专利名称：触控装置的制造方法
技术领域：
本发明是有关于一种触控装置的制造方法。
背景技术：
随着科技的快速发展，信息产品的功能越来越多样化，其应用面也触及了人们日 常生活各个领域。早期的信息产品多半是以键盘、鼠标之类的输入装置，作为人机沟通的界 面；但为了提供使用者更便利且更人性化的使用经验，许多信息产品逐渐采用触控装置作 为主要的输入装置。目前的触控装置通常是利用外加至或内建于显示面板中的触控面板，以达到触控 输入信息和/或操作的目的。触控面板依其触控感应原理的不同，至少可分为电容式、电阻 式、光学式与音波式等不同类型。图1绘示了一种习知触控面板的一部分的俯视图。如图1所示，习知的触控面板 160包括基板100、多个第一导电区105绝缘层130以及与多个第二导电区115。上述第一 个导电区105与第二导电区115皆配置于基板100上，其中该多个第一个导电区105彼此 透过第一导线110而电性连接；而该多个第二个导电区115彼此则是透过第二导线120而 电性连接。绝缘层130设置于第一导线110与第二导线120之间。根据习知技术，为了使第一导电区105之间存在良好的导电性，第一导线110采用 金属材料所制成。然而，由于金属材料的遮旋光性较强，使用者在检视屏幕时，往往会察觉 到这些金属导线的存在，而大大地影响了使用者观看屏幕的舒适度与满意度。因此，如何降低触控装置中金属导线的可见性，以提升触控装置的显示品质，实为 当前触控装置生产技术上亟待克服的课题。
发明内容
发明内容旨在提供本揭示内容的简化摘要，以使阅读者对本揭示内容具备基本的 理解。此发明内容并非本揭示内容的完整概述，且其用意并非在指出本发明实施例的重要 /关键元件或界定本发明的范围。本发明的一态样是有关于一种触控装置的制造方法，此一方法可有效降低触控装 置中金属导线的可见性，以提供较佳的显示品质。依据本发明一实施例，上述制造方法包含以下步骤。形成第一图案化透明导电 层于基板上；上述第一图案化透明导电层可用以形成第一导线与衬垫，其中第一图案化透 明导电层包含非晶型透明导电材料。对上述第一图案化透明导电层进行第一回火制程， 以将该非晶型透明导电材料改质为多晶透明导电材料。依序形成绝缘层与图案化半调式 (halftone)光阻于该基板与该第一图案化透明导电层上，其中该图案化半调式光阻位于该 第一导线上方。以上述图案化半调式光阻作为一蚀刻遮罩来蚀刻绝缘层，以形成图案化绝 缘层。进行电浆灰化制程，以部分移除该图案化半调式光阻并露出该图案化绝缘层的一部 分。形成透明导电层于该第一图案化透明导电层、该图案化半调式光阻与该图案化绝缘层上。移除该图案化半调式光阻以及其上的透明导电层，以使得该透明导电层形成第二图案 化透明导电层，该第二图案化透明导电层用以形成多个第一导电区、多个第二导电区与一 第二导线，其中该多个第一导电区彼此以该第一导线电性连接且该多个第二导电区彼此以 该第二导线电性连接。依据本发明一任选的实施例，上述方法还包含形成图案化保护层于该基板上以露 出该衬垫。依据本发明又一任选实施例，上述方法还包含对该第二图案化透明导电层进行第 二回火制程。依据本发明实施例，上述方法中所采用的第一图案化透明导电层或第二图案化透 明导电层分别包含一非晶型的透明导电材料，此一透明导电材料可为铟锡氧化物、铟锌氧 化物、铟锡锌氧化物、氧化铪、铝锡氧化物、铝锌氧化物、镉锡氧化物或镉锌氧化物。依据本发明实施例，上述方法中用以移除图案化半调式光阻以及其上的透明导电 层的步骤是利用剥离(lift-off)制程或研磨制程。本发明的另一态样是有关于一种触控装置的制造方法，此一方法可有效降低触控 装置中金属导线的可见性，以提供较佳的显示品质。依据本发明一实施例，上述制造方法包含以下步骤。形成第一图案化透明导电层 于基板上；上述第一图案化透明导电层用以形成一第一导线与一衬垫，其中第一图案化透 明导电层包含一非晶型透明导电材料。