专利名称：集成电路装置及电子设备的制作方法
技术领域：
本发明涉及集成电路装置及电子设备等。
背景技术：
公知有通过将多个存储器堆叠并封装从而得到大存储容量的堆叠存储器方法。作 为该堆叠存储器方法的现有技术，有专利文献1所公开的技术。但是，该堆叠存储器方法，是将相同焊垫排列的存储器进行堆叠的方法，而不是例 如将进行电子光学面板的显示控制的显示控制器芯片、和图像存储器芯片进行堆叠的这 种，将焊垫排列不同的芯片进行堆叠的方法。并且，已知在以这种方式将焊垫排列不同的第1、第2的芯片进行堆叠，并将第1芯 片的焊垫和第2芯片的焊垫进行连接时，将会产生连接接线变长，或相邻焊垫之间的连接 接线短路的问题。在先技术文献专利文献专利文献1 日本特开2000-91729号公报
发明内容
发明所要解决的课题根据本发明的几种形式，能够提供一种集成电路装置及电子设备，其能够在降低 接线不良的产生等的同时进行存储器的堆叠。用于解决课题的方法本发明的一种方式涉及的集成电路装置，包括第1焊垫 第i焊垫，与被堆叠在 集成电路装置上的存储器的第1存储器焊垫 第i存储器焊垫相连接；第j焊垫 第k焊 垫，与所述存储器的第j存储器焊垫 第k存储器焊垫连接(1 < i < j < k)；至少一个焊 垫，被配置在所述第i焊垫和所述第j焊垫之间，所述至少一个焊垫为，不与所述存储器的 存储器焊垫连接，且用于与集成电路装置的外部之间进行信号的输入或输出的焊垫。根据本发明的第一方式，在集成电路装置中设置有与存储器的第1 第i存储器 焊垫相连接的第1 第i焊垫，和与第j 第k存储器焊垫相连接的第j 第k焊垫。并 且，在第i焊垫和第j焊垫之间，设置有不与存储器的存储器焊垫连接，且用于与集成电路 装置的外部之间进行信号的输入或输出的至少一个焊垫。这样设置焊垫，例如在第i存储 器焊垫和第j存储器焊垫之间的距离较远的情况下等，也能够降低连接集成电路装置的焊 垫、与堆叠在集成电路装置中的存储器的存储器焊垫的接线的接线不良的产生。此外，在本发明的另一种形式中，所述集成电路装置也可以为，具备，用于执行所 述存储器的数据的读出控制、写入控制的控制部，所述控制部在所述存储器的芯片被堆叠 到集成电路装置上的堆叠模式下，执行所述存储器的数据的读出控制、写入控制，而在所述 存储器的芯片未被堆叠到集成电路装置上的非堆叠模式下，执行外部存储器的数据的读出控制、写入控制，被配置在所述第i焊垫和所述第j焊垫之间的所述至少一个焊垫为，在所 述非堆叠模式下，用于输出或输入所述外部存储器的数据信号、地址信号及控制信号中的 至少一个信号的非堆叠模式用焊垫。。通过这种方式，在非堆叠模式下，能够通过配置在第i焊垫和所述第j焊垫之间的 至少一个焊垫，来输出或输入所述外部存储器的数据信号、地址信号及控制信号中的至少 一个信号。因此，能够提供一种可对应于堆叠模式与非堆叠模式的双方的集成电路装置。此外，在本发明的另一种形式中，也可以采用如下结构，即，所述第i存储器焊垫 和所述第j存储器焊垫之间，未配置有存储器焊垫。通过这种发式，在第i存储器焊垫和第j存储器焊垫之间存在未配置存储器焊垫 的间隙区域的情况下，也能够通过在第i焊垫和第j焊垫之间配置不与存储器焊垫连接的 焊点，从而实现降低接线不良的发生等。此外，在本发明的另一种形式中，也可以采用如下结构，S卩，在将所述第i存储器 焊垫和所述第j存储器焊垫之间的距离设为LDS，将存储器焊垫的配置间距设为LP时， LDS 彡 2LP。通过这种方式，在第i存储器焊垫和第j存储器焊垫之间的距离LDS，远离至大于 等于2LP的情况下，也能够通过在第i焊垫和第j焊垫之间配置不与存储器焊垫连接的焊 垫，从而降低接线不良的发生等。此外，在本发明的另一种形式中，也可以采用如下结构，S卩，在所述第i存储器焊 垫和所述第j存储器焊垫之间配置有电源焊垫。通过这种方式，在所述第i存储器焊垫和所述第j存储器焊垫之间配置有电源焊 垫的情况下，也能够通过在第i焊垫和第j焊垫之间配置不与存储器焊垫连接的焊垫，从而 降低接线不良的发生等。此外，在本发明的另一种形式中，也可以采用如下结构，S卩，所述第1存储器焊 垫 所述第i存储器焊垫及所述第j存储器焊垫 所述第k存储器焊垫，是包含于第1存 储器焊垫组中的存储器焊垫，或是包含于第2存储器焊垫组中的存储器焊垫，其中，所述第 1存储器焊垫组沿着所述存储器的芯片的第1芯片边而配置，而所述第2存储器焊垫组沿着 所述存储器的芯片的与所述第1芯片边对置的第3芯片边而配置；所述第1焊垫 所述第 i焊垫及所述第j焊垫 所述第k焊垫，是包含于第1焊垫组中的焊垫，或是包含于第2焊 垫组中的焊垫，其中，所述第1焊垫组沿着集成电路装置的第1边而配置，而所述第2焊垫 组沿着所述集成电路装置的与所述第1边对置的第3边而配置。通过这种方式，能够降低存储器的第1存储器焊垫组和集成电路装置的第1焊垫 组连接时的接线不良、以及存储器的第2存储器焊垫组和集成电路装置的第2焊垫组连接 时的接线不良的产生。此外，在本发明的另一种形式中，也可以采用如下结构，S卩，所述存储器是存储图 像数据的图像存储器，所述控制部根据存储在所述图像存储器中的图像数据来进行电子光 学装置的显示控制。通过这种方式，能够在降低接线不良的发生等的同时，对存储用于电子光学装置 显示控制的图像数据的图像存储器进行堆叠。此外，在本发明的另一种形式中，也可以采用如下结构，即，包含所述第1焊垫组，其被连接在所述第1存储器焊垫组上，并沿着集成电路装置的所述第1边而配置，其中， 所述第1存储器焊垫组沿着所述图像存储器的芯片的所述第1芯片边而配置；所述第2焊 垫组，其被连接在所述第2存储器焊垫组上，并沿着集成电路装置的所述第3边而配置，其 中，所述第2存储器焊垫组沿着所述图像存储器的芯片的所述第3芯片边而配置；第3焊垫 组，其沿着集成电路装置的与所述第1边及所述第3边交叉的第2边而配置，并输出所述电 子光学装置的显示控制用的数据信号及控制信号。根据本发明的另一种形式，通过使图像存储器的第1、第2存储器焊垫组连接在第 1、第2焊垫组上，从而能够与被堆叠的图像存储器之间进行图像存储器用的信号的交换。 并且，能够根据从图像存储器读出的图像数据，生成显示控制用信号，并通过第3焊垫组供 给到外部的电子光学装置中。而且，根据本发明的第一种形式，由于图像存储器被堆叠在集 成电路装置中，因此与将对应于图像存储器的存储器块配置在集成电路装置的核心区域上 的方法相比，实现了集成电路装置的小面积化。此外，用于连接在图像存储器的第1、第2存 储器焊垫组上的第1、第2焊垫组，由于沿着集成电路装置的第1、第3边而被设置，因此容 易将第1、第2存储器焊垫组和第1、第2焊垫组连接，从而能够降低接线不良的可能性等。此外在本发明的另一种形式中，也可以采用如下结构，S卩，包含主机接口用的第4 焊垫组，所述第4焊垫组沿着集成电路装置的与所述第2边对置的第4边而配置。通过这种方式，由于能够有效地利用与集成电路装置的第2边对置的第4边的空 的区域，从而配置主机接口用的第4焊垫组，因此能够有效地在第1、第2、第3、第4边上配 置焊垫组。此外，在本发明的另一种形式中，也可以采用如下结构，S卩，包含输出所述电子光 学装置的电源电路控制用的信号的第5焊垫组，所述第5焊垫组沿着集成电路装置的所述 第2边而配置。通过这种方式，由于能够将用于控制电源电路的第5焊垫组与显示控制用的第3 焊垫组同样地配置在第2边上，因此实现了安装效率的提高等。此外在本发明的另一种形式中，也可以采用如下结构，S卩，所述控制部在所述图像 存储器的芯片被堆叠到集成电路装置上的堆叠模式下，根据来自所述图像存储器的所述图 像数据，执行所述电子光学装置的显示控制，而在所述图像存储器的芯片未被堆叠到集成 电路装置上的非堆叠模式下，根据来自外部图像存储器的外部图像数据，执行所述电子光 学装置的显示控制。通过这种方式，通过切换堆叠模式和非堆叠模式，从而能够使用外部图像存储器。此外在本发明的另一种形式中，也可以采用如下结构，S卩，包含堆叠识别用焊垫， 该堆叠识别用焊垫在所述堆叠模式下经由焊线而被设定到第1电源电压，在所述非堆叠模 式下经由焊线而被设定到第2电源电压。通过这种方式，仅通过经由焊线而向堆叠识别用焊垫进行的电压设定，就能够进 行集成电路装置的堆叠模式或非堆叠模式的设定。此外在本发明的另一种形式中，也可以采用如下结构，即，包括主机接口，其进行 与主机的接口处理；信息寄存器，其对所述主机提示信息，所述信息寄存器存储指令选择信 息，所述指令选择信息用于选择指令代码信息，该指令代码信息中表述有构成所述主机发 出的各命令的指令代码，在制造含有所述电子光学装置的电子设备时，将根据存储在所述信息寄存器中的所述指令选择信息而从多个指令代码信息中选择的指令代码信息，载入到 所述信息存储器中，在所述电子设备的实际动作时，所述控制部根据所述主机发出的命令、 以及从所述信息存储器读出的所述指令代码信息，来执行集成电路装置的动作控制。通过这种方式，能够利用信息寄存器，将用于选择指令代码信息的指令选择信息 提示给主机。由此，能够将与指令选择信息相对应的指令代码信息在制造电子设备时载入 到信息存储器中。并且能够在电子设备的实际动作时，根据来自主机的命令和从信息存储 器读出的指令代码信息，执行集成电路装置的动作控制。由此，能够实现电子设备制造的效 率化等。