1.一种存储器的擦除方法，所述存储器包括多个扇区，其特征在于，包括：
S0：对所述多个扇区执行擦除校验，以判断所述多个扇区中是否存在有需执行擦除操作的扇区；
S1：对需执行擦除操作的扇区施加擦除脉冲以对其进行擦除操作，并在擦除操作后对其进行擦除校验，以确认是否存在未完全擦除的扇区；若存在未完全擦除的扇区，则继续对其施加擦除脉冲并进行擦除校验，直至所有的扇区均为完全擦除的状态为止。
2.如权利要求1所述的存储器的擦除方法，其特征在于，在S0中，所述擦除校验为通过对扇区的阈值电压进行检测并确认是否达到校验电压，未达到校验电压的扇区认定为需执行擦除操作的扇区。
3.如权利要求1所述的存储器的擦除方法，其特征在于，在S1中，所述擦除校验为通过对扇区的阈值电压进行检测并确认是否达到校验电压，未达到校验电压的扇区认定为未完全擦除的扇区。
4.如权利要求1所述的存储器的擦除方法，其特征在于，在所述多个扇区均为完全擦除的状态后，还包括：
S2：对所述多个扇区再次执行擦除校验以确认是否存在过擦除的扇区，并对所述过擦除的扇区执行修复操作。
5.如权利要求4所述的存储器的擦除方法，其特征在于，所述修复操作为利用错误校正码或冗余阵列进行修复。
6.如权利要求1所述的存储器的擦除方法，其特征在于，所述存储器为非易失闪存存储器。
7.一种存储器的擦除方法，所述存储器包括多个扇区，其特征在于，包括：
S1：对所述多个扇区同时施加一擦除脉冲以对所述多个扇区执行擦除操作，并在擦除操作后对所述多个扇区执行擦除校验，以确认所述多个扇区中是否存在未完全擦除的扇区；若存在未完全擦除的扇区，则继续对其施加擦除脉冲并进行擦除校验，直至所有的扇区均为完全擦除的状态为止。
8.如权利要求7所述的存储器的擦除方法，其特征在于，在执行S1之前，还包括：
S0：对所述多个扇区执行预编程操作，以使所述多个扇区的电压均大于一电平值。
9.如权利要求7所述的存储器的擦除方法，其特征在于，在S1中，所述擦除校验为通过对扇区的阈值电压进行检测并确认是否达到校验电压，未达到校验电压的扇区认定为未完成擦除的扇区。
10.如权利要求7所述的存储器的擦除方法，其特征在于，在所述多个扇区均为完全擦除的状态后，还包括：
S2：对所述多个扇区再次执行擦除校验以确认是否存在过擦除的扇区，并对所述过擦除的扇区执行修复操作。
11.如权利要求10所述的存储器的擦除方法，其特征在于，所述修复操作为利用错误校正码或冗余阵列进行修复。
12.如权利要求7所述的存储器的擦除方法，其特征在于，所述存储器为非易失闪存存储器。