对该第一图案化透明导电层进行第一回火制程，以 将该非晶型透明导电材料改质为多晶透明导电材料。依序形成绝缘层与图案化光阻于该基 板与该第一图案化透明导电上，其中该图案化光阻位于该第一导线上方。以该图案化光阻 作为蚀刻遮罩来蚀刻该绝缘层，以形成图案化绝缘层。移除该图案化光阻以露出该图案化 绝缘层。形成第二图案化透明导电层于部分该第一图案化透明导电层与部分该图案化绝缘 层上，该第二图案化透明导电层用以形成多个第一导电区、多个第二导电区与一第二导线， 其中该多个第一导电区彼此以该第一导线电性连接且该多个第二导电区彼此以该第二导 线电性连接。依据本发明一任选的实施例，上述方法还包含形成图案化保护层于该基板上以露 出该衬垫。依据本发明又一任选实施例，上述方法还包含对该第二图案化透明导电层进行第 二回火制程。依据本发明实施例，上述方法中所采用的第一图案化透明导电层或第二图案化透 明导电层分别包含一非晶型的透明导电材料，此一透明导电材料可为铟锡氧化物、铟锌氧 化物、铟锡锌氧化物、氧化铪、铝锡氧化物、铝锌氧化物、镉锡氧化物或镉锌氧化物。由此可知，利用本发明所提出的技术方案来制作触控装置，至少具有下述有益效^ o首先，此处提出的技术方案利用透明导电材料来形成第一导线，因而可以避免先 前技术采用金属导线而导致使用者观看时察觉到金属导线存在的缺失。此外，以上技术方案针对用以形成第一导线的透明导电材料进行了回火制程，将 原本的非晶型透明导电材料改质为多晶透明导电材料，以进一步提升第一导线的导电性与 透光性。综上所述，此处提出的技术方案在改善显示品质之外，更兼顾了触控元件的触控灵敏度。另外，当制程中使用图案化半调式光阻时，其可作为第二透明导电层的沉积遮罩， 此一技术方案相较于习知技术更省下了一道光罩，不但降低了制程的复杂性，更可降低触 控装置的制造成本。在参阅下文实施方式后，本发明所属技术领域中的普通技术人员当可轻易了解本 发明的基本精神及其它发明目的，以及本发明所采用的技术手段与实施态样。
为让本发明的上述与其它目的、特征、优点与实施例能更明显易懂，所附附图的说 明如下图1为一种习知触控面板的一部分的俯视图；图2绘示了根据本发明一态样提出的方法所制得的触控装置的俯视图；图3A至31为制程示意图，其中所示的结构是沿着图2所示的A_A剖面线所得；图3J绘示沿着图2所示的B-B剖面线所得的结构；图4绘示了根据本发明另一态样提出的方法所制得的触控装置的俯视图；图5A至5H为制程示意图，其中所示的结构是沿着图4所示的A_A剖面线所得；以 及图51绘示沿着图4所示的B-B剖面线所得的结构。
具体实施例方式为了使本揭示内容的叙述更加详尽与完备，下文针对了本发明的实施态样与具体 实施例提出了说明性的描述；但这并非实施或运用本发明具体实施例的唯一形式。实施方 式中涵盖了多个具体实施例的特征以及用以建构与操作这些具体实施例的方法步骤与其 顺序。然而，亦可利用其它具体实施例来达成相同或均等的功能与步骤顺序。图2绘示根据本发明一态样提出的方法所制得的触控装置260的俯视图。如图2 所示，触控装置260至少包含基板200、设置于基板200上的多个第一导电区244与多个第 二导电区246，以及绝缘层220’。该多个第一导电区244彼此间透过第一导线(如图3B所 示的第一导线202’ )电性连接，而该多个第二导电区246彼此间透过第二导线242电性连 接。绝缘层220’设于基板200上并介于第一导线与第二导线242之间。应注意到，虽然图2中将第一导电区244与第二导电区246皆绘制成菱形，但本发 明不限于此。本发明所属技术领域中的普通技术人员当可视情形将上述导电区244与246 设计成其它形状，如圆形、三角形、四边形、多边型或任何其它形状。