一种陶瓷抛光机能耗分布状态仿真的方法及系统与流程

文档序号:12470705阅读:153来源:国知局
一种陶瓷抛光机能耗分布状态仿真的方法及系统与流程
本发明涉及仿真
技术领域
,特别涉及一种陶瓷抛光机能耗分布状态仿真的方法及系统。
背景技术
:随着能源需求和气候变化问题得到越来越多的人们关注,在人们一致倡导绿色制造,呼吁节约能源的大背景驱动下,很多高能耗企业面临着节能减排问题。尽管我国建筑陶瓷发展迅猛,但总体上存在能耗高、资源消耗大、综合利用率低、生产效率低等问题。我国陶瓷工业是一个高能耗行业,从原料的制备到产品入库,燃料、电力等能源成本就占了整个陶瓷生产成本的23%~40%。其中瓷砖生产是能量密集型且重污染的高耗能过程,而抛光过程更是占据了40%的最终电力成本,抛光的实质就是一种典型的材料去除磨削过程,瓷砖抛光过程中伴随着大量的废料,据统计:每生产1平方米的抛光砖将产生1.5千克的碎屑,同时由于磨具磨损,混入的碎屑废料约0.6千克,综合来讲生产1平方米将产生2.1千克左右的抛光废渣。按此计算,我国2013年抛光砖抛光废料达到了2035万吨。因此,降低瓷砖抛光的总体生产能耗、减小废料的排放量是亟待解决的课题。目前,国内外学者面向陶瓷抛光质量与成本做了大量的技术研究,但忽略了能耗这一目标。极少学者提出通过这种仿真建模方法可得出不同工况下的瓷砖表面能量消耗强度的空间分布和磨削能的动态特性。当然,为达到抛光过程的能效优化目的,目前有两套已有的技术实现方案,其一是通过表头去采集各耗能部件的最终电能数据,然后数据统计分析得出每一组工艺参数对应电能消耗的关系,通过这种关系建立线性回归模型分析磨削能耗。很显然此方法未结合陶瓷抛光机理分析它的动态能流特性,所得试验模型与实际相差太大,可靠性低。其二是通过设计传感器布局,采用先进的能耗数据采集技术去获取各耗能部件在磨削过程中的实时动态能耗数据,此方案比较新颖且能得到较为精确的能耗数据,但它忽略了这种复杂的磨削机理所给抛光过程造成的影响,并不能完全揭示不同工况下瓷砖表面的能量消耗强度的空间分布和磨削能的动态特性与对应工艺参数的内部关联关系的本质影响。因此,如何准确合理的实现陶瓷抛光机能耗分布状态仿真,是本领域技术人员需要解决的技术问题。技术实现要素:本发明的目的是提供一种陶瓷抛光机能耗分布状态仿真的方法及系统,均能够更准确、可靠的实现陶瓷抛光机能耗动态特性的仿真分析,支撑陶瓷抛光机能效智能分析与优化决策。为解决上述技术问题,本发明提供一种陶瓷抛光机能耗分布状态仿真的方法,包括:根据用户的选择及知识数据库确定预设设备参数及操作参数;根据所述预设设备参数对磨块进行离散化处理形成N个磨粒,对瓷砖进行离散化处理形成预定个数个离散单元,并建立坐标系确定各所述磨粒及各所述离散单元的坐标;分别计算各所述磨粒对应的预定时间间隔及进给运动的能耗、横向摆动的能耗及旋转运动的能耗,并将各所述磨粒的三种能耗相加得到各所述磨粒在对应预定时间间隔内的总能耗;分别计算各所述磨粒对应的运动轨迹方程,根据所述运动轨迹方程确定在对应的每个预定时间间隔各磨粒对应的位置坐标,并在所述位置坐标对应的离散单元中累加对应磨粒在对应预定时间间隔内的总能耗,输出能耗分布。其中,还包括:将用户输入的各组预设设备参数及操作参数对应的能耗分布,以图标的形式显示。