系统，其包含 RFID芯片，和布置在所述RFID芯片附近的光活性材料，其中所述光活性材料以光频辐射的形式为所述RFID芯片提供能量，其影响所述RFID芯片对读出器信号的灵敏度。
2.根据权利要求1所述的系统，其中所述光活性材料增强所述RFID芯片的灵敏度。
3.根据权利要求1所述的系统，其中所述光活性材料抑制所述RFID芯片的灵敏度。
4.根据权利要求1所述的系统，其中所述光活性材料布置在所述RFID芯片的背面上。
5.根据权利要求1所述的系统，其中所述光活性材料是荧光材料，其响应曝光发射光能。
6.根据权利要求1所述的系统，其中所述光活性材料是化学发光材料，其由于化学反应发射光能。
7.根据权利要求1所述的系统，其中所述光活性材料是响应与所述材料接触的流体的存在而发射光能的材料。
8.根据权利要求1所述的系统，其中所述光活性材料是具有受环境因素影响的可变光吸收的材料；和在没有外部光学照射的情况下读出的和有外部光学照射的情况下读出的RFID芯片性能之间的差异表示所述系统对所述环境因素的感测值。
9.根据权利要求1所述的系统，其中 所述RFID芯片具有被抛光的背面；和所述光活性材料被涂敷在所述RFID芯片的抛光的背面上。
10.根据权利要求1所述的系统，还包含载片，其中所述RFID芯片被包括在所述载片的湿嵌体中，所述湿嵌体包含粘合剂； 所述嵌体粘合剂包含所述光活性材料；和所述嵌体粘合剂包括特定的有机化学品以吸收在抑制RFID芯片对被读出的响应方面所述RFID芯片灵敏的波长的光。
11.射频识别(RFID)系统，其包含RFID芯片，其中所述RFID芯片的背面被抛光；和红外(IR)光，其被配置为照射该抛光的背面以根据所述顶光的强度增强或者抑制所述RFID芯片的读取速度。
12.根据权利要求11所述的RFID系统，其中，为增强所述RFID芯片的响应，所述顶光从在低于预定电流水平运行的LED以如此波长辐射，该波长从没有顶照射的读取速度提高所述RFID芯片的读取速度。
13.根据权利要求12所述的RFID系统，其中所述LED在低于大约IOmA的电流水平和大约950nm的波长下运行。
14.根据权利要求11所述的RFID系统，其中亮-暗模式用于控制照射所述RFID芯片的所述顶光的强度。
15.根据权利要求11所述的系统，其中扫描光学模式发光器用于发现预先选择的RFID 标签。
16.用于控制RFID设备运行的方法，其包括通过射频(RF)读出器场照射多个RFID设备，所述读出器场低于所述RFID设备的运行阈值；和光学照射所述多个RFID设备中所选的一个，以便所选的RFID设备变为运行的并与所述读出器通讯。
17.根据权利要求16所述的方法，其中光学照射包括提供恒定水平的照射，其为所选的RFID设备供应第一部分能量；和发送所述RF读出器场包括发送调制的RF读出器场，其为所选的RFID设备提供指令和供应第二部分能量。
18.根据权利要求16所述的方法，其中光学照射包括提供恒定水平的照射，其为所选的RFID设备供应能量；和发送所述RF读出器场包括发送调制的RF读出器场，其为所选的RFID设备提供指令。
19.根据权利要求16所述的方法，其中光学照射包括提供调制的光学照射，其为所选的RFID设备提供指令和供应第一部分能量；和发送所述RF读出器场包括发送恒定RF读出器场，其为所选的RFID设备供应第二部分能量°
20.根据权利要求16所述的方法，其中光学照射包括提供调制的光学照射，其为所选的RFID设备提供指令；和发送所述RF读出器场包括发送恒定RF读出器场，其为所选的RFID设备供应能量。
21.根据权利要求16所述的方法，其中光学照射包括为除了所选的RFID设备之外的所有多个RFID设备提供调制的光学照射，所述光学照射为所有照射的RFID设备提供特定信号；和发送所述RF读出器场包括发送调制的RF读出器场，其为所有的多个RFID设备提供指令和供应能量，其中所述光学照射的所述特定信号抑制所述调制的RF读出器场对除了所选的RFID设备之外的所有所述多个RFID设备响应。
22.根据权利要求16所述的方法，其中光学照射包括从扫描装置提供光能，并且还包括每当扫描仪定位所述多个RFID设备的一个，尝试读出该定位的RFID设备；并且选择该定位的RFID设备，其当被定位时对读出尝试响应。
23.根据权利要求16所述的方法，其中光学照射包括从布置在所述多个RFID设备的每个上的光活性材料提供光能。
24.根据权利要求16所述的方法，其中光学照射包括从布置在所述多个RFID设备的每个上的光活性材料提供光能；和所选的RFID设备通过照射所述光活性材料以激活它进行选择。
25.用于射频识别(RFID)的方法，其包括通过在RFID设备的RFID芯片附近的光活性材料，产生影响所述RFID设备运行的波长的光能；和在由光活性材料通过发送RF信号至所述RFID设备产生的条件下，读出所述RFID芯片。
26.根据权利要求25所述的方法，其中所述光活性材料是荧光材料，其存储来自环境照明的能量；在所述RFID设备避开环境照明的时间期间，所述光活性材料为所述RFID芯片提供光能，以便所述RFID设备在所述时间期间内对被读出具有较高的灵敏度。
27.根据权利要求25所述的方法，其中所述光活性材料是具有受环境因素影响的可变光吸收的材料，且还包括在没有红外照射所述光活性材料的情况下读出所述RFID芯片； 在红外照射所述光活性材料的情况下读出所述RFID芯片；和使在有和没有红外照射的情况下读出所述RFID芯片的性能差异与环境因素的感测值相关联。
全文摘要
射频识别(RFID)系统(100)，其包括RFID芯片(202)和布置在RFID芯片附近的光活性材料(212)。光活性材料(212)以光频辐射的形式为RFID芯片提供能量，其影响(例如，增强或者抑制)RFID芯片(202)的性能和其对读出信号的灵敏度。红外(IR)光(111)照射RFID芯片抛光的背面(211)，根据IR光的强度增强或者抑制RFID芯片的读取速度。用于控制RFID设备运行的方法包括通过射频(RF)读出器场照射多个(402)RFID设备(102)，读出器场低于RFID设备的运行阈值，并光学地照射多个RFID设备的所选一个，以便所选的RFID设备变为运行的并且与RFID读出器(106)通讯。
文档编号G06K19/077GK102326168SQ200980157092
公开日2012年1月18日 申请日期2009年12月7日 优先权日2008年12月19日
发明者I·J·福斯特 申请人:艾利丹尼森公司