此外，第一导电区244 与第二导电区246的数目与排列关系亦不仅限于图2中所示的数目与方式。接着，请参照图3A至31的制程示意图，这一系列附图阐明了根据本发明一实施例 用以制造图2所示的触控装置260的方法，其中图3A至31为沿着图2的A-A线段所得的 剖面图。在图3A中，于基板200形成第一图案化透明导电层210，上述第一图案化透明导电 层210包含了第一导线图案202与衬垫图案204。更详细而言，可在基板200的一表面上 形成透明导电层，而后再通过适当的方法(如，微影蚀刻(photolithography-etching)制程)将该透明导电层图案化。一般来说，触控装置260的基板200是透明基板，此种透明基板的实施例包 括但不限于玻璃基板、石英基板、聚碳酸酯(polycarbonate，PC)基板、聚对苯二甲酸 乙 二酉旨(polyethylene terephthalate, PET)基板、聚甲基丙烯酸甲酉旨(polymethyl methacrylate, PMMA)基板以及纤维素三乙酸酯(cellulosetriacetate, TCA)基板。根据本发明的原理与精神，可利用非晶型透明导电材料(amorphoustransparent conductive material)来形成上述第一图案化透明导电层210。透明导电材料是目前相 关领域的研发重点之一，其种类非常繁多且不断增加，现有透明导电材料的实施例包括但 不限于铟锡氧化物(indium tin oxide，IT0)、铟锌氧化物(indium zinc oxide，IZ0)、铟 锡锌氧化物(indium-tin-zinc oxide, ITZ0)、氧化铪(hafnium oxide, HfO)、铝锡氧化物 (aluminum-doped tin oxide, AT0)、招锋氧化物(aluminum-doped zinc oxide, AZ0)、锚锡 氧化物(cadmiumtin oxide, CT0)以及镉锌氧化物(cadmium zinc oxide)，且亦可包括上 述材料的组合。之后，对第一图案化透明导电层210进行第一回火制程，即可得到经改质的第一 图案化透明导电层210’，如图3B所示。如此一来，可使得图3A所示的第一导线图案202 与衬垫图案204分别形成触控装置(如图2所示的触控装置260)的第一导线202’与衬垫 204，。更具体而言，第一回火制程能够将第一图案化透明导电层210中的非晶型透明导 电材料改质为多晶透明导电材料(poly transparent conductive material ；poly-ITO) 第一回火制程的实际参数(如热处理温度、处理时间与其它处理条件)会随着所用的非晶 型透明导电材料与所形成的厚度而异。作为例示而非限制，在本发明一实施例中，使用了非晶型铟锡氧化物(Amorphous indium tin oxide ；a-IT0)为例，透明导电材料来形成第一图案化透明导电层210，接着可 采用可在约150-300°C下进行约30至180分钟的回火处理，即可得到经改质的多晶铟锡氧 化物(poly-ITO)，来形成第一图案化透明导电层210’。本发明并不以上述材料为限，其它 的非晶型透明导电材料亦可经由上述第一回火制程以形成多晶透明导电材料。之后，如图3C与图3D所示，依序形成绝缘层220与图案化半调式光阻230于基板 200与经改质的第一图案化透明导电层210’上。更详细地说，绝缘层220覆盖于基板200 与经改质的第一图案化透明导电层210’(包括第一导线202’与衬垫204’)上(如图3C 所示)；而图案化半调式光阻230位于绝缘层220之上，且位于第一导线202’上方。可利用任何适当的材料来形成绝缘层220 ；作为例示而非限制，绝缘层220的材料 可以是氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅或者是上述材料的组合。