此外在本发明的另一种形式中，也可以采用如下结构，S卩，所述信息寄存器存储堆 叠识别信息以作为所述指令选择信息，所述堆叠识别信息用于对存储图像数据的所述图像 存储器的芯片被堆叠到集成电路装置上的堆叠模式、及所述图像存储器的芯片未被堆叠到 集成电路装置上的非堆叠模式进行识别。通过这种方式，能够通过信息寄存器将集成电路装置是在堆叠模式下还是在非堆 叠模式下提示给主机。此外，在本发明的另一种形式中，也可以采用如下结构，S卩，在所述堆叠模式下，在 制造所述电子设备时，所述多个指令代码信息中，堆叠模式用指令代码信息被载入到所述 信息存储器中，而在所述电子设备的实际动作时，根据所述主机发出的命令、以及所述堆叠 模式用指令代码信息，来执行集成电路装置的动作控制；在所述非堆叠模式下，在制造所述 电子设备时，所述多个指令代码信息中，非堆叠模式用指令代码信息被载入到所述信息存 储器中，而在所述电子设备的实际动作时，根据所述主机发出的命令、以及所述非堆叠模式 用指令代码信息，来执行集成电路装置的动作控制。通过这种方式，集成电路装置在处于堆叠模式的情况下，根据电子设备实际动作 时堆叠模式用的指令代码信息，来进行集成电路装置的动作控制，而在处于非堆叠模式的 情况下，根据非堆叠模式用的指令代码信息来进行集成电路装置的动作控制此外，在本发明的另一种形式中，也可以采用如下结构，S卩，包括堆叠识别用焊垫， 该堆叠识别用焊垫在所述堆叠模式下经由焊线被设定于第1电源电压，在所述非堆叠模式 下经由焊线被设定于第2电源电压，所述信息寄存器存储按照所述堆叠识别用焊垫的电压 而设定的所述堆叠识别信息。通过这种方式，仅通过经由焊线而向堆叠识别用焊垫进行的电压设定，就能够进 行集成电路装置的堆叠模式或非堆叠模式的设定。此外，在本发明的其他形式中，涉及一种含有上述任意一种形式的集成电路装置 的电子设备。
图1是本实施方式的集成电路装置的结构示例。图2是比较例的焊垫配置、连接方法的说明图。图3是本实施方式的焊垫配置、连接方法的说明图。图4(A) 图4(C)是存储器用信号的波形图。图5是焊垫的配置、连接方法的详细示例。
图6是焊垫的配置、连接方法的详细示例。图7是本实施方式的方法适用于图像存储器、显示控制器时的适用例。图8是本实施方式的方法适用于图像存储器、显示控制器时的适用例。图9是集成电路装置及包括该集成电路装置的电子设备的详细结构示例。图10是集成电路装置的动作说明图。图11是集成电路装置的动作说明图。图12是指令代码信息的说明图。图13是主机发出的命令的示例。图14(A) 图14(C)是主机接口的说明图。图15(A) 图15(D)是信息存储器接口、面板接口的说明图。图16(A)、图16⑶是显示控制用信号的波形图。图17(A)、图17⑶是基于堆叠识别信息的指令代码信息的载入方法说明图。符号说明 Pi、Pi+1 Pw、Pj Pk 焊垫PMi PM” PMj PMk存储器焊垫ARE间隙区域Ti+1 TV!组件内部端子PG1 PG5第1焊垫组 第5焊垫组PMG1、PMG2第1、第2存储器焊垫组SC1 SC4第1芯片边 第4芯片边SD1 SD4第1边 第4边10集成电路装置20主机接口30控制部32命令解码器34时序控制部36显示控制部38存储器控制部40电源控制部50寄存器部52信息寄存器60信息存储器接口70面板接口80工作存储器100 主机110信息存储器120图像存储器121存储器150电源电路
200电子光学装置210数据驱动器220扫描驱动器230电子光学面板240面板ID存储器
具体实施例方式以下，对本发明的适当的实施方式进行详细说明。另外，以下所说明的本实施方 式，不是对权利要求的范围内所记载的本发明内容进行的不合理限定，在本实施方式中所 说明的全部结构，不一定都是作为本发明的解决手段所必须的。1、结构图1中图示了本实施方式的集成电路装置10的结构示例。在该集成电路装置10中，堆叠有存储器121的芯片。即，在不同的制造过程中被 制造出的2个IC芯片，通过堆叠封装而被重叠地封装在一起。并且在图1中，集成电路装置10包括存储器用的第1焊垫组PG1、存储器用的第 2焊垫组PG2。即该第1、第2焊垫组PG1、PG2被配置在集成电路装置10的芯片的周缘部 处。此外，集成电路装置10包括用于执行存储器121的数据的读出控制、写入控制的控制 部30。这里，第1焊垫组PG1 (电极组)被连接在第1存储器焊垫组PMG1上，该第1存储 器焊垫组PMG1沿着被堆叠到集成电路装置10上的存储器121的芯片的第1芯片边SC1而 配置。具体而言，第1焊垫组PG1和第1存储器焊垫组PMG1，例如通过焊线而在组件内被内 部配线。此外，第2焊垫组PG2 (电极组)被连接在第2存储器焊垫组PMG2上，该第2存储 器焊垫组PMG2沿着存储器121的芯片的与第1芯片边SC1对置的第3芯片边SC3而配置。 具体而言，第2焊垫组PG2和第2存储器焊垫组PMG2，例如通过焊线而在组件内被内部配 线。此外，控制部30为执行各种控制处理的构件，其执行集成电路装置10的整体的控 制处理及存储器121的存储器控制处理等。该控制部30能够通过门阵列电路或处理器等 来实现。而且，在以图1所示的方式将存储器121堆叠到了集成电路装置10上的情况下， 在集成电路装置10的焊垫组PG1、PG2中，需要以和存储器焊垫组PMG1、PMG2相同的信号顺 序排列来配置焊垫。例如，在存储器焊垫组PMG1中数据信号的焊垫是以DQ0、DQ1、DQ2…… 的顺序排列的情况下，在与存储器焊垫组PMG1连接的焊垫组PG1中，数据信号的焊垫也需 要以DQ0、DQ1、DQ2……的顺序排列。但是，存储器121的存储器焊垫不限于均以相同的焊垫间距来排列，例如有时在 焊垫之间会存在间隙区域(空的区域)。在这种情况下，将会产生连接存储器121的存储器 焊垫和集成电路装置10的焊垫之间的接线(焊线)变长，或相邻焊垫之间的接线容易短路 等问题。例如，在图2中图示了本实施方式的比较例的焊垫配置和接线方法。在图2中，在存储器121上，配置有第1 第i存储器焊垫PMi PMi及第j 第k存储器焊垫PMj PMk。并且，第1 第i存储器焊垫PMi PMi被连接到集成电路装置10的第1 第i焊垫 Pi Pi上，第j 第k (1 < i < j < k)存储器焊垫PMj PMk被连接到集成电路装置10的 第j 第k焊垫& Pk上。并且在图2中，存储器焊垫PMi和PM」之间，存在未配置有存储器焊垫的区域、即间 隙区域ARE (空的区域)。当以图2所示的方式将配置有存储器焊垫PMi PMp PMj PMk的存储器121堆 叠到集成电路装置10上时，存储器121的存储器焊垫和集成电路装置10的焊垫之间连接 的接线将会变长，从而容易产生接线不良。例如，由于图2中的B1所示的接线，将会长于B2 所示的接线，且接线角度也成为了锐角，因此容易产生接线不良。此外，如B1、B2所示，如果 接线长度具有偏差，则由于接线长度的偏差所导致的信号延迟的偏差，从而有可能产生存 储器121的误动作。因此，在本实施方式中采用了如图3所示的这种焊垫配置、接线方法。g卩，图3中的本实施方式的集成电路装置10包括连接在存储器121的第1 第 i存储器焊垫PMi PMi上的第1 第i焊垫Pi Pp连接在存储器121的第j 第k存储 器焊垫PMj PMk上的第j 第k焊垫Pj Pk。并且本实施方式中的集成电路装置10进一步包括被配置在第i焊垫Pi和第j 焊垫Pj之间的至少一个焊垫Pi+1 Pj—。并且该焊垫Pi+1 Ph不与存储器121的存储器 焊垫相连接，是用于和集成电路装置10的外部(外部设备)之间输入或输出信号(数据信 号、控制信号或地址信号)的焊垫(输入焊垫、输出焊垫、输入输出兼用焊垫)。具体而言， 焊垫Pi+1 Ph通过焊线而被连接到组件内部端子Ti+1 Th上。并且通过与组件内部端 子Ti+1 L对应的组件外部端子(IC引脚、凸点)，而被电连接在安装有集成电路装置10 的组件的电路基板上的接线上。并且，控制部30通过焊垫Pi+1 Py，在电路基板上的外部 设备、或通过连接器等而与电路基板相连接的电路基板或模块的外部设备之间，进行信号 的交换。此外，在图3中，焊垫Pi+1 Py与存在于存储器121的存储器焊垫PMi和PMj.之 间的间隙区域ARE对应设置。例如，将存储器焊垫PMi和PMj之间的距离设为LDS，将存储 器焊垫的配置间距设为LP。在这种情况下，在图3中，关于存储器焊垫PMi和PMj之间的距 离LDS，满足LDS彡2LP的关系。即，存储器焊垫PM,和PM」之间的区域为，间隔有至少能够 配置一个以上的存储器焊垫的距离的间隙区域ARE。在图3中，焊垫Pi+1 Py与这种间隙 区域ARE对应地设置。在以上所述的本实施方式中，在焊垫Pi和焊垫Pj之间，设置有不与存储器焊垫的 连接的焊垫Pi+1 Pj—。即，在连接于存储器焊垫PMi PMi上的焊垫Pi P”和连接于存 储器焊垫PMj PMk上的焊垫Pj Pk之间，设置有不与存储器焊垫连接的焊垫Pi+1 Pj_lt) 并且，控制部30经由该不与存储器焊垫连接的焊垫Pi+1 Ph，而与集成电路装置10的外 部(外部设备)之间，进行输入或输出信号的信号交换。通过这种方式，如图3中的C1所示，能够防止例如连接焊垫Pj和存储器焊垫PMj 的接线变长的情况。