其中,根据所述预设设备参数对磨块进行离散化处理形成N个磨粒,对瓷砖进行离散化处理形成预定个数个离散单元,并建立坐标系确定各所述磨粒及各所述离散单元的坐标,包括:根据磨块尺寸将磨块均匀离散化为N个磨粒,根据瓷砖尺寸将瓷砖均匀离散化为H×K个离散单元;以瓷砖前进的方向作为轴,以磨块中磨头横向摆动方向为轴建立直角坐标系;设置磨头进入瓷砖前的中心点坐标为C(x,y),并根据计算出各磨粒P(xi,yi)的坐标;其中,r为磨粒到磨头中心点C的距离,θ为轴与r的夹角;将离散单元用矩阵R表示,设置左下角的离散单元的坐标为(1,1),根据离散个数H×K及瓷砖尺寸n×n确定各离散单元R(i,j)的坐标为其中,预定时间间隔的确定方法,包括:利用公式计算预定时间间隔Δt;其中,θ为磨粒与离散单元的旋转角度,ω为转速,R为半径,a为离散单元的对角线长度。其中,计算各所述磨粒的进给运动的能耗,包括:根据公式计算各所述磨粒的进给运动的能耗其中,μ为摩擦系数,σ为抛光头压力,dS为磨粒与瓷砖表面的有效单位接触面积,V为瓷砖进给速度,t是抛光时间,dEresistance为阻力做功。其中,计算各所述磨粒的横向摆动的能耗,包括:根据公式计算各所述磨粒的横向摆动的阻力做功能耗dEresistance;根据公式计算各所述磨粒的横向摆动的合力做功能耗dEresultant;将各所述磨粒横向摆动的阻力做功能耗dEresistance与各所述磨粒横向摆动的合力做功能耗dEresultant相加得到各所述磨粒的横向摆动的能耗其中,为磨粒密度,h为磨粒高度,dS为磨粒与瓷砖表面的有效单位接触面积,A为摆幅,f为摆动频率,t为抛光时间,μ为摩擦系数,σ为抛光头压力。其中,计算各所述磨粒的旋转运动的能耗,包括:根据公式计算各所述磨粒的旋转运动的能耗其中,ω为磨粒的角速度;r为磨粒到磨头中心的距离,dEresistance为阻力做功。其中,计算各所述磨粒的运动轨迹方程,包括:根据公式计算各所述磨粒的运动轨迹方程;其中,为磨粒的位移向量,为磨粒进给运动向量,为磨粒绕磨头中心旋转的方向向量,为磨粒横向摆动的位移向量,t为时间。其中,根据所述运动轨迹方程确定每个所述预定时间间隔各磨粒对应的位置坐标,并在所述位置坐标对应的离散单元中累加对应磨粒在对应预定时间间隔的总能耗,输出能耗分布,包括:计算各所述磨粒结束仿真的时间Ti;各所述磨粒依次从初始位置坐标开始执行仿真,根据磨粒的运动轨迹方程计算每隔Δt后该磨粒新的位置坐标,并在新的位置坐标对应的离散单元中加上该磨粒在新的位置坐标对应的时间间隔Δt中的总能耗,直到该磨粒到达时间Ti,当所有磨粒完成仿真后,输出能耗分布矩阵。本发明提供一种陶瓷抛光机能耗分布状态仿真的系统,包括:仿真参数处理与设置引擎模块,用于根据用户的选择及知识数据库确定预设设备参数及操作参数;磨粒及坐标生成引擎模块,用于根据所述预设设备参数对磨块进行离散化处理形成N个磨粒,对瓷砖进行离散化处理形成预定个数个离散单元,并建立坐标系确定各所述磨粒及各所述离散单元的坐标;仿真时间设计模块,用于分别计算各所述磨粒对应的预定时间间隔;能耗计算模块,用于分别计算各所述磨粒对应的进给运动的能耗、横向摆动的能耗及旋转运动的能耗,并将各所述磨粒的三种能耗相加得到各所述磨粒在对应预定时间间隔内的总能耗;能量强度分布实现模块,用于分别计算各所述磨粒对应的运动轨迹方程,根据所述运动轨迹方程确定在对应的每个预定时间间隔各磨粒对应的位置坐标,并在所述位置坐标对应的离散单元中累加对应磨粒在对应预定时间间隔内的总能耗,输出能耗分布。