可利用特殊的光罩设计来形成图案化半调式光阻230。更详细地说，可先于绝 缘层220上形成一光阻层(图中未示出)，而后利用光罩将此光阻层图案化并半曝光 (half-exposure)。半曝光过程中，会针对部分的光阻层(如图3D所示的半曝光区域230a) 进行半曝光，而部分移除该区域中的光阻材料。如此一来，半曝光区域230a的膜厚会小于 未曝光区域230b的膜厚，即可得到图案化的半调式光阻230。在实作中，可利用任何适当的 树脂材料来形成图案化半调式光阻230。在图3E中，利用图案化半调式光阻230作为一蚀刻遮罩来蚀刻绝缘层220，以形成图案化绝缘层220’。根据本发明一任选实施例，在此一蚀刻步骤中，可进一步侧蚀刻图案化绝缘层 220’暴露出的侧边，以使图案化绝缘层220’的侧边轮廓略微向内凹陷。接着，进行电浆灰化制程，以部分移除该图案化半调式光阻230并露出该图案化 绝缘层220’的一部分，如图3F所示。请同时参照图3D与3F，具体来说，在经过此一电浆灰化制程后，图3D所示的半曝 光区域230a实质上已被移除，而原本位于半曝光区域230a下方的图案化绝缘层(即图3F 所示的220a’)则得以露出。此外，图3D所示的未曝光区域230b则会被部分移除而形成图 3F所示的剩余的图案化半调式光阻230’。根据本发明实施例，可视实际情形选用适当的电浆灰化制程与参数。举例来说，可 利用真空电浆设备或常压电浆(atmospheric pressure plasma，APP)设备来进行此处所述 的电浆灰化制程。根据一任选实施例，可于上述电浆灰化制程之后进行一湿蚀刻制程，以进一步侧 蚀刻图案化绝缘层220’暴露出的侧边，以使图案化绝缘层220’的侧边轮廓略微向内凹陷。 在实作中，此处所述的湿蚀刻制程与上文参照图3E所述的侧蚀刻步骤可择一进行。其后，如图3G所示，形成透明导电层240于第一图案化透明导电层210’、剩余的图 案化半调式光阻230’以及图案化绝缘层220’上。上文所述用以形成第一图案化透明导电层210的材料的实施例亦可用以形成透 明导电层240，且两者所用的透明导电材料可以相同或不同。接着，移除剩余的图案化半调式光阻230’以及其上的透明导电层，以形成第二图 案化透明导电层240’。如图3H所示，第二图案化透明导电层240’可用以形成多个第一导 电区244、多个第二导电区(如图2或图3J所示的246)以及一第二导线242，其中该多个 第一导电区244彼此以第一导线202’电性连接，且该多个第二导电区(如，246)彼此以第 二导线242电性连接。应特别注意到，习知技术通常是利用微影蚀刻制程来形成第二图案化透明导电层 240’，因此必须耗费一道光罩。相较之下，本实施例利用剩余的图案化半调式光阻230’作为 沉积遮罩，因此可在不需额外光罩与蚀刻步骤的情形下，得到第二图案化透明导电层240’。 如此一来，不但省下了一道光罩、减少了制程数目，也能够降低生产成本；这也是本态样的 方法相较于习知技术的另一个优点。依据本发明任选的实施例，可利用剥离制程或研磨制程来移除剩余的图案化半调 式光阻230’以及其上的透明导电层。简言之，欲进行剥离制程时，可将基板200连同其上所形成的结构浸渍于适当的 溶剂中，由于图案化半调式光阻230’的材料可溶于此一溶剂中，因此能够轻易地剥除剩余 的图案化半调式光阻230’，并顺道移除位于其上的透明导电层。研磨制程是一种机械式(物理式)的表面处理制程，举例来说，可通过研磨的方式 来移除剩余的图案化半调式光阻230’以及其上的透明导电层。根据本发明任选的实施例，可在形成了第二图案化透明导电层240’之后，对其进 行第二回火制程，以进一步提升第一导电区244、第二导电区246与第二导线242的导电度。 相似地，本发明所属技术领域中的普通技术人员可视实际情形决定第二回火制程的适当参
