专利名称：一种能够改写高矫顽力磁卡的磁头的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种磁卡读写设备，具体涉及一种能够改写高矫顽力磁卡的磁头。
背景技术：
普通磁卡的矫顽力一般在300 Oe到500 Oe之间，随着对磁卡要求的提高，目前在市面上使用的磁卡逐渐向高矫顽力方向发展，这样磁卡上的数据不容易改写，磁卡跟低磁场接触不容易丢失数据，目前高矫顽力磁卡的矫顽力通常在2750 Oe,有的磁卡的矫顽力甚至超过3600 Oe以及4000 Oe0针对此情况，就对改写磁卡上数据的磁头提出了更高的要求，要求磁卡写磁头能够改写4000 Oe的磁卡。理论上来讲，要求磁头材料的饱和磁感应强度是矫顽力的三到五倍，因此在选用材料的时候就应该采用饱和磁感应强度要大于I. 2T以上的材料。 为此需要一种能够改写高矫顽力磁卡的磁头，能够有效改写高矫顽力磁卡的数据，读写速度快，涡流损耗小，结构稳定可靠，使用寿命长，体积小，外形美观，发展前景好，应用范围广泛。
发明内容
为解决上述技术问题，本发明的目的在于提供一种读写速度快，涡流损耗小，结构稳定可靠，使用寿命长，体积小，外形美观，发展前景好，应用范围广泛的能够改写高矫顽力磁卡的磁头。为达到上述目的，本发明的技术方案如下一种能够改写高矫顽力磁卡的磁头，包括坡莫合金材料制成的磁头芯片、线圈骨架组件、锌铝合金材料制成的磁头支架和外壳，所述磁头支架设置在所述外壳内，所述磁头芯片设置在所述磁头支架内，所述磁头芯片为两个，所述磁头芯片包括芯片前嘴和芯片后脚，所述线圈骨架组件设有通孔，所述两个磁头芯片的芯片后脚分别设置在所述通孔内，并且所述两个磁头芯片相对接形成一个磁道。优选的，所述两个磁头芯片相对接后形成前嘴缝隙和后脚缝隙，所述前嘴缝隙和后脚缝隙设置在所述磁头的几何中心。优选的，所述磁头芯片至少由两片芯片叠合而成。优选的，所述磁头芯片两侧还分别设有至少一片辅助芯片。优选的，所述磁头为单磁道或者多磁道。优选的，所述多磁道磁头还设有防止磁道之间相互干扰的屏蔽片，所述屏蔽片设置在相邻两磁道之间，所述屏蔽片至少为一片。
采用本技术方案的有益效果是能够有效改写高矫顽力磁卡的数据，读写速度快，涡流损耗小，结构稳定可靠，使用寿命长，体积小，外形美观，发展前景好，应用范围广泛。
为了更清楚地说明本发明实施例技术中的技术方案，下面将对实施例技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图I为本发明的结构示意图。图2为本发明的俯视示意图。图3为本发明的磁头芯片结构示意图。图4为本发明的线圈骨架组件结构示意图。图5为本发明的辅助芯片结构示意图。
图6为本发明的一种实施例。图中数字和字母所表示的相应部件名称
I.磁头外壳2.磁头支架3.左磁头芯片4.右磁头芯片5.线圈骨架组件6.芯片前嘴
7.芯片后脚8.通孔9.前嘴缝隙10.后脚缝隙11.辅助芯片12.屏蔽片。
具体实施例方式下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。实施例1，
如图I和图4所示，本发明的实施例，一种能够改写高矫顽力磁卡的磁头，包括坡莫合金材料制成的磁头芯片、线圈骨架组件5、锌铝合金材料制成的磁头支架2和外壳I，磁头支架2设置在外壳I内，磁头芯片设置在磁头支架2内，磁头芯片为两个，分别为左磁头芯片3和右磁头芯片4，磁头芯片包括芯片前嘴6和芯片后脚7，线圈骨架组件5设有通孔8，左磁头芯片3和右磁头芯片4的芯片后脚7分别设置在所述通孔8内，并且左磁头芯片3和右磁头芯片4相对接形成一个磁道，左磁头芯片3和右磁头芯片4相对接后形成前嘴缝隙9和后脚缝隙10，前嘴缝隙9和后脚缝隙10设置在磁头的几何中心，本实施例的磁头为单磁道磁头。