本发明所提供的一种陶瓷抛光机能耗分布状态仿真的方法,该方法综合考虑了抛光过程能流特性的分析和三大运动方向磨削能能量的计算,能够准确可靠的实现陶瓷抛光机能耗动态特性的仿真分析,支撑陶瓷抛光机能效智能分析与优化决策;本发明还提供一种陶瓷抛光机能耗分布状态仿真的系统,具有上述有益效果,在此不再赘述。附图说明为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据提供的附图获得其他的附图。图1为本发明实施例所提供的陶瓷抛光机能耗分布状态仿真的方法的流程图;图2为本发明实施例所提供的磨粒及各离散单元的坐标示意图;图3为本发明实施例所提供的预定时间间隔计算原理示意图;图4为本发明实施例所提供的一种陶瓷抛光机能耗分布状态仿真的系统的结构框图;图5为本发明实施例所提供的另一陶瓷抛光机能耗分布状态仿真的系统的结构框图。具体实施方式本发明的核心是提供一种陶瓷抛光机能耗分布状态仿真的方法及系统,均能够更准确、可靠的实现陶瓷抛光机能耗动态特性的仿真分析,支撑陶瓷抛光机能效智能分析与优化决策。为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。请参考图1,图1为本发明实施例所提供的陶瓷抛光机能耗分布状态仿真的方法的流程图;该方法可以包括:S100、根据用户的选择及知识数据库确定预设设备参数及操作参数;其中,根据用户输入的工艺参数(即可以包括预设设备参数及操作参数),由知识数据库获得相关参数,为其他模块建立抛光能耗仿真模型做准备。用户输入的参数可以包括设备参数即(预定设备参数)和操作参数两部分。首先由知识数据库根据用户选择的设备参数确定抛光设备型号、加工瓷砖的尺寸、磨块尺寸、摆动幅度等。其次,基于设备型号确定操作参数的类型(包括磨头转动角速度,摆动频率,瓷砖进给速度等)及其取值范围。最后由用户输入操作参数值,并将所有的设备参数和操作参数传输到其他引擎或模块当中。用户可以建立多组工艺参数进行仿真,通过对多组仿真参数的仿真获取能耗分布结果,通过对结果的对比可以优化工艺参数,从而达到降低能耗的目的。S110、根据所述预设设备参数对磨块进行离散化处理形成N个磨粒,对瓷砖进行离散化处理形成预定个数个离散单元,并建立坐标系确定各所述磨粒及各所述离散单元的坐标;其中,根据磨头的结构特点将所有磨块离散成N个单元,每个单元代表一个磨粒,即形成了N个磨粒,瓷砖进行离散化可以根据瓷砖的尺寸分割成预定个数的区域,形成各个离散单元,这些离散单元为了方便后续计算可以用矩阵进行表示。具体过程可以是瓷砖表面同时需要均匀离散化为H×K个单元,用矩阵R表示;Rij为矩阵R的元素,用于记录磨粒抛光过程中的能耗,作为抛光能耗分布矩阵。为确定离散单元的位置坐标也可以叫做坐标位置,需要建立坐标系,这里坐标系的选择可以根据用户需求,这里为了方便用户计算的方便,这里可以选用直角坐标系;如2图所示建立直角坐标系:假设瓷砖静止,磨头做相对运动,以瓷砖左下方为原点,瓷砖前进的方向作为轴,磨头横向摆动方向为轴建立直角坐标系;产生离散单元坐标,分为磨块和瓷砖两部分:磨块离散坐标:设置磨头进入瓷砖前的中心点坐标为C(x,y),并根据计算出各磨粒P(xi,yi)的坐标;其中,r为磨粒到磨头中心点C的距离,θ为轴与r的夹角;瓷砖的离散单元的坐标:瓷砖的离散单元用矩阵R表示,设置左下角的离散单元的坐标为(1,1),根据离散个数H×K及瓷砖尺寸n×n确定各离散单元R(i,j)的坐标为S120、分别计算各所述磨粒对应的预定时间间隔及进给运动的能耗、横向摆动的能耗及旋转运动的能耗,并将各所述磨粒的三种能耗相加得到各所述磨粒在对应预定时间间隔内的总能耗;其中,为便于建立能耗模型,假设瓷砖静止,而磨头产生相对运动进行抛磨。