另外，根据本发明任选的实施例，在形成了图3H所示的结构之后，可形成保护层 于基板200上并覆盖图3H中所示的各结构，接着可通过一光罩将其图案化而得到图31所 示的图案化保护层250，以露出衬垫204’的一部份。可利用适当的无机材料或有机材料来形成上述保护层。无机材料的实施例包 括但不限于氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、氧化铪以及氧化铝；有机材料的实施例 包括但不限于树脂类(如丙烯酸树脂)化合物、聚酰亚胺类化合物、含苯并环丁烯 (benzocyclobutene,BCB)的聚合物或是四乙氧硅烧(tetraethoxysilane,TE0S)的聚合物寸。总结来说，根据本发明此态样的一任选实施例，在图3A至31所示的制程步骤中， 共使用了三道光罩分别形成第一图案化透明导电层210’、图案化半调式光阻230与图案化 保护层250。图3J的剖面图则从另一个角度(沿着图2所示的B-B线段)来呈现图31的结构。 如图3J所示，多个第二导电区246彼此可透过第二导线242而电性连接。图4绘示根据本发明另一态样提出的方法所制得的触控装置360的俯视图。如图 4所示，触控装置360至少包含基板300、设置于基板300上的多个第一导电区344与多个 第二导电区346，以及绝缘层320’。该多个第一导电区344彼此间透过第一导线302’电性 连接，而该多个第二导电区346彼此间透过第二导线342电性连接。绝缘层320’设于基板 300上并介于第一导线302，与第二导线342之间。应注意到，虽然图4中将第一导电区344与第二导电区346皆绘制成菱形，但本发 明不限于此。本发明所属技术领域中的普通技术人员当可视情形将上述导电区344与346 设计成其它形状，如圆形、三角形、四边形、多边型或任何其它形状。此外，第一导电区344 与第二导电区346的数目与排列关系亦不仅限于图4中所示的数目与方式。接着，请参照图5A至5H的制程示意图，这一系列附图阐明了根据本发明一实施例 用以制造图4所示的触控装置360的方法，其中图5A至5H为沿着图4的A-A线段所得的 剖面图。图5A至5C所示的制程步骤与上文参照图3A至3C所示的制程步骤大致上相同， 因而上文参照图5A至5C所提出的说明与例示也同样地适用于本态样提出的制造方法；下 文为求简洁，将不再赘述。在图5A中，于基板300上形成第一图案化透明导电层310，上述第一图案化透明导 电层310包含了第一导线图案302与衬垫图案304。之后，对第一图案化透明导电层310进行第一回火制程，即可得到经改质的第一 图案化透明导电层310’，如图5B所示。如此一来，可使得图5A所示的第一导线图案302 与衬垫图案304分别形成触控装置(如图4所示的触控装置360)的第一导线302’与衬垫 304，。之后，如图5C所示，形成绝缘层320于基板300与经改质的第一图案化透明导电 层310’上。接着，在图5D中，于绝缘层320上且在第一导线302，上方形成图案化光阻330。 更详细地说，可先于绝缘层320上形成一光阻层(图中未示出)，而后利用光罩将此光阻层图案化。在实作中，可利用任何适当的树脂材料来形成图案化光阻330。 在图5E中，利用图案化光阻330作为一蚀刻遮罩来蚀刻绝缘层320，以形成图案化