磁头芯片采用新型具有高饱和磁感应强度的坡莫合金材料制成，提高了磁头的磁通密度，有效增加了磁头的写磁场，能够改写高矫顽力磁卡的数据，增强了磁头的表面抗氧化能力，磁头表面更加光滑，同时为了提高写卡速度，降低材料的厚度，减少材料的涡流损耗。磁头支架采用锌铝合金材料制成，固定磁头的轨迹，使磁头的写卡符合磁卡轨迹的要求。如图3所示，本实施例中磁头芯片由九片芯片叠合而成，有效地减小涡流损耗。磁头芯片至少为两片芯片叠合而成，根据工作需求的不同，设计磁头芯片所需叠合芯片的数量。如图2所示，本实施例中磁头芯片两侧还分别设有两片辅助芯片11。如图5所示，采用磁头芯片两侧设置辅助芯片11的结构，给磁头的线圈骨架组件5留出相应的空间，保证磁头的各方面的性能。实施例2，
如图6所示，本发明的另一种实施例，其余与实施例I相同，不同之处在于，本实施例为双磁道磁头，两磁道之间还设有防止磁道之间相互干扰的屏蔽片12，本实施例中屏蔽片12为三片，中间一片为坡莫合金材料制成，起到磁屏蔽的效果，另外两片为铜材料制成，起到隔磁作用的同时，还起到电屏蔽的效果。而且加大屏蔽片12的尺寸，可以增加磁头的写卡屏蔽效果，减小磁头芯片前脚的尺寸，增加磁头的写磁通流量，从而提高磁头的写卡性能。本发明的磁头可以做成单磁道、双磁道、三磁道或者四磁道，根据不同的工作需求，设计相应的磁道数量。屏蔽片12至少为一片，根据工作要求的不同，设计相应屏蔽片12的数量。实施例3，
其余与实施例I相同，不同之处在于，在磁头的磁头芯片的边上采用陶瓷材料，可以提高磁头的使用寿命。采用本技术方案的有益效果是能够有效改写高矫顽力磁卡的数据，读写速度快，涡流损耗小，结构稳定可靠，使用寿命长，体积小，外形美观，发展前景好，应用范围广泛。对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够 实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。
权利要求
1.一种能够改写高矫顽力磁卡的磁头，其特征在于，包括坡莫合金材料制成的磁头芯片、线圈骨架组件、锌铝合金材料制成的磁头支架和外壳，所述磁头支架设置在所述外壳内，所述磁头芯片设置在所述磁头支架内，所述磁头芯片为两个，所述磁头芯片包括芯片前嘴和芯片后脚，所述线圈骨架组件设有通孔，所述两个磁头芯片的芯片后脚分别设置在所述通孔内，并且所述两个磁头芯片相对接形成一个磁道。
2.根据权利要求I所述的一种能够改写高矫顽力磁卡的磁头，其特征在于，所述两个磁头芯片相对接后形成前嘴缝隙和后脚缝隙，所述前嘴缝隙和后脚缝隙设置在所述磁头的几何中心。
3.根据权利要求I或2所述的一种能够改写高矫顽力磁卡的磁头，其特征在于，所述磁头芯片至少由两片芯片叠合而成。
4.根据权利要求3所述的一种能够改写高矫顽力磁卡的磁头，其特征在于，所述磁头芯片两侧还分别设有至少一片辅助芯片。
5.根据权利要求I所述的一种能够改写高矫顽力磁卡的磁头，其特征在于，所述磁头为单磁道或者多磁道。
6.根据权利要求5所述的一种能够改写高矫顽力磁卡的磁头，其特征在于，所述多磁道磁头还设有防止磁道之间相互干扰的屏蔽片，所述屏蔽片设置在相邻两磁道之间，所述屏蔽片至少为一片。
全文摘要
本发明公开了一种能够改写高矫顽力磁卡的磁头，包括坡莫合金材料制成的磁头芯片、线圈骨架组件、锌铝合金材料制成的磁头支架和外壳，所述磁头支架设置在所述外壳内，所述磁头芯片设置在所述磁头支架内，所述磁头芯片为两个，所述磁头芯片包括芯片前嘴和芯片后脚，所述线圈骨架组件设有通孔，所述两个磁头芯片的芯片后脚分别设置在所述通孔内，并且所述两个磁头芯片相对接形成一个磁道。采用本技术方案的有益效果是读写速度快，涡流损耗小，结构稳定可靠，使用寿命长，体积小，外形美观，发展前景好，应用范围广泛。
文档编号G06K17/00GK102955952SQ20111024125
公开日2013年3月6日 申请日期2011年8月22日 优先权日2011年8月22日
发明者张虎臣, 毛维贤, 沈伟林 申请人:苏州星火磁电技术有限公司