由陶瓷抛光机的加工机理可知,磨粒的运动由进给运动,横向摆动,自转运动三种运动形式构成,三种运动的能耗组成了磨粒抛光的总能耗:dEtotal=dED→E+dED→OL+dED→R]]>其中,dEtotal为磨粒于时间t0的所消耗的能量,为进给运动的能耗,为横向摆动的能耗,为磨粒自转的能耗。由动力学可知,运动物体的执行功dE分为阻力做功dEresistance和合力做功dEresultant:因此得到dE=dEresistance+dEresultant。因此,分别计算三种运动的阻力做功和合力做功,求得的能耗计算公式,能耗计算具体过程可以如下所示:进给运动的能耗:为保证抛光加工的稳定性,瓷砖以恒定速度在传送带上传输(图2中方向),并与磨头接触实现抛光。由于瓷砖匀速进给,故合力为零,使得合力所消耗的能耗同样为零,即dEresultant=0。因此,进给运动的能耗由阻力所做的功所决定,而抛光阻力变现为磨粒与砖面间的摩擦力;由于抛光运动的特殊性,磨头还需完成横向摆动,造成进给过程中磨粒出现与瓷砖存在接触与不接触两种形式,接触时存在摩擦力,相反不接触是摩擦力为零,因此在磨头压力作用下单个磨粒为克服抛光过程中阻力所做的功如下:dED→E=dEresistance=μ·σ·dS·V·dtifcontact0else]]>其中,μ为摩擦系数,σ为抛光头压力,dS为磨粒与瓷砖表面的有效单位接触面积,V为瓷砖进给速度,t是抛光时间,dEresistance为阻力做功。横向摆动的能耗:抛光大规格瓷砖时,磨头需要执行横向的来回摆动运动(图2中方向),实现瓷砖表面抛光均匀。横向摆动的能耗受摆动频率f与摆动幅度A影响,磨粒合力做功为:同样地,磨粒阻力表现为磨粒与砖面间的摩擦力,根据其与瓷砖的位置分为接触与不接触两种形式,接触时存在摩擦力消耗能耗,不接触是摩擦力为0,能耗亦为零,因此,摩擦阻力做功可用下式表示:dEresistance=μ·σ·dS·A·f·π·cos(2·π·f·t)·dtifcontact0else]]>由于磨粒横向摆动同时存在合力做功和阻力做功,因此将两者相加得到横向摆动的能耗为:其中,为磨粒密度,h为磨粒高度,dS为磨粒与瓷砖表面的有效单位接触面积,A为摆幅,f为摆动频率,t为抛光时间,μ为摩擦系数,σ为抛光头压力。旋转运动的能耗:磨粒以恒定角速度旋转,并同时影响轴和轴两个方向,实现瓷砖表面材料的去除。因此其匀速转动,合力做功为0,同时能耗为0,即dEresultant=0;因此,它在旋转方向的总能量就等于克服摩擦阻力做功的那一部分,同样地磨粒与砖面存在接触与不接触两种形式,因此旋转方向能耗可使用下式获得:dED→R=dEresistance=μ·σ·dS·ω·r·dtifcontact0else]]>其中,ω为磨粒的角速度;r为磨粒到磨头中心的距离,dEresistance为阻力做功。其中,这里的分别计算各所述磨粒对应的预定时间间隔,即每个磨粒具有自己对应的预定时间间隔Δt,每个磨粒之间的Δt可能相同也可能不同。在仿真过程中,需要每经过预定时间间隔Δt确定磨粒的位置,并计算产生的能耗,以此得到整个抛光过程的能耗,因此时间间隔Δt的确定尤为重要。磨头的中心到每个磨粒的距离(可看做磨粒到磨头中心的半径)是不同的。