绝缘层320，。其后，如图5F所示，移除图案化光阻330以露出该图案化绝缘层320’。可利用任 何适当的方法来移除图案化光阻330 ；举例来说，可利用剥除(stripping)法。习知的剥除法包括但不限于电浆剥除(plasma stripping)、臭氧剥除 (ozonestripping)与化学剥除(chemical stripping)。在图5G中，形成第二图案化透明导电层340’于部分该经改质的第一图案化透明 导电层310’以及部分该图案化绝缘层320’上。更详细而言，可在基板300的一表面上形 成透明导电层，而后再通过适当的方法(如，微影蚀刻制程)将该透明导电层图案化而得到 第二图案化透明导电层340’。第二图案化透明导电层340’可用以形成多个第一导电区344、多个第二导电区 (如图4或图51所示的346)以及第二导线342，其中该多个第一导电区344彼此以第一导 线302’电性连接，且该多个第二导电区(如，346)彼此以第二导线342电性连接。多个第一导电区、多个第二导电区与一第二导线，其中该多个第一导电区彼此以 该第一导线电性连接且该多个第二导电区彼此以该第二导线电性连接。上文所述用以形成第一图案化透明导电层210、310的材料的实施例亦可用以形 成第二图案化透明导电层340’。此外，第一图案化透明导电层310’和第二图案化透明导电 层340’的材料可以相同或不同。根据本发明任选的实施例，可在形成了第二图案化透明导电层340’之后，对其进 行第二回火制程，以进一步提升第一导电区344、第二导电区346与第二导线342的导电度。 相似地，本发明所属技术领域中的普通技术人员可视实际情形决定第二回火制程的适当参数。另外，根据本发明任选的实施例，在形成了图5G所示的结构之后，可形成保护层 于基板300上并覆盖图5G中所示的各结构，接着可通过一光罩将其图案化而得到图5H所 示的图案化保护层350，以露出衬垫304’的一部份。图5H所示的制程步骤与图31相似，因 此上文所述的保护层材料亦同样适用于此处。总结来说，根据本发明此态样的一任选实施例，在图5A至5H所示的制程步骤中， 共使用了四道光罩分别形成第一图案化透明导电层310’、图案化光阻330、第二图案化透 明导电层340’与图案化保护层350。图51的剖面图则从另一个角度(沿着图4所示的B-B线段)来呈现图5H的结构。 如图51所示，多个第二导电区346彼此可透过第二导线342而电性连接。在实际应用上，此处提出的触控装饰260或360可和常见的显示装置(如液晶显 示器、电致发光显示器或冷阴极射线管)结合，以让使用者能够直接在显示画面上进行触 控操作。举例来说，包含上述触控装置的显示装置可和一电子元件电性连接，而组合成一 光电装置。此处所述的电子元件可以是控制元件、操作元件、处理元件、输入元件、存储元 件、驱动元件、发光元件、保护元件、感测元件、侦测元件或其它功能元件；当然亦包括上述 元件的组合。
此外，此处所述的光电装置可包括任何消费性电子产品(如行动电话、摄影机、 照相机、桌上型计算机、平板计算机、笔记型计算机、游戏机、影音播放或放映设备、个人数 字行动助理、地图导航器等)以及显示设备(如屏幕、电视、户外/户内广告牌、投影机内 的面板等)。综上所述，本发明至少具有以下的优点与功效。首先，利用透明导电材料来形成第一导线，因而可以避免先前技术采用金属导线 而导致使用者观看时察觉到金属导线存在的缺失。再者，针对用以形成第一导线的透明导电材料进行了回火制程，将原本的非晶型 透明导电材料改质为多晶透明导电材料，可进一步提升第一导线的导电性。因此，本发明提 出的技术方案在改善显示品质之外，更兼顾了触控元件的触控灵敏度。另外，在本发明一态样与相关实施例中采用了图案化半调式光阻，此一技术方案 相较于习知技术更省下了一道光罩，不但降低了制程的复杂性，更可降低触控装置的制造 成本。虽然上文实施方式中揭露了本发明的具体实施例，然其并非用以限定本发明，本 发明所属技术领域中的普通技术人员，在不悖离本发明的原理与精神的情形下，当可对其 进行各种更动与修饰，因此本发明的保护范围当以附随权利要求书所界定的范围为准。
权利要求