例如，如果对图2中的B1、B2和图3中的C1、C2进行比较，则可清楚地 看出，根据本实施方式，由于能够减少连接存储器焊垫和集成电路装置10的焊垫的接线的接线长度偏差，且接线角度也不会变成锐角，因此能够降低接线不良的发生。此外，通过减 少接线长度的偏差，从而能够防止，由于接线长度的偏差所导致的信号延迟偏差而引起的 存储器121的误操作。特别是在存储器焊垫PMi和PMj之间存在间隙区域ARE的情况下，如图2的B1、B2 所示，会出现接线长度的偏差变大、或接线角度容易变成锐角的状况。关于这一点，在本实施方式中，由于与这种间隙区域ARE相对应地，设置有不与存 储器焊垫连接的焊垫Pi+1 Ph，所以即使存在间隙区域ARE，也能够减少接线长度的偏差， 或抑制接线角度变成锐角的状况。此外，作为本实施方式的比较例的方法，也有将焊垫Pi+1 Ph作为不连接任何接 线的NC焊垫(非连接焊垫)的方法。但是，在焊垫区域中所能够配置的焊垫的个数，受限于集成电路装置的芯片尺寸。 因此，如果以上述比较例的方法而设置NC焊垫，则会减少相应量的有效焊垫的个数。因此， 在为了实施与外部的交换而需要设置较多数量的焊垫时，有可能会使芯片尺寸变大。关于这一点，在本实施方式中，设置有与间隙区域ARE相对应的焊垫Pi+1 Py，从 而能够通过该焊垫Pi+1 Ph而与外部进行信号交换。因此，与将焊垫Pi+1 PH作为NC 焊垫的比较例的方法相比，能够有效地灵活运用集成电路装置外缘部的焊垫区域，并能够 和外部之间进行较多的信号交换，从而能够防止芯片尺寸变大的状况。2、非堆叠模式用焊垫作为在本实施方式中被配置在焊垫Pi和Pj之间的焊垫Pi+1 Pj_i，可以使用例如 非堆叠模式用的焊垫。例如，图1中的存储器121的存储器焊垫组PMG1、PMG2为，用于输出输入存储器 121的地址信号、数据信号或控制信号的焊垫。这里，例如以SDRAM (Synchronous DRAM:同 步动态随机访问存储器)为例，控制信号为片选(Chip Selection)信号、时钟使能信号、时 钟信号、RAS信号、CAS信号、写入使能信号等。通过将存储器121的存储器焊垫组PMG1、 PMG2和集成电路装置10的焊垫组PG1、PG2连接，并进行这些地址信号、数据信号、控制信 号的交换，从而能够由控制部30进行存储器121的数据的写入和读出。在图4(A) 图4(C)中，图示了图1中的存储器焊垫组PMG1、PMG2和焊垫组PG1、 PG2之间被交换的存储器用信号的波形图。图4(A)是写入命令时的信号波形示例。CLK、CKE、CS分别为，时钟信号、时钟使 能信号、片选信号。RAS、CAS为行地址选通(Row Address Strobe)脉冲信号、列地址选通 (Column Address Strobe)脉冲信号。WE 为写入使能(Write Enable)信号。ADO AD10 为地址信号，AD10也可以被使用在预充电模式的指定上。BA是存储单元选择信号。在图4 (A)中，将信号CS、CAS、TO激活，用AD0 AD9来指定列地址，用AD10、BA来 进行预充电模式的指定和存储单元选择，在信号CLK的边缘(Edge)处写入命令。图4(B)是突发读出(Burst Read)时的信号波形示例。DQ0 DQ15为数据信号， UDQM、LDQM分别为，用于控制DQ缓存(数据输出缓存)的高位字节、低位字节的信号。当 信号UDQM、LDQM变为活动状态时，与其对应的缓存的字节将被激活(Enable)。图4(B)的突发读出周期通过指定了开始地址A0的写入命令的执行而被开始。并 且，在经过迟延期间后，地址与时钟信号CLK同步地被自动地增量，数据信号DQ0 DQ15从存储器21被输出并被读出。此时，通过信号UDQM、LDQM，能够实现高位字节、低位字节的屏 蔽。图4(C)是突发写入(Burst Write)时的信号波形示例。突发写入周期通过写入 命令的执行而开始。在写入命令的执行时被供给的地址，被设定为开始地址。并且，与时钟 信号CLK同步地数据信号DQ被输入并写入到存储器121中。在图1的集成电路装置10的焊垫组PG1、PG2和存储器121的存储器焊垫组PMG1、 PMG2之间，如图4(A) 图4(C)所示的数据信号、地址信号、控制信号在集成电路装置10和 存储器121之间被进行交换。并且在本实施方式中，作为配置在焊垫Pi和Pj之间的焊垫Pi+1 ，可以使用非 堆叠模式用的焊垫。即，本实施方式的集成电路装置10具有例如堆叠模式和非堆叠模式。堆叠模式 (堆叠状态)为，存储器121的芯片被堆叠到集成电路装置10上的模式(状态)，非堆叠模 式(非堆叠状态)为，存储器121的芯片未被堆叠到集成电路装置上的模式(状态)。并且控制部30在存储器121的芯片被堆叠到集成电路装置10上的堆叠模式下， 执行存储器121的数据的读出控制、写入控制。另一方面，控制部30在存储器121的芯片 未被堆叠到集成电路装置10上的非堆叠模式下，执行外部存储器的数据的读出控制、写入 控制。即，在非堆叠模式下，由于存储器121未被堆叠，因此使用外部存储器来代替存储器 121，将数据从外部存储器读出，或写入到外部存储器中。并且，非堆叠模式用的焊垫Pi+1 Py为，在非堆叠模式下用于输出或输入外部存 储器的数据信号、地址信号及控制信号中的至少一个信号的焊垫。在图5、图6中，图示了集成电路装置10的焊垫组及存储器121的存储器焊垫组的 详细配置、连接示例。在图5中，D1所示信号的焊垫，相当于图3的焊垫Pi Pi，D2所示信号的焊垫，相 当于图3的焊垫Pj Pk。即，集成电路装置10的焊垫Pi Pi和存储器焊垫PMi PMi之 间，进行D1所示信号UDQM、CLK、CKE、AD9 AD4的交换。此外，在焊垫P」 Pk和存储器焊 垫PMj PMk之间，进行D2所示信号AD3 ADO、AD10、BA的交换。并且，在图5中，D3及D4所示信号的焊垫，相当于图3中的不与存储器焊垫连接 的焊垫Pi+1 Pj—。即，与存储器121的间隙区域ARE相对应地，设有用于与外部存储器之 间进行信号AD12、AD11、DQM3、DQM2的交换的焊垫Pi+1 P^。此外，在图6中，El所示信号DQ8、DQ9的焊垫，相当于图3的焊垫 PpE2所示 信号DQ10、DQ11的焊垫，相当于图3的焊垫Pj Pk。并且，E3所示信号DQ17的焊垫，相当 于不与存储器焊垫连接的焊垫Pi+1 Ph。同样地，E4所示信号DQ12、DQ13的焊垫，相当于 焊垫Pi Py E5所示信号DQ14、DQ15的焊垫，相当于焊垫P」 Pk，并且E6所示信号DQ19 的焊垫，相当于不与存储器焊垫连接的焊垫Pi+1 Pj—。并且在图6中，在E1所示信号DQ9的存储器焊垫PMp和E2所示信号DQ10的存储 器焊垫PMj之间，配置有E7所示的电源VSS的存储器焊垫。同样地，在E4所示信号DQ13的 存储器焊垫PM”和E5所示信号DQ14的存储器焊垫PMj之间，配置E8所示的电源VSS的存 储器焊垫。即，E3所示信号DQ17的焊垫，与E7的电源VSS的存储器焊垫相对应地设置，E6 所示信号DQ19的焊垫，与E8的电源VSS的存储器焊垫相对应地设置。通过这种方式，不仅在如图5所示这种存在间隙区域ARE的情况下，在设有电源的存储器焊垫的情况下，也能够 减少接线长度的偏差，或抑制接线角度成为锐角的状况。如图5、图6所示，在存储器121被堆叠在集成电路装置10的堆叠模式下，地址信 号成为ADO AD10，数据信号成为DQ0 DQ15。即，在堆叠模式下，使用了地址位宽为11 位、数据位宽为16位的存储器121。另一方面，在存储器121未被堆叠在集成电路装置10上的非堆叠模式下，地址信 号成为ADO AD12，数据信号成为DQ0 DQ31 (DQ21 DQ31未图示)。即，在非堆叠模式 下，能够使用地址位宽为13位、数据位宽为32位的外部存储器。这样，在能够使用外部存 储器的非堆叠模式下，地址和数据的位宽被扩展。而且，在使用外部存储器的非堆叠模式下，能够使用D4所示的输出数据信号的位 控制信号DQM2、DQM3(广义上的控制信号)。即，扩展了将数据信号屏蔽的字节控制信号的 位数。这样，在图5、图6中，被配置在图3的焊垫Pi和焊垫Pj之间的焊垫Pi+1 Ph成 为，用于在非堆叠模式下输出或输入外部存储器的数据信号、地址信号及控制信号中的至 少一个信号的焊垫。即Pi+1 Py是用于输出或输入在堆叠模式下不被使用但是在非堆叠 模式下使用的数据信号(DQ16 DQ31)、地址信号(AD11、AD12)、控制信号(DQM2、DQM3)的焊垫。例如，图5中的D3的信号的焊垫(焊垫Pi+1 U为，在非堆叠模式下输出外部 存储器的地址信号AD11、AD12的焊垫。此外，D4的信号的焊垫为，在非堆叠模式下输出外 部存储器的控制信号DQM2、DQM3的焊垫。此外，图6中的E3、E6的信号的焊垫为，在非堆叠 模式下输出外部存储器的数据信号DQ17、DQ19的焊垫。这样在图5、图6中，与间隙区域ARE及电源存储器焊垫相对应地，在集成电路装置 10上配置有，用于输出和输入外部存储器用的地址信号AD11、AD12、数据信号DQ16 DQ31、 控制信号DQM2、DQM3的非堆叠模式用焊垫。通过这种方式，伴随着在非堆叠模式下使用外 部存储器，而使地址、数据或控制信号的位宽被扩展的情况下，也能够容易地进行应对。