磨头旋转过程中,磨粒具有相同的角速度ω然而磨粒线速度不尽相同,而是与其半径成正比的。因此,在相同的时间间隔,各个磨粒的轨迹将穿过不同数量的瓷砖表面离散单元。如果Δt设置过大,磨粒已抛过多个砖面的离散单元,造成部分能耗没有被记录。如果Δt设置过小,磨粒在下一个时间步中仍留在同一个单元中,造成重复计算。因此,仿真模型根据不同的磨粒采用不同的Δt。具体的仿真时间间隔可以由图3所示的方法确定。假设磨粒的起始位置位于瓷砖某一离散单元的右下方,当磨粒绕中心点O到达单元的左上方并即将进入下一个区域单元所需的时间为Δt,并可由如下公式计算得到:Δt≈θ/ω=arccosR2-a2R2ω]]>其中,θ为磨粒与离散单元的旋转角度,ω为转速,R为半径,a为离散单元的对角线长度。该步骤主要就是分别计算每一个磨粒在该磨粒自己方针的过程中对应的每一个Δt内的总能耗。例如其中一个磨粒在方针的过程中经济了3个Δt,则计算出分别与这3个Δt相对应的3个总能耗。S130、分别计算各所述磨粒对应的运动轨迹方程,根据所述运动轨迹方程确定在对应的每个预定时间间隔各磨粒对应的位置坐标,并在所述位置坐标对应的离散单元中累加对应磨粒在对应预定时间间隔内的总能耗,输出能耗分布。其中,这里每个磨粒具有自己的运动轨迹方程,在仿真的过程中,计算每一个磨粒在自己对应的每个Δt时的新的坐标位置,并找到每个Δt时的新的坐标位置对应的离散单元,在每个Δt时的新的坐标位置对应的离散单元中加上该离散单元对应的Δt内的磨粒的总能耗。例如其中一个磨粒在方针的过程中经济了3个Δt,则计算出分别与这3个Δt相对应的3个总能耗;该磨粒利用其对应的运动轨迹方程也会计算得到分别与这3个Δt相对应的3个新的位置坐标,这三个新的位置坐标又会对应3个离散单元,在每个离散单元中加上该离散单元对应的Δt内的该磨粒的在该Δt内的总能耗。每个磨粒都执行这样的仿真计算过程,根据硬件的处理能力,可以将各磨粒并行计算也可以是依次计算。其中,首先需确定磨粒的运动轨迹方程,再结合前面的模块实现抛光过程的能量强度分布。抛光过程中,磨粒由进给运动,横向摆动和随磨头中心自转三种运动组成,其运动轨迹由下式所示:D→=D→E+D→R+D→OL]]>其中,为磨粒的位移向量,为磨粒进给运动向量,为磨粒绕磨头中心旋转的方向向量,为磨粒横向摆动的位移向量,t为时间。在得到各磨粒的运动轨迹方程后,根据磨粒的运动位置确定能源消耗量,继而确定瓷砖抛光的能量强度分布过程如下:计算各所述磨粒结束仿真的时间Ti;各所述磨粒依次从初始位置坐标开始执行仿真,根据磨粒的运动轨迹方程计算每隔Δt后该磨粒新的位置坐标,并在新的位置坐标对应的离散单元中加上该磨粒在新的位置坐标对应的时间间隔Δt中的总能耗,直到该磨粒到达时间Ti,当所有磨粒完成仿真后,输出能耗分布矩阵。具体的:根据磨粒的运动位置确定能源消耗量,继而确定瓷砖抛光的能量强度分布,具体的实现方法分为下面6步:步骤1、磨块由多个磨粒构成,因此从磨粒n=1开始执行仿真;步骤2、确定磨粒抛光起始时间t=0;由磨粒抛光完毕需在图2中轴方向传输的距离li以及抛光的进给速度V确定磨粒仿真的结束时间(所需参数由仿真参数处理与设置引擎模块10获得);磨粒由磨粒及坐标生成引擎模块20所确定的初始坐标位置开始进行执行仿真;步骤3、经过时间t=t+Δt(Δt由仿真时间设计模块40确定),利用式计算磨粒的新的坐标位置;并在瓷砖矩阵R相应的坐标位置上使用式累加计算三种运动所消耗的能量;步骤4、当磨粒抛光时间t≥Ti时转至第5步,否则返回第3步;步骤5、当磨粒n>N时,转至第6部,否则n=n+1(实现下一个磨粒的抛光仿真),并返回第2步;步骤6、当所有磨粒抛光完毕时,仿真结束,输出能耗分布矩阵R。