专利名称：抗电磁干扰触控面板的制作方法
技术领域：
本创作关于一种触控面板，特别是关于一种抗电磁干扰触控面板。
背景技术：
由于液晶显示器已逐渐普及至各种需要显示信息给使用者的电子产品，并且，由 于触控面板所提供的人性化操作接口，使得以触控面板搭配液晶显示器的架构也成为电子 产品的显学，藉以取代如按键或鼠标等输入装置的配置，而使得液晶显示器可以成为操作 简单，容易使用的显示与输入双接口。目前较普遍的触控面板主要有电阻式触控面板及电容式触控面板。然而，无论是 哪种触控面板，皆有因法规要求的抗电磁干扰的设计。一般的电容式触控面板的抗电磁干 扰主要于基板的下表面镀上一层极薄的透明氧化金属薄膜(例如，氧化铟锡，ΙΤ0)，其作用 为遮蔽电磁干扰，以维持触控面板能在良好无干扰的环境下工作。然而，目前所设计的透明 氧化金属薄膜的遮蔽电磁干扰的成效不佳。在某些场合中，触控面板的抗电磁干扰能力必须特别加以提升，例如，在航空飞行 器中的触控装置，因而，前述以极薄的透明氧化金属薄膜的抗电磁干扰能力显得极为不足。 因此，为了能提高抗电磁干扰的能力，许多厂商投入研究来开发能具有高抗电磁波能力的 产品。例如，中国台湾新型专利第M334，405号，其揭示了一种抗电磁干扰的电容式触控面 板，请参考图1，其在基板10的下表面以光学胶黏附金属网14，而金属网14由复数金属线 材141编织而成，基板10上则形成有触控用的导电薄膜11与保护层13，金属网14底面则 有底层16。由于金属线材141的线宽介于0.01mm至0. 1mm，因此，可达到透光的效果。由 于运用金属网的结构，可具有低阻抗(约4Ω)的特性，而使得其抗电磁干扰的效果较佳。不过，运用金属网或可解决低阻抗而达到高抗电磁干扰的特性，不过，却也衍生出 低透光率(60%左右)与极高成本的问题。发明内容鉴于以上公知技术的问题，本创作为一种抗电磁干扰触控面板，包括感应电路层 与厚膜透明导电层。其中，感应电路层具有一上表面，受一对象触碰时产生一感应量，用以 提供外部的一侦测电路该感应量的变化以计算该对象的触碰坐标。厚膜透明导电层复合于 感应电路层的下表面，其厚度介于1500人 4000 A,阻值介于10 Ω 0.5 Ω之间，藉以防 止电磁辐射所产生的干扰。为让本创作的上述和其它目的、特征、和优点能更明显易懂，下文特举数个较佳实 施例，并配合所附图式，作详细说明如下
图1为公知技术以金属网作为抗电磁干扰功能的触控面板示意图；图2为本创作的抗电磁干扰触控面板20的实施例剖面结构示意图。符号说明10 基板11 导电薄膜13 保护层14 金属网[0014]141 金属线材16 底层20 触控面板21 感应电路层22 厚膜透明导电层
具体实施方式
请参考图2，其为本创作的抗电磁干扰触控面板20的实施例剖面结构示意图。抗 电磁干扰触控面板20包含感应电路层21、厚膜透明导电层22。其中，感应电路层21具有 用以接受触碰的上表面，感应电路层21的上表面受一对象触碰时产生一感应量，外部的侦 测电路依据感应量的变化即可计算对象的触碰坐标。厚膜透明导电层22复合于感应电路 层21的下表面，其厚度介于1500 A-4000 A，阻值介于10 Ω 0. 5 Ω / □(片电阻值) 之间，藉以能防止抗电磁干扰触控面板20或其周边电子组件所产生的电磁辐射所产生的 电磁干扰。其中，厚膜透明导电层22可以ITO (铟锡氧化物)、ATO (锑锡氧化物)、FTO (氟 锡氧化物)、IZO (锌锡氧化物)...等透明金属氧化物制作。其中，以ITO层制作的厚度在 1500人 4000 A之间时，其光穿透率可达75%至86%，效果较以金属网制作者佳。亦即，通过本创作的厚膜透明导电层22的配置，即可实现低成本且高透光效果的 抗电磁干扰触控面板。虽然本创作的较佳实施例揭露如上所述，然其并非用以限定本创作，任何熟悉相 关技术人员，在不脱离本创作的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰，因此本创作的保 护范围须视权利要求所界定的内容为准。
权利要求1.一种抗电磁干扰触控面板，其特征在于，包含一感应电路层，具有一上表面，受一对象触碰时产生一感应量，用以提供外部的一侦测 电路该感应量的变化以计算该对象的触碰坐标；及厚膜透明导电层，复合于该感应电路层 的下表面，其厚度介于1500A~4000 A，阻值介于10 Q 0.5 Q / □之间。
2.如权利要求1所述的抗电磁干扰触控面板，其特征在于，该厚膜透明导电层为一透明氧化金属层。
专利摘要本创作为一种抗电磁干扰触控面板，包含感应电路层与厚膜透明导电层。感应电路层包含有供触控用的导电层与电极层等，藉以供使用者触碰操作。厚膜透明导电层的厚度介于阻值介于10Ω～0.5Ω之间，藉以能防止电磁辐射而产生的干扰。
文档编号G06F3/041GK201780566SQ20102026690
公开日2011年3月30日 申请日期2010年7月16日 优先权日2010年7月16日
发明者叶俊玮, 陈亦达 申请人:万达光电科技股份有限公司