例如，在堆叠模式下，将与地址信号ADO AD10、数据信号DQ0 DQ15相对应的集 成电路装置10的焊垫，连接在与地址信号ADO AD10、数据信号DQ0 DQ15相对应的存储 器121的存储器焊垫上。通过这种方式，能够应对堆叠模式。另一方面，在非堆叠模式下，将与地址信号ADO AD12、数据信号DQ0 DQ32相对 应的集成电路装置10的焊垫，连接在组件内部端子(图3的Ti+1 U上。通过种方式， 能够通过组件内部端子和组件外部端子(IC引脚、凸点)而将地址信号AD0 AD12、数据信 号DQ0 DQ31输入输出到外部存储器中。由此，能够使用地址或位宽较大的外部存储器。 即，能够应对堆叠模式和非堆叠模式的双方。3、对图像存储器、显示控制器的适用例接下来，对被堆叠到集成电路装置上的存储器是图像存储器、且根据来自图像存 储器的图像数据来进行电子光学装置的显示控制的情况下的、本实施方式的适用例进行说 明。在图7中，集成电路装置10包括图像存储器用的第1焊垫组PG1、图像存储器用 的第2焊垫组PG2、显示控制用的第3焊垫组PG3。S卩，该1、第2、第3焊垫组PG1、PG2、PG3被配置在集成电路装置10的芯片的周缘部上。此外，集成电路装置10包括控制部30，该控 制部30根据存储在图像存储器120中的图像数据(显示数据)，来执行液晶显示装置或电 子泳动显示装置等的电子光学装置的显示控制。这里，第1焊垫组PG1 (电极组)被连接在，沿着图像存储器120的第1芯片边SC1 而配置的第1存储器焊垫组PMG1上。此外，第2焊垫组PG2 (电极组)被连接在，沿着图像 存储器120的与第1芯片边SC1对置的第3芯片边而配置的第2存储器焊垫组PMG2上。在这种情况下，图3的存储器焊垫PMi PMi及PM」 PMk成为，包含于图7的图像 存储器120的第1存储器焊垫组PMG1中的存储器焊垫、或是包含于存储器焊垫组PMG2中 的存储器焊垫。此外，图3的焊垫Pi Pi及P」 Pk成为，包含于图7的集成电路装置10 的第1焊垫组PG1中的焊垫、或是包含于第2焊垫组PG2中的焊垫。此外，电子光学装置的显示控制用数据信号及控制信号，从图7的第3焊垫组PG3 被输出。例如，输出供给于电子光学装置所具有的数据驱动器(源驱动器)和扫描驱动器 (栅驱动器)的数据信号和控制信号。作为该电子光学装置，可以假定为液晶显示装置、电 子泳动显示装置、有机EL(电致发光)显示装置等的各种装置。此外，控制部30为执行各种控制处理的构件，其执行电子光学装置的显示控制处 理。此外，控制部30执行集成电路装置10的整体的控制处理和图像存储器120的存储器 控制处理等。该控制部30能够通过门阵列电路或处理器等来实现。并且在图7中，图像处理器用的第1焊垫组PG1，沿着集成电路装置10的第1边 SD1而配置，图像存储器用的第2焊垫组PG2，沿着集成电路装置10的与第1边SD1对置的 第3边SD3而配置。并且显示控制用的第3焊垫组PG3，沿着集成电路装置10的与第1边 SD1及第3边SD3交叉的第2边SD2而配置。即，第1、第2、第3焊垫组PG1、PG2、PG3分别 被配置在，沿着边SD1、SD2、SD3的集成电路装置10的周缘部的焊垫区域上。另外，虽然未图示，但在集成电路装置10上还配置有，连接在该第1、第2、第3焊 垫组PG1、PG2、PG3上的第1、第2、第3输入/输出(I/O)单元组，该第1、第2、第3输入/ 输出单元组被排列配置在，配置有第1、第2、第3焊垫组的焊垫区域内侧的输入/输出区域 上。并且在焊垫区域及输入/输出区域的内侧的核心区域中，除了由逻辑电路构成的控制 部30以外，还能够配置PLL(相同步逻辑)等模拟电路、及作为工作存储器的存储块等。此外，第1、第2存储器焊垫组PMG1、PMG2为，用于输入和输出图像存储器120的 地址信号、数据信号或控制信号的焊垫。通过将第1、第2存储器焊垫组PMG1、PMG2和第1、 第2焊垫组PG1、PG2连接，并进行这些地址信号、数据信号、控制信号的交换，从而能够由控 制部30来执行图像存储器120的图像数据的写入或读出。根据以上的图7中的集成电路装置10，能够通过对焊垫组PG1、PG2和存储器焊垫 组PMG1、PMG2进行内部连接，从而在被堆叠的图像存储器120之间进行图像存储器用的数 据信号、地址信号、控制信号的交换。并且能够根据从图像存储器120读出的图像数据，来 生成显示控制用的数据信号及控制信号，并经由焊垫组PG3而供给到外部的电子光学装置 (电子光学面板)中。例如作为本实施方式的第1比较例，有使用外接的外部图像存储器以作为图像存 储器的方法。但是，在该第1比较例中，在安装有集成电路装置的组件的电路基板(系统基 板)上，需要对图像存储器用的数据信号、地址信号、控制信号等信号的线进行布线。因此，有可能会使得电路基板上的图像存储器用的信号线的布线复杂化，从而降低安装效率等。 此外，如果集成电路装置的安装位置和外部图像存储器的安装位置的距离较远，则由于因 连接集成电路装置和外部图像存储器的信号线的寄生电容、寄生电阻而引起的信号延迟， 有可能会导致产生数据的读出、写入错误等。关于这一点，在本实施方式中，在显示控制器、即集成电路装置10堆叠有图像存 储器120。因此，即使不使用外部图像存储器，也能够将IC组件内的图像存储器120，作为 存储桢图像数据的存储器来使用。因此，能够防止因与外部图像存储器连接的信号线的布 线复杂化、安装效率的降低、信号延迟等原因而导致的、数据读出、写入错误的发生等。此外，作为本实施方式的第2比较例，还有如下方法，S卩，将与图像存储器对应的 存储块(SRAM)设计配置在集成电路装置的核心区域，并在该存储块中存储桢图像数据。但是，在该第2比较例中，由于需要将具有与桢图像数据对应的存储容量的存储 块，设计配置在集成电路装置的核心区域中，因此有可能会增加集成电路装置的芯片面积， 进而导致成本的增加等。关于这一点，在本实施方式中，由于图像存储器120被堆叠在集成电路装置10上， 所以无需将上述的存储区配置在核心区域。因此，与第2比较例相比，能够缩小集成电路装 置10的芯片面积，从而能够降低成本。此外，如果堆叠图像存储器120，那么采用能够进行 突发读出和突发写入的SDRAM等的高速存储器也会变得容易。因此，相比于第2比较例，能 够实现高速的图像数据的读出、写入等。此外，在本实施方式中，在图像存储器120的长边、即芯片边SCl上排列有存储器 焊垫组PMGl的情况下，以与该存储器焊垫组PMGl相同的信号顺序排列，沿着与芯片边SCl 对应的集成电路装置10的边SDl而配置有焊垫组PGl。同样地，在图像存储器120的长边、 即芯片边SC3上排列有存储器焊垫组PMG2的情况下，以与该存储器焊垫组PMG2相同的信 号顺序排列，沿着与芯片边SC3对应的集成电路装置10的边SD3而配置有焊垫组PG2。因 此，在图像存储器120的两侧的芯片边SC1、SC3上排列有存储器焊垫组PMG1、PMG2的情况 下，能够将这些存储器焊垫组PMGl、PMG2和集成电路装置10的焊垫组PGl、PG2，在焊线不 重叠的条件下进行连接。因此，将芯片两侧排列有存储器焊垫组PMG1、PMG2并列的图像存 储器120，堆叠在集成电路装置10上，从而能够较容易地进行信号线的布线，并能够降低焊 线短路等的布线不良的可能性。例如，图像存储器用焊垫组PG1、PG2，属于对输入/输出单元供给相同电源电压的 相同的电源组。因此，对在两侧的芯片边SCI、SC3上堆叠配置有存储器焊垫组PMGl、PMG2 的图像存储器120的芯片进行堆叠比较困难。关于这一点，在图7中，是将连接在图像存储器120的芯片边SCl的存储器焊垫 组PMGl上的焊垫组PG1，配置在集成电路装置10的边SDl上，将连接在芯片边SC3的存储 器焊垫组PMG2上的焊垫组PG2，配置在集成电路装置10的边SD3上。因此，根据本实施方 式，即使是这种相同电源组的存储器焊垫组PMG1、PMG2被配置在芯片两侧的类型的图像存 储器120，也能够堆叠在集成电路装置10上。此外，在本实施方式中，对于显示控制用的焊垫组PG3，是沿着与配置有图像存储 器用的焊垫组PG1、PG2的边SD1、SD3交叉的边、即SD2而配置的。因此，能够防止内部连接 存储器焊垫组PMGl、PMG2与焊垫组PG1、PG2的焊线，和连接焊垫组PG3和组件内部端子的焊线重叠的状况。由此，能够使焊线的布线简单化，从而能够降低焊线短路等的布线不良的 可能性。此外，在采用后述的这种堆叠模式和非堆叠模式能够切换的结构的情况下，在非 堆叠模式下，图像存储器用焊垫组PGl、PG2经由集成电路装置10的组件外部端子(例如凸 点)及电路基板的接线而被连接在外部图像存储器上。此外，显示控制用的焊垫组PG3经 由组件外部端子及电路基板或连接器的接线而被连接在电子光学装置上。因此，通过将图 像存储器用的焊垫组PG1、PG2集中配置在边SD1、SD3上，同时将显示控制用的焊垫组PG3 集中配置在与边SD1、SD3不同的边SD2上，从而能够使电路基板上的信号线的布线简单化， 进而实现安装效率的提高等。尤其是，图像存储器用的焊垫组PG1、PG2和显示控制用的焊 垫组PG3，其焊垫数目较多，作为基准的电源电压也不同的情况较多。因此，如图7所示，通 过将这些焊垫组在别的边上集中配置，从而能够提高芯片等的设计效率和电路基板上的安 装效率。图8中图示了焊垫组的更为详细的配置例。在图8中，集成电路装置10包括主 机接口(I/F)用的第4焊垫组PG4。