基于上述技术方案,本发明实施例提供的陶瓷抛光机能耗分布状态仿真的方法,在保证抛光质量的前提下,优化控制工艺参数(即预设设备参数及操作参数)是企业降低能耗的重要手段;该方法通过建立一个可以可靠反映工艺参数与能耗的映射关系的能耗优化决策支撑系统,实现以工艺参数为输入变量,基于工艺运行机理建立一种陶瓷抛光机磨削能耗分布仿真实现方法,支撑企业陶瓷抛光机能效优化。基于上述技术方案,该方法还包括:将用户输入的各组预设设备参数及操作参数对应的能耗分布,以图标的形式显示。其中,该方法不仅可以以图示的形式输入包含各种工艺参数下的能耗分布图,还可以可视化的使用户输入工艺参数;例如基于MATLAB软件开发GUI图形界面,采用可视化的方式显示不同参数组合下的能耗曲线。具体实现步骤如下所示:步骤1、输入抛光机设备参数,包括抛光机型号,磨头尺寸,横向摆动幅度,并将相关数据传输到仿真参数处理与设置引擎模块10处理;步骤2、输入多组抛光参数的组合包括瓷砖进给速度,摆动频率,摆动幅度,磨头转速,磨头压力,并将相关数据传输到磨粒及坐标生成引擎模块20、能耗计算模块30、仿真时间设计模块40、能量强度分布实现模块50处理;步骤3、不同组合的参数输出不同的矩阵R,以一组矩阵R为例,将矩阵R的元素相加,输出相应的总能耗E,并于图像界面显示,便于对比分析,支撑陶瓷抛光机能效智能分析与优化决策。基于上述技术方案,本发明实施例提供的陶瓷抛光机能耗分布状态仿真的方法,相比现有技术误差更小,可靠性更强,综合考虑了多个能耗影响因素,更全面更详细也更具体,即该方法综合考虑了抛光过程能流特性的分析和三大运动方向磨削能能量的计算,能够准确可靠的实现陶瓷抛光机能耗动态特性的仿真分析,支撑陶瓷抛光机能效智能分析与优化决策。下面对本发明实施例提供的陶瓷抛光机能耗分布状态仿真的系统进行介绍,下文描述的陶瓷抛光机能耗分布状态仿真的系统与上文描述的陶瓷抛光机能耗分布状态仿真的方法可相互对应参照。请参考图4,图4为本发明实施例所提供的一种陶瓷抛光机能耗分布状态仿真的系统的结构框图;该系统可以包括:仿真参数处理与设置引擎模块10,用于根据用户的选择及知识数据库确定预设设备参数及操作参数;其中,通过输入设备参数和操作参数,由知识数据库获得相关数据,包括磨头尺寸,磨头摆动横向摆动幅度范围,磨块及瓷砖尺寸等,并传输到其他引擎/模块进行处理。磨粒及坐标生成引擎模块20,用于根据所述预设设备参数对磨块进行离散化处理形成N个磨粒,对瓷砖进行离散化处理形成预定个数个离散单元,并建立坐标系确定各所述磨粒及各所述离散单元的坐标;其中,主要是根据磨头结构和瓷砖的大小,将磨块和瓷砖都均匀离散化,其中每个离散的磨块单元代表单个磨粒,每个离散的瓷砖单元代表瓷砖的一个区域;然后通过建立坐标系(例如直角坐标系)确定磨粒和瓷砖区域单元的坐标位置,为建立磨粒运动数学模型和能耗模型做准备。能耗计算模块30,用于分别计算各所述磨粒对应的进给运动的能耗、横向摆动的能耗及旋转运动的能耗,并将各所述磨粒的三种能耗相加得到各所述磨粒在对应预定时间间隔内的总能耗;其中,主要是对磨粒抛光运动进行分解,并计算出抛光过程中三种运动的能源消耗量。