一种触控装置的制造方法，其特征在于，至少包含以下步骤形成一第一图案化透明导电层于一基板上，该第一图案化透明导电层用以形成一第一导线与一衬垫，其中该第一图案化透明导电层包含一非晶型透明导电材料；对该第一图案化透明导电层进行一第一回火制程，以将该非晶型透明导电材料改质为一多晶透明导电材料；依序形成一绝缘层与一图案化半调式光阻于该基板与该第一图案化透明导电层上，其中该图案化半调式光阻位于该第一导线上方；以该图案化半调式光阻作为一蚀刻遮罩来蚀刻该绝缘层，以形成一图案化绝缘层；进行一电浆灰化制程，以部分移除该图案化半调式光阻并露出该图案化绝缘层的一部分；形成一透明导电层于该第一图案化透明导电层、该图案化半调式光阻与该图案化绝缘层上；以及移除该图案化半调式光阻以及其上的透明导电层，以使得该透明导电层形成一第二图案化透明导电层，该第二图案化透明导电层用以形成多个第一导电区、多个第二导电区与一第二导线，其中该多个第一导电区彼此以该第一导线电性连接且该多个第二导电区彼此以该第二导线电性连接。
2.根据权利要求1所述的触控装置的制造方法，其特征在于，还包含形成一图案化保 护层于该基板上以露出该衬垫。
3.根据权利要求1所述的触控装置的制造方法，其特征在于，还包含对该第二图案化 透明导电层进行一第二回火制程。
4.根据权利要求1所述的触控装置的制造方法，其特征在于，该第一图案化透明导电 层或该第二图案化透明导电层分别包含一材料选自由非晶型的铟锡氧化物、铟锌氧化物、 铟锡锌氧化物、氧化铪、铝锡氧化物、铝锌氧化物、镉锡氧化物与镉锌氧化物所组成的一群 组。
5.根据权利要求1所述的触控装置的制造方法，其特征在于，移除该图案化半调式光 阻以及其上的透明导电层的该步骤是利用一剥离制程或研磨制程。
6.一种触控装置的制造方法，其特征在于，至少包含以下步骤形成一第一图案化透明导电层于一基板上，该第一图案化透明导电层用以形成一第一 导线与一衬垫，其中该第一图案化透明导电层包含一非晶型透明导电材料；对该第一图案化透明导电层进行一第一回火制程，以将该非晶型透明导电材料改质为 一多晶透明导电材料；依序形成一绝缘层与一图案化光阻于该基板与该第一图案化透明导电层上，其中该图 案化光阻位于该第一导线上方；以该图案化光阻作为一蚀刻遮罩来蚀刻该绝缘层，以形成一图案化绝缘层； 移除该图案化光阻以露出该图案化绝缘层；以及形成一第二图案化透明导电层于部分该第一图案化透明导电层与部分该图案化绝缘 层上，该第二图案化透明导电层用以形成多个第一导电区、多个第二导电区与一第二导线， 其中该多个第一导电区彼此以该第一导线电性连接且该多个第二导电区彼此以该第二导 线电性连接。
7.根据权利要求6所述的触控装置的制造方法，其特征在于，还包含形成一图案化保 护层于该基板上以露出该衬垫。
8.根据权利要求6所述的触控装置的制造方法，其特征在于，还包含对该第二图案化 透明导电层进行一第二回火制程。
9.根据权利要求6所述的触控装置的制造方法，其特征在于，该第一图案化透明导电 层或该第二图案化透明导电层分别包含一材料选自由非晶型的铟锡氧化物、铟锌氧化物、 铟锡锌氧化物、氧化铪、铝锡氧化物、铝锌氧化物、镉锡氧化物与镉锌氧化物所组成的一群 组。
全文摘要
本发明提出一种触控装置的制造方法，此方法可增进触控装置中感测电极的透光性与导电性，以及减少制程步骤。在一实施例中，此方法包含以下步骤。形成第一图案化透明导电层于一基板上。对该第一图案化透明导电层进行第一回火制程。依序形成绝缘层与图案化半调式光阻于该基板与该第一图案化透明导电层上。以该图案化半调式光阻作为蚀刻遮罩来蚀刻该绝缘层，以形成图案化绝缘层。
文档编号G06F3/041GK101853101SQ20101018417
公开日2010年10月6日 申请日期2010年5月20日 优先权日2010年5月20日
发明者廖金阅, 曾贤楷, 詹立雄 申请人:友达光电股份有限公司