并且，该第4焊垫组PG4沿着集成电路装置10的与第 2边SD2对置的第4边SD4而配置。此外，在图8中，集成电路装置10包括输出电子光学装置的电源电路控制用的信 号的第5焊垫组PG5。并且第5焊垫组PG5沿着集成电路装置10的第2边SD2而配置。例如，在显示控制器等的集成电路装置10中，为了由主机对集成电路装置10发出 命令，或输入来自主机的图像数据，因而需要主机接口。并且在主机接口中，由于需要数据 信号的发送接收等，所以主机接口用的焊垫数目增多的情况比较多。另一方面，在图8中，由于图像存储器用焊垫组PG1、PG2沿着边SD1、SD3而配置， 并且显示控制用焊垫组PG3沿着边SD2而配置，所以在沿着这些边的区域中，难以确保用于 配置焊垫的空的区域。关于这一点，在本实施方式中，有效地活用了与边SD2对置的边SD4的空的区域， 来配置了主机接口用的焊垫组PG4。通过这种方式，能够在边SD1、SD2、SD3、SD4上有效地 配置焊垫组。即，能够将图像存储器用焊垫组PG1、PG2集中配置在边SD1、SD3上，将显示控 制用焊垫组PG3集中配置在边SD2上，将主机接口用焊垫组PG4集中配置在边SD4上。因 此，由于能够将焊垫数较多的一组焊垫组PGl、PG2、PG3、PG4各自集中配置在各边上，因而 能够实现有效的焊垫配置。此外，关于集成电路装置10的组件外部端子(例如凸点或IC 引脚)，也能够将图像存储器用外部端子、显示控制用外部端子、主机接口用外部端子集中 配置在较近的位置上。因此，能够简化电路基板上的信号线的布线，从而实现安装效率的提 高等。另外，也可以采用，例如将主机接口用的焊垫组PG4的一部分配置在沿着边SD3的区 域中的结构。此外，在图8中，电源电路控制用的焊垫组PG5，被配置在和显示控制用的焊垫组 PG3相同的边SD2上。并且，电源电路对输入来自焊垫组PG3的显示控制用数据信号、控制 信号的电子光学装置供给电源。因此，通过将显示控制用的焊垫组PG3和电源电路控制用 的焊垫组PG5配置在相同的边SD2上，能够将显示控制用信号线、电源电路控制用信号线在 电路基板上按相同方向引出并布线，其中，该显示控制用信号线、电源电路控制用信号线是 从这些焊垫组PG3、PG5经由集成电路装置10的组件外部端子而布线的。因此，能够实现电路基板上的有效的信号线布线，从而能够提高安装效率。4、集成电路装置、电子设备的详细构成例图9中图示了本实施方式的集成电路装置10及包含该集成电路装置10的电子设 备的详细结构示例。该电子设备包括作为显示控制器等而发挥功能的集成电路装置10、 由集成电路装置10进行显示控制的电子光学装置200。此外还可以包括主机(Host) 100、 信息存储器110、图像存储器120、电源电路150等。另外，本实施方式的电子设备不限于图9所示的结构，其可以实施省略其构成要 素的一部分(例如电源电路等)、或加入其它的构成要素(例如操作部等)等的各种变形。 此外，作为本实施方式的电子设备，可以假设为例如电子书、电子辞典、便携式信息终端、移 动电话、便携式游戏装置、便携式音乐播放器或数码照相机等各种设备。主机100为，作为系统的主机执行各种处理的构件，其能够由例如CPU等的处理器 和在处理器上运行的软件(固件)等来实现。信息存储器110是存储并保持后述的指令代码信息和波形信息的存储器，其能够 由例如可写入/删除数据的非易失性存储器(例如闪存)等来实现。图像存储器120 (显示存储器、视频存储器)为，存储电子光学面板230中显示的 图像的数据(显示数据)的存储器，其能够由例如SDRAM等的RAM来实现。电源电路150为，向电子光学装置200提供电子光学面板230的驱动所需的各种 电源的电路，其能够由电源控制IC和分立电路(Discrete circuit)来实现。电子光学装置200 (面板模块)为，通过使电子光学面板230的电子光学元件(电 子泳动元件、液晶元件、EL(电致发光)元件等)的光学特性变化来实现显示动作的装置 (模块)，其包括数据驱动器210、扫描驱动器220、电子光学面板230、面板ID存储器240 等。另外，电子光学装置200的结构并不仅限于此，其可以实施省略其构成要素的一部分 (例如，面板ID存储器)、或追加其它构成要素等的各种变形。此外，数据驱动器210、扫描 驱动器220也可以一体地形成在电子光学面板230上。电子光学面板230 (显示面板)具有多条数据线(例如源极线)、多条扫描线(例 如栅极线)、以及各像素被配置在数据线和扫描线的交叉位置上的多个像素。并且，通过由 数据驱动器210、扫描驱动器220驱动电子光学面板230的数据线、扫描线，从而使得各像素 区域中的电子光学元件的光学特性变化，以实现显示动作。该电子光学面板230既可以是 例如使用了 TFT (薄膜晶体管)、TFD (薄膜二极管)等开关元件的有源矩阵型的面板，也可 以是有源矩阵型之外的面板。面板ID存储器240如后文所述，是存储电子光学装置200的制造信息(例如制造 批次)和面板信息等的存储器，其能够由例如可进行数据的写入/删除的非易失性存储器 (例如EEPROM 电可擦除只读存储器)等来实现。集成电路装置10包括主机接口 20、控制部30、寄存器部50、信息存储器接口 60、 面板接口 70、工作存储器80。另外，集成电路装置10的结构并不仅限于此，其可以实施省 略其构成要素的一部分(例如信息存储器接口、面板接口等)、或加入其它构成要素等的各 种变形。主机接口 20执行与主机100的接口处理。例如，与主机100之间进行数据信号、 地址信号、或写入/读出信号等的接口信号的交换，以实现与主机100之间的接口。
控制部30为，执行各种控制处理的构件，其执行例如电子光学装置200的显示控 制处理。此外，控制部30执行集成电路装置10的整体的控制处理、图像存储器120的存储 器控制处理以及电源电路150的控制处理等。该控制部30能够由门阵列电路或处理器等 来实现。寄存器部50是包含各种寄存器的模块。例如，寄存器部50包括，对主机100提示 信息的信息寄存器52。此外还可以包含控制寄存器、状态寄存器等。该寄存器部50的功 能，能够由SRAM等的RAM或触发电路等来实现。信息存储器接口 60执行与信息存储器110之间的接口处理。例如，在与信息存储 器110之间进行各种接口信号的交换，以实现与信息存储器110之间的接口。面板接口 70 (广义上为电子光学装置接口)，执行与电子光学装置200 (面板ID存 储器)之间的接口处理。例如，在与电子光学装置200之间进行各种接口信号的交换，以实 现与电子光学装置之间的接口。控制部30包括命令解码器32、序列控制部34、显示控制部36、存储器控制部38、 电源控制部40。另外，其可以实施省略上述中的一部分构成要素、或增加其他构成要素等的 各种变形。命令解码器32执行主机100发出的命令的解码处理，以解释命令。序列控制部34 执行用于集成电路装置10的动作控制的各种序列控制。显示控制部36执行电子光学装置 200的显示控制。例如，其生成输出到电子光学装置200的数据驱动器210、扫描驱动器220 的数据信号、控制信号。电源控制部40执行电子光学装置200的电源电路150的控制。例 如，其生成各种电源控制信号并输出到电源电路150，从而控制电源电路150供给到电子光 学装置200的电源电压及其供给时间等。并且，在本实施方式中，信息寄存器52存储用于选择(指示)指令代码信息的指 令选择信息(指令指示信息)。例如，信息寄存器52对在电子设备制造时从电子光学装置 200取得的指令选择信息进行存储，并提示给主机100。具体而言，面板接口 70 (电子光学 装置接口)在电子设备的制造时，将电子光学装置200所具有的面板ID存储器240 (广义 上的存储器)中存储的指令选择信息从电子光学装置200中读出，并设定到信息寄存器52 中。或者，以后述的方式根据堆叠识别用焊垫的设定电压而得到的堆叠识别用信息，作为指 令选择信息而被设定到信息寄存器52中。在含有电子光学装置200的电子设备(例如具有面板模块的电子书、便携式信息 终端等)的制造(组装)时，将根据信息寄存器52中存储的指令选择信息而从多个指令代 码信息中选择出的指令代码信息，载入到信息存储器110中。并且，控制部30在电子设备 的实际动作时，根据主机100发出的命令以及从信息存储器110读出的指令代码信息，来执 行集成电路装置10的动作控制。其执行例如集成电路装置10的各种序列控制、图像存储 器120的存储器控制、电源电路150的电源控制、或电子光学装置200的显示控制等。具体而言，信息存储器接口 60在电子设备的制造时，在通过主机接口 20而取得了 基于信息寄存器52的指令选择信息而被选择的指令代码信息时，将所取得的指令代码信 息写入到信息存储器110中。并且，信息存储器接口 60在电子设备的实际动作时(动作时)，从信息存储器110 中读出指令代码信息。并且控制部30在电子设备的实际动作时，根据主机100发出的命令以及从信息存储器110读出的指令代码信息，来执行集成电路装置的动作控制。这里，指令代码(Instruction code)信息为，记录有构成主机100发出的各命令 (Command)的指令代码的信息。例如，主机100为了执行集成电路装置10的动作控制，而 发出各种命令。