针对三种不同运动分别求出其合力做功及克服阻力所做的功,两者之和即为各种运动的总能耗。仿真时间设计模块40,用于分别计算各所述磨粒对应的预定时间间隔;其中,目的是计算出磨粒仿真过程的时间间隔Δt。仿真过程中每隔Δt,相关模块需要做出响应,直到抛光时间结束,因此为提高仿真的精度与稳定性,时间间隔Δt的计算尤为重要。能量强度分布实现模块50,用于分别计算各所述磨粒对应的运动轨迹方程,根据所述运动轨迹方程确定在对应的每个预定时间间隔各磨粒对应的位置坐标,并在所述位置坐标对应的离散单元中累加对应磨粒在对应预定时间间隔内的总能耗,输出能耗分布。其中,主要是获得抛光结束后砖面抛光的能量分布。基于磨粒的运动轨迹方程,每隔Δt追踪磨粒的坐标位置并在对应的瓷砖离散区域单元位置上累加磨粒抛光的能耗,直到抛光时间结束。当所有磨粒抛光完毕后,砖面离散区域单元上累加出的磨耗值就为输出的能量强度分布。请参考图5,基于上述技术方案,该系统还可以包括:能耗动态特性可视化实现模块60,用于将用户输入的各组预设设备参数及操作参数对应的能耗分布,以图标的形式显示。其中,该模块不仅可以以图示的形式输入包含各种工艺参数下的能耗分布图,还可以可视化的使用户输入工艺参数;例如可以基于MATLAB软件开发人机交互界面,用户可选择输入多组工艺参数,然后执行上面的模块进行仿真,动态输出各组参数抛光的总能耗,并以图表的方式显示,为能效智能分析与优化决策提供科学的依据。基于上述技术方案,本发明实施例提供的陶瓷抛光机能耗分布状态仿真的系统,准确可靠的实现陶瓷抛光机能耗动态特性的仿真分析,可视化工艺输入对能耗性能影响,支撑陶瓷抛光机能效智能分析与优化决策。说明书中各个实施例采用递进的方式描述,每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处,各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。对于实施例公开的装置而言,由于其与实施例公开的方法相对应,所以描述的比较简单,相关之处参见方法部分说明即可。专业人员还可以进一步意识到,结合本文中所公开的实施例描述的各示例的单元及算法步骤,能够以电子硬件、计算机软件或者二者的结合来实现,为了清楚地说明硬件和软件的可互换性,在上述说明中已经按照功能一般性地描述了各示例的组成及步骤。这些功能究竟以硬件还是软件方式来执行,取决于技术方案的特定应用和设计约束条件。专业技术人员可以对每个特定的应用来使用不同方法来实现所描述的功能,但是这种实现不应认为超出本发明的范围。结合本文中所公开的实施例描述的方法或算法的步骤可以直接用硬件、处理器执行的软件模块,或者二者的结合来实施。软件模块可以置于随机存储器(RAM)、内存、只读存储器(ROM)、电可编程ROM、电可擦除可编程ROM、寄存器、硬盘、可移动磁盘、CD-ROM、或
技术领域
内所公知的任意其它形式的存储介质中。以上对本发明所提供的陶瓷抛光机能耗分布状态仿真的方法及系统进行了详细介绍。本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想。应当指出,对于本
技术领域
的普通技术人员来说,在不脱离本发明原理的前提下,还可以对本发明进行若干改进和修饰,这些改进和修饰也落入本发明权利要求的保护范围内。当前第1页1 2 3 
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