于是，控制部30通过主机接口 20而从主机100接收命令代码和参数等，从 而执行与发出的代码相对应的集成电路装置100的动作控制(例如电子光学装置的显示控 制)。在这种情况下，关于构成主机100发出的命令的详细指令代码，不从主机100接收，而 是作为指令代码信息在电子设备制造时被载入到信息存储器110中。并且，在主机100发 出命令时，构成该命令的一系列指令代码由指令代码信息所确定，且与该一系列指令代码 对应的一系列的指令被执行，从而实现了集成电路装置10的动作控制。该指令代码为，表 示例如向寄存器部50所具有的控制寄存器写入信息(数据、地址等)、或从寄存器部50所 具有的状态寄存器中读出信息(数据、状态等)等的指令的代码。另外，在本实施方式中，信息寄存器52也可以存储用于选择(指示)波形信息的 波选择信息(波指示信息)。例如，信息寄存器52在电子设备制造时存储从电子光学装置 200取得的波选择信息，并提示给主机100。具体而言，面板接口 70 (电子光学装置接口) 在电子设备制造时，从电子光学装置200中读出被存储在电子光学装置200所具有的面板 ID存储器240 (广义的存储器)中的波选择信息，并设定到信息寄存器52中。并且，在电子设备的制造时，根据信息寄存器52所存储的波选择信息而从多个波 形信息中选择(指示)出的波形信息，被载入到信息存储器110中。并且，控制部30在电 子设备的实际动作时(动作时)，根据从信息存储器110读出的波形信息来执行电子光学 装置200的显示控制。具体而言，信息存储器接口 60在电子设备的制造时，在通过主机接 口 20而取得了根据信息寄存器52的波选择信息而选择出的波形信息时，将所取得的波形 信息写入到信息存储器110中。并且，信息存储器接口 60在电子设备的实际动作时(动作时)，从信息存储器110 中读出波形信息。并且，控制部30在电子设备的实际动作时，根据从信息存储器110读出 的波形信息来执行电子光学装置200的显示控制。这里，波形信息是对电子光学装置200的驱动信号的波形进行规定的信息。例如， 电子光学装置200的数据驱动器210，将与图像存储器120中存储的图像数据对应的波形的 驱动信号(数据信号)，提供给电子光学面板230的数据线中。波形信息是对该驱动信号的 波形的正时和电压等进行规定的信息。例如，在为了使像素的灰度等级从第1等级变化到 第2等级从而使用跨多个桢的波形的情况下，波形信息成为，用于确定该跨多个桢的波形 向各桢处的像素施加的电压的信息。例如，在电子泳动显示装置中，根据电子光学装置200 (面板模块)的制造批次等， 最佳的驱动信号(用于执行最佳的显示控制的驱动信号)的波形有所不同。在这种情况下， 例如，规定了对于被集成电路装置10进行显示控制的电子光学装置200而言最佳的驱动信 号波形的波形信息，在电子设备制造时被选择并被载入到信息存储器110中。并且在电子 设备的实际动作时，使用被载入的波形信息来执行电子光学装置200的显示控制。接着，使用图10、图11对本实施方式的动作进行说明。如图10所示，在主机100能够访问的存储器102中，存储有多个指令代码信息 INC1 INCn。另外，存储器102只要是主机100能够访问的存储器即可，其既可以是设置于电子设备内的存储器，也可以是设置于外部的存储器(制造用PC(个人电脑)的存储器)。 此外，电子设备制造时的主机(例如PC)和电子设备实际动作时的主机(例如CPU)也可以 不同。此外，向信息存储器110载入指令代码信息和波形信息的载入处理，也可以不通过集 成电路装置10而由主机10等直接将这些信息写入到信息存储器110中来实现。如图10所示，在信息寄存器52中存储有指令选择信息。在此，指令选择信息为，用于从多个指令代码信息INC1 INCn中选择被载入到信 息存储器110中的指令代码信息的信息，例如面板信息、堆叠识别信息等。面板信息为，用 于确定电子光学装置200的面板种类和尺寸(像素数)的信息。堆叠识别信息为，用于识 别后述的图像存储器120的芯片被堆叠到集成电路装置10上的堆叠模式、和未被堆叠的非 堆叠模式的信息。主机100根据被设定到信息寄存器52中的指令选择信息，而从指令代码信息 INC1 INCn中选择与指令选择信息对应的指令代码信息INCj。例如，在指令选择信息是面 板信息的情况下，从指令代码信息INC1 INCn中选择与由面板信息所确定的面板种类和尺 寸相对应的指令代码信息。此外，在指令选择信息是堆叠识别信息，且处于堆叠模式的情况 下，从指令代码信息INC1 INCn中选择堆叠模式用的指令代码信息。另一方面，在处于非 堆叠模式的情况下，选择非堆叠模式用的指令代码信息。并且，被选择的指令代码信息INCj 被载入到非易失性的信息存储器110中并被保存。并且，在图11所示的电子设备的实际动作时(用户实际使用电子设备时)，如果主 机100发出了命令，则根据所发出的命令和从信息存储器110读出的指令代码信息INCj，来 执行集成电路装置10的动作控制。即，与命令相对应的多个一系列的指令被执行。根据以上所述的本实施方式，用于选择指令代码信息的指令选择信息，由信息寄 存器52而提示给主机100。并且，与指令选择信息相对应的指令代码信息被主机100选择， 并在电子设备制造时被载入到信息存储器110中。并且，在电子设备的实际动作时，根据被 载入的指令代码信息和来自主机100的命令，来执行集成电路装置10的动作控制。在电子设备的制造时，难以判断集成电路装置10被设定在例如图像存储器被堆 叠的堆叠模式、和图像存储器未被堆叠的非堆叠模式中的哪一个。并且，例如在非堆叠模 式下使用了外部图像存储器的情况下，有时会出现在被堆叠到集成电路装置10的图像存 储器和外部图像存储器中，数据和地址的位宽不同的现象。并且，如果数据和地址的位宽不 同，则指令代码的内容也将不同，从而需要使用不同的指令代码信息。同样地，如果面板的 种类及尺寸不同，那么构成显示控制的命令的指令代码的内容也会变得不同。而根据本实施方式，由于用于选择指令代码信息的指令选择信息被设定到信息寄 存器52中，因此通过由主机100读出该指令选择信息，能够实现指令代码信息向信息存储 器110的自动下载。因此，例如在集成电路装置10处于堆叠模式的情况下，堆叠模式用的 指令代码信息将自动地被载入到信息存储器110中，在处于非堆叠模式的情况下，非堆叠 模式用的指令代码信息将自动地被载入。此外，对应于面板的种类及尺寸的指令代码信息， 被自动地载入到信息存储器110中。因此，在电子设备制造时，与通过手工操作来选择指令 代码信息并载入的方法相比，实现了制造的效率化。因此，能够提高制造的生产能力，从而 能够使电子设备的量产等简单化。5、指令代码信息
接下来对指令代码信息的示例进行说明。例如，由主机100发出的命令，是通过依次执行控制集成电路装置10的动作的多 个指令来实现的。例如在图12中，命令CMA是通过依次执行指令INSAl、INSA2、INSA3…… 来实现的，命令CMB是通过依次执行指令INSBl、INSB2、INSB3……来实现的。在本实施方 式中，以这种方式构成各个命令的指令的代码列，作为指令代码信息而被使用。例如在图13中图示了主机100发出的命令的示例。例如RUN_SYS、STBY、SLP分 别为，用于将集成电路装置10转换成运行模式(通常动作模式)、待机模式、休眠模式的命 令。此外，INIT_SYS_RUN为，用于在集成电路装置10的初始化后使其转换到运行模式的命 令。此外，INIT_DSPE_CFG、INIT_DSPE_TMG分别为，用于对显示引擎(显示控制部)、显示时 间进行初始化的命令。RD_REG是寄存器的读出命令。具体而言，是用于将从第1参数所指定的地址中读 出的数据设定到第2参数的命令。WD_REG是寄存器的写入命令。具体而言，是用于将由第 1参数指定的数据写入到由第2参数指定的地址中的命令。BST_RD_SDR、BST_WR_SDR为，用于指示图像存储器120 (SDRAM)的突发读出动作、 突发写入动作的命令。根据这些命令，主机100能够从图像存储器120读出图像数据，或向 图像存储器120中写入图像数据。LD_IMG、LD_IMG_AREA为，用于指示整桢存储器载入动作、部分桢存储器载入动作 的命令。根据这些命令，能够将与被写入图像存储器120中的图像数据相对应的图像，显示 在电子光学面板230中。RD_WFM_INF0为，用于将波形信息的读入指示给显示引擎(显示控制部)的命令。 UPD_GDRV_CLR为，为了清除扫描驱动器(栅驱动器)的不稳定状态而使用的命令。此外， WAIT_DSPE_TRG为，用于指示等待显示引擎的动作结束的命令。以上所说明的命令，是通过执行指示向寄存器部50的各种寄存器写入注册值或 读出注册值的一系列指令来实现的。例如，当由主机100发出了 RUN_SYS的命令时，则通过使用寄存器部50的各种寄 存器来执行PLL的断电模式中止指令、PLL的锁定等待指示、节能模式的中止指示、来电序 列的开始指示、图像存储器120自动更新动作的结束指示、向状态寄存器设定运行模式状 态等的指令。此外，当由主机100发出了 INIT_DSPE_CFG的命令时，则使用寄存器部50的各种 寄存器来执行行数据长(水平方向尺寸)的设定、桢数据长(垂直方向尺寸)的设定、数 据驱动器210的各种设定、扫描驱动器220的各种设定等的指令。并且，在指令代码信息中，记录有构成这种各个命令的一系列的指令的代码。即， 记录有用于对寄存器部50的各种寄存器进行指示、设定等的指令的代码列。例如，在想要执行使集成电路装置10转换到运行模式的RUN_SYS的命令时，如果 采用PLL的断电模式中止指示、PLL的锁定等待指示、节能模式的中止指示等全部的指令均 由主机100发出的结构，那么主机100的处理负荷将会加重。因此，在本实施方式中，采用了如下结构，即，主机100只发出RUN_SYS、INIT_ DSPE_CFG等的命令(命令代码及参数)，关于构成各命令的一系列指令被记载在指令代码 信息中。通过这种方式，由于主机100仅发出一个命令，就能够执行构成该命令的一系列指令，因此能够减轻主机100的处理负荷。在这种情况下，构成各命令的指令的内容，有时会依据面板的种类和尺寸等而成 为不同的内容。因此，在本实施方式中，如图10所示，在制造安装有集成电路装置10及电 子光学装置200的电子设备时，采用了从多个指令代码信息中选择与面板的种类和尺寸等 相对应的指令代码信息，并载入到信息存储器110中的方法。通过这种方式，能够在电子设 备实际动作时，从信息存储器110中读出与面板的种类和尺寸等相对应的指令代码信息， 从而控制集成电路装置10的动作。6、信号波形接着，对主机接口、信息存储器接口、面板接口的信号波形示例和显示控制用信号 的信号波形示例进行说明。首先，使用图14(A) 图14(C)对主机接口的详细结构进行说明。在图14(A)、图14⑶中，HCS是片选信号，HD/C是命令/参数(数据)识别信号。 此外，HRD, HWE是读出使能信号、写入使能信号，HDB[15:0]是数据信号。图14(A)是写入参数(数据)的命令模式动作的信号波形图。在图14(A)中，根 据信号HD/C来识别命令相(phase)和参数(数据)相。并且，在命令相中，执行命令的代 码的写入，在参数(数据)相中，执行与命令对应的参数(数据)的写入。图14(B)是读出寄存器数据的命令模式动作的信号波形图。在图14(B)中，也根 据信号HD/C来识别命令相和参数(数据)相。并且，在命令相中，执行命令的代码的写入， 在其后的参数(数据)相中，执行例如指定寄存器的地址等的参数写入。其后，执行来自寄 存器的数据的读出。另外，主机接口并不仅限于如图14(A)、图14⑶所示的并行接口，也可以是如图 4(C)所示的串行接口。在图14(C)中，通过时钟信号SHPICK、片选信号SHPICS、串行输入数 据信号SHPIDI、串行输出数据信号SHPID0、命令/参数(数据)识别信号HD/C，从而实现了 串行的主机接口。接着，使用图15(A) 图15(D)来详细说明信息存储器接口和面板存储器接口。图15 (A)是使用了串行闪存以作为信息存储器110的示例。在这种情况下，信息存 储器接口是通过片选信号Cs、时钟信号SCLK、串行输入数据信号Si、串行输出数据信号SO 来实现的。在图15(B)中，图示了这些信号的波形示例。在片选信号CS被激活(L电平) 后，以与时钟信号SCLK同步的方式，来执行串行输入数据信号Si、串行输出数据信号SO的 输入输出。图15 (C)是使用以I2C协议为基准的EEPROM作为面板ID存储器240的示例。在 这种情况下，面板接口通过时钟信号SCL、串行数据信号SDA的信号线来实现。该SCL、SDA 的信号线为双方向的信号线(双向总线)，由上拉电阻而上拉。在I2C中，能够对一台主机 连接多台从机(Slave)，各个设备都有自己的地址，该地址被包含在用串行数据信号SDA来 传送的数据中。图15⑶是使用了 4线式的串行接口(SPI)的EEPROM来作为面板ID存储器240 的示例。在这种情况下，面板接口由片选信号Cs、时钟信号SCK、串行输入数据信号Si、串行 输出数据信号SO来实现。另外，主机接口、信息存储器接口、面板接口并不限仅于图14㈧ 图15⑶所说
23明的接口，也可以采用，例如与主机、信息存储器、面板ID存储器相对应的各种接口。接下来，对图7中从焊垫组PG3输出的显示控制用信号的示例进行说明。图16㈧是被供给到数据驱动器210的显示控制用信号的波形示例。DCLK是作 为集成电路装置10的内部信号的点时钟信号。SDCE是数据驱动器210的芯片使能信号， SDCLK、SD0[7:0]是被供给到数据驱动器210的时钟信号、数据信号。SDLE是对于数据驱动 器210的锁存使能信号，SDOE是对于数据驱动器210的输出使能信号。在图16(A)中，在信号SDLE变成非激活(L电平)之后，如果信号SDOE变成激活 状态(H电平)的同时，信号SDCE变成激活状态(L电平)，那么数据信号SDO[7:0]将与时 钟信号SDCLK同步地被输出。图16⑶是被供给到扫描驱动器210的显示控制用信号的波形示例。⑶CLK_ internal是扫描驱动器用时钟信号的内部信号，GDCLK是被供给到扫描驱动器220的时钟 信号。⑶OE是对于扫描驱动器220的输出使能信号，⑶SP是扫描驱动器220的扫描开始脉 冲信号。在图16(B)中，在信号GDOE变成激活状态(H电平)之后，如果信号GDSP变为激 活(L电平)，那么开始扫描驱动器220的扫描。从图7的焊垫组PG3，输出图16(A)、图16⑶所示的显示控制用的数据信号、控制信号。另外，从焊垫组PG1、PG2、PG3输入输出的显示控制用信号，不仅限于在图16(A)、 图16(B)中所说明的信号，也可以采用与图像存储器、电子光学装置相对应的各种波形的信号。7、堆叠模式/非堆叠模式本实施方式的集成电路装置10具有堆叠模式和非堆叠模式。如图17(A)所示，堆 叠模式(堆叠状态)为，存储有图像数据的图像存储器120的芯片被堆叠到集成电路装置 10 (显示控制器芯片)上的模式(状态)。即，通过不同的制造过程而被制造出来的两个IC 芯片(图像存储器、显示控制器)被重叠地封装在一起。非堆叠模式(非堆叠状态)为，图 像存储器120的芯片未被堆叠到集成电路装置上的模式(状态)。在堆叠模式下，图像存储器120的存储器焊垫(电极)和集成电路装置10的焊垫 (电极)通过焊接而被内部接线。由此，即使不使用外部图像存储器，也能够将来自主机100 等的图像数据存储在作为VRAM而发挥功能的图像存储器120中。另一方面，在非堆叠模式下，代替图像存储器120而使用了外部图像存储器(被设 置在外部的图像存储器的芯片)。并且，使用来自集成电路装置10的焊垫的地址信号、数据 信号、控制信号等，来访问外部图像存储器，从而进行图像数据的写入或读出。在对应这种堆叠模式和非堆叠模式的双方时，为了实现低成本化，关于集成电路 装置10的芯片自身，优选能够使用相同的掩模数据来制造。即，堆叠模式用的集成电路装 置和非堆叠模式用的集成电路装置，如果是利用不同的掩模数据而制造出的不同的IC芯 片，则会导致成本的增加和产品管理的复杂化等。因此，在图17㈧中，是利用向集成电路装置10的焊垫的焊接接线来实现堆叠模 式和非堆叠模式的切换的。具体而言，在图17(A)中，作为集成电路装置10的焊垫，设置有 堆叠识别用焊垫PVRNE。并且，堆叠识别用焊垫PVRNE在堆叠模式下被设定在GND (广义上的第1电源电压)，在非堆叠模式下被设定在VDD (第2电源电压)。具体而言，在堆叠模式 下，被设定为GND电位的焊线(被连接在组件的GND端子上的焊线)，在IC芯片的封装时， 被连接在堆叠识别用焊垫PVRNE上。另一方面，在非堆叠模式下，被设定为VDD电位的焊 线(被连接在组件的VDD端子上的焊线)，在IC芯片的封装时，被连接在堆叠识别用焊垫 PVRNE 上。并且，图17(B)所示的信息寄存器52，存储堆叠识别信息以作为指令选择信息，该 堆叠识别信息用于识别图像存储器120的芯片被堆叠到集成电路装置上的堆叠模式、和未 被堆叠的非堆叠模式。例如，信息寄存器52存储根据图17(A)的堆叠识别用焊垫PVRNE的 电压而设定的堆叠识别信息。具体而言，信息寄存器52存储堆叠识别位以作为堆叠识别信 息，当堆叠识别用焊垫PVRNE被设定为GND时，该堆叠识别位被设定于第1逻辑电平(例如 “0”)，当PVRNE被设定为VDD时，该堆叠识别位被设定于第2逻辑电平(例如“ 1”)。并且，如果通过堆叠识别用焊垫PVRNE等而被设定到堆叠模式，那么在电子设备 制造时，从多个指令代码信息中，堆叠模式用指令代码信息被载入到信息存储器110中。并 且在电子设备的实际动作时，根据主机100发出的命令以及堆叠模式用的指令代码信息， 执行集成电路装置10的动作控制。另一方面，如果被设定为非堆叠模式，那么在电子设备制造时，从多个指令代码信 息中，非堆叠模式用指令代码信息被载入到信息存储器110中。并且在电子设备的实际动 作时，根据主机100发出的命令以及非堆叠模式用的指令代码信息，来执行集成电路装置 10的动作控制。例如，被设定为堆叠模式的集成电路装置、以及被设定为非堆叠模式的集成电路 装置，作为不同的产品而被提供给用户。并且，被设定为非堆叠模式的产品被提供给，希望 使用比被堆叠的图像存储器容量更大的存储器的用户，作为VRAM使用外部图像存储器。并 且，被堆叠的图像存储器和外部图像存储器，其数据的位宽和地址的位宽不同。例如，被堆 叠的图像存储器的数据是16位宽而地址是11位宽，相对于此，在外部图像存储器中，能够 使用例如数据是32位宽而地址是13位宽的存储器。并且，当如上所述数据和地址的位宽(位数)不同时，则构成命令的指令代码的内 容也变得不同。因此，在处于堆叠模式的情况下，堆叠模式用的指令代码信息被载入到信息 存储器110中，该堆叠模式用的指令代码信息中记录有适合于被堆叠的图像存储器的指令 代码。另一方面，在处于非堆叠模式的情况下，非堆叠模式用的指令代码信息被载入到信息 存储器110中，该非堆叠模式用的指令代码信息中记录有适合于外部图像存储器的指令代 码。另一方面，如图17(A)所示，当通过向堆叠识别用焊垫PVRNE的焊接而对堆叠模式 和非堆叠模式进行切换时，从组件的外观上就难以区分集成电路装置10是处于堆叠模式 还是非堆叠模式。因此，在本实施方式中，信息寄存器52存储根据堆叠识别用焊垫PVRNE的电压而 设定的堆叠识别信息。通过这种方式，主机100通过经由主机接口 20而读出信息寄存器52 的堆叠识别信息，从而能够识别出集成电路装置10是处于堆叠模式还是非堆叠模式。并 且，在处于堆叠模式的情况下，将堆叠模式用指令代码信息载入到信息存储器110中，在处 于非堆叠模式的情况下，将非堆叠模式用指令代码信息载入到信息存储器110中。
通过这种方式，在电子设备的制造时，集成电路装置10是堆叠模式的产品还是非 堆叠模式的产品，能够根据信息寄存器52的堆叠识别信息而自动地判别，从而与各模式相 对应的指令代码信息被载入到信息存储器110中。因此，与在电子设备制造时通过手工操 作等来选择指令代码信息并载入的方法相比，实现了制造的效率化。因此，能够提高制造的 生产能力等，从而能够使电子设备的批量生产等简单化。另外，虽然如上所述对本实施方式进行了详细说明，但是本领域技术人员应当能 够理解，本发明可以进行在实质上不脱离本发明的新特征及效果的多种变形。因此，这种变 形例也均包括在本发明的范围内。例如，在说明书或附图中，至少一次与较广义或同义的 不同用语(电子光学装置接口、存储器等)一起被记载的用语(面板接口、面板ID存储器 等)，在说明书或附图的任意位置中，均能够置换为不同的用语。此外，集成电路装置、电子 设备的结构、动作也并不仅限于本实施方式中所说明的内容，其可以实施各种变形。
权利要求
1.一种集成电路装置，其特征在于，包括第1焊垫 第i焊垫，与被堆叠在集成电路装置上的存储器的第1存储器焊垫 第i 存储器焊垫相连接；第j焊垫 第k焊垫，与所述存储器的第j存储器焊垫 第k存储器焊垫连接(1 < i < j < k)；至少一个焊垫，被配置在所述第i焊垫和所述第j焊垫之间，所述至少一个焊垫为，不与所述存储器的存储器焊垫连接，且用于与集成电路装置的 外部之间进行信号的输入或输出的焊垫。
2.如权利要求1所述的集成电路装置，其特征在于，所述集成电路装置具备，用于执行所述存储器的数据的读出控制、写入控制的控制部，所述控制部在所述存储器的芯片被堆叠到集成电路装置上的堆叠模式下，执行所述存 储器的数据的读出控制、写入控制，而在所述存储器的芯片未被堆叠到集成电路装置上的 非堆叠模式下，执行外部存储器的数据的读出控制、写入控制，被配置在所述第i焊垫和所述第j焊垫之间的所述至少一个焊垫为，在所述非堆叠模 式下，用于输出或输入所述外部存储器的数据信号、地址信号及控制信号中的至少一个信 号的非堆叠模式用焊垫。
3.如权利要求1或2所述的集成电路装置，其特征在于，所述第i存储器焊垫和所述第j存储器焊垫之间，未配置有存储器焊垫。
4.如权利要求3所述的集成电路装置，其特征在于，在将所述第i存储器焊垫和所述第j存储器焊垫之间的距离设为LDS，并将存储器焊垫 的配置间距设为LP时，LDS彡2LP。
5.如权利要求1或2所述的集成电路装置，其特征在于，在所述第i存储器焊垫和所述第j存储器焊垫之间，配置有电源焊垫。
6.如权利要求1 5中任意一项所述的集成电路装置，其特征在于，所述第1存储器焊垫 所述第i存储器焊垫及所述第j存储器焊垫 所述第k存储器 焊垫，是包含于第1存储器焊垫组中的存储器焊垫，或是包含于第2存储器焊垫组中的存储 器焊垫，其中，所述第1存储器焊垫组沿着所述存储器的芯片的第1芯片边而配置，而所述 第2存储器焊垫组沿着所述存储器的芯片的与所述第1芯片边对置的第3芯片边而配置；所述第1焊垫 所述第i焊垫及所述第j焊垫 所述第k焊垫，是包含于第1焊垫组 中的焊垫，或是包含于第2焊垫组中的焊垫，其中，所述第1焊垫组沿着集成电路装置的第1 边而配置，而所述第2焊垫组沿着所述集成电路装置的与所述第1边对置的第3边而配置。
7.如权利要求6所述的集成电路装置，其特征在于，所述存储器是存储图像数据的图像存储器，所述控制部根据存储在所述图像存储器中的图像数据，进行电子光学装置的显示控制。
8.如权利要求7所述的集成电路装置，其特征在于，包含所述第1焊垫组，其被连接在所述第1存储器焊垫组上，并沿着集成电路装置的所述第 1边而配置，其中，所述第1存储器焊垫组沿着所述图像存储器的芯片的所述第1芯片边而 配置；所述第2焊垫组，其被连接在所述第2存储器焊垫组上，并沿着集成电路装置的所述第 3边而配置，其中，所述第2存储器焊垫组沿着所述图像存储器的芯片的所述第3芯片边而 配置；第3焊垫组，其沿着集成电路装置的与所述第1边及所述第3边交叉的第2边而配置， 并输出所述电子光学装置的显示控制用的数据信号及控制信号。
9.如权利要求8所述的集成电路装置，其特征在于， 包括主机接口用的第4焊垫组，所述第4焊垫组沿着集成电路装置的与所述第2边对置的第4边而配置。
10.如权利要求8或9所述的集成电路装置，其特征在于，包括输出所述电子光学装置的电源电路控制用的信号的第5焊垫组， 所述第5焊垫组沿着集成电路装置的所述第2边而配置。
11.如权利要求8 10中任意一项所述的集成电路装置，其特征在于，所述控制部在所述图像存储器的芯片被堆叠到集成电路装置上的堆叠模式下，根据来 自所述图像存储器的所述图像数据，执行所述电子光学装置的显示控制，而在所述图像存 储器的芯片未被堆叠到集成电路装置上的非堆叠模式下，根据来自外部图像存储器的外部 图像数据，执行所述电子光学装置的显示控制。
12.如权利要求11所述的集成电路装置，其特征在于，包括堆叠识别用焊垫，该堆叠识别用焊垫在所述堆叠模式下经由焊线而被设定于第1 电源电压，而在所述非堆叠模式下经由焊线而被设定于第2电源电压。
13.如权利要求8 10中任意一项所述的集成电路装置，其特征在于，包括主机接口，其进行与主机的接口处理；信息寄存器，其对所述主机提示信息， 所述信息寄存器存储指令选择信息，所述指令选择信息用于选择指令代码信息，该指 令代码信息中表述有构成所述主机发出的各命令的指令代码，在制造含有所述电子光学装置的电子设备时，将根据存储在所述信息寄存器中的所述 指令选择信息而从多个指令代码信息中选择的指令代码信息，载入到所述信息存储器中，在所述电子设备的实际动作时，所述控制部根据所述主机发出的命令、以及从所述信 息存储器读出的所述指令代码信息，来执行集成电路装置的动作控制。
14.如权利要求13所述的集成电路装置，其特征在于，所述信息寄存器存储堆叠识别信息以作为所述指令选择信息，所述堆叠识别信息用于 对存储图像数据的所述图像存储器的芯片被堆叠到集成电路装置上的堆叠模式、及所述图 像存储器的芯片未被堆叠到集成电路装置上的非堆叠模式进行识别。
15.如权利要求14所述的集成电路装置，其特征在于， 在所述堆叠模式下，在制造所述电子设备时，所述多个指令代码信息中，堆叠模式用指令代码信息被载入 到所述信息存储器中，而在所述电子设备的实际动作时，根据所述主机发出的命令、以及所 述堆叠模式用指令代码信息，来执行集成电路装置的动作控制； 在所述非堆叠模式下，在制造所述电子设备时，所述多个指令代码信息中，非堆叠模式用指令代码信息被载 入到所述信息存储器中，而在所述电子设备的实际动作时，根据所述主机发出的命令、以及所述非堆叠模式用指令代码信息，来执行集成电路装置的动作控制。
16.如权利要求14或15所述的集成电路装置，其特征在于，包括堆叠识别用焊垫，所述堆叠识别用焊垫在所述堆叠模式下经由焊线而被设定于第 1电源电压，而在所述非堆叠模式下经由焊线而被设定于第2电源电压，所述信息寄存器存储按照所述堆叠识别用焊垫的电压而设定的所述堆叠识别信息。
17.一种电子设备，其特征在于，包含权利要求1 16中任意一项所述的集成电路装置。
全文摘要
本发明提供一种能够在降低接线不良的发生的同时实现存储器的堆叠的集成电路装置及电子设备等。集成电路装置(10)包括控制部(30)，其执行被堆叠到集成电路装置(10)上的存储器(121)的数据的读出控制、写入控制；第1～第i焊垫(P1)～(Pi)，其被连接在存储器(121)的第1～第i存储器焊垫(PM1)～(PMi)上；第j～第k焊垫(Pj)～(Pk)，其被连接在第j～第k存储器焊垫(PMj)～(PMk)上；至少一个焊垫(Pi+1)～(Pj-1)，其被配置在第i焊垫(Pi)和第j焊垫(Pj)之间。焊垫(Pi+1)～(Pj-1)为，不与存储器(121)的存储器焊垫连接，且用于与集成电路装置(10)的外部之间进行信号的输入或输出的焊垫。
文档编号G06F3/06GK101996970SQ201010246188
公开日2011年3月30日 申请日期2010年8月4日 优先权日2009年8月5日
发明者小川英树, 岩佐伊郎 申请人:精工爱普生株式会社