触控基板消影检测方法及制造方法、触控基板及触控装置与流程

本发明的实施例涉及触控技术领域，具体涉及一种触控基板消影检测方法、触控基板制造方法、触控基板以及触控装置。

背景技术：

目前，电容触控屏已成为很普遍的电子产品，OGS(One Glass Solution，单玻璃触控)成为其中一种主流技术方案。OGS是指在触控屏的保护玻璃上直接形成ITO(indium tin oxide，氧化铟锡)导电膜及传感器的一种技术。在OGS触控屏的可视区域有由ITO形成的通道图案，ITO通道图案的可见程度(在专业术语中称为消影等级)关乎着用户的使用感受，因此需要在触控屏的制造过程中对其消影等级进行检测。目前对于OGS触控屏的消影等级的检测方法为：生产至小片产品时，采用目视检测判级。此种检测方法有两个弊端：1)不能对制程中的消影不良产品进行及时拦截和改善，从而造成不必要的生产损失；2)目视检测判级误差较大，不能准确地进行消影等级判定。在诸如On-cell等其他触控屏技术中也存在着类似的问题。

可见，本领域中需要一种能够克服现有技术的上述缺点的改进的消影检测技术方案。

技术实现要素：

在一个方面，提供了一种触控基板消影检测方法，包括：使用光学测试设备测试位于触控基板的触控区域之外的区域中的具有不同结构的测试块的光反射率的差异；以及根据所述差异判定所述触控基板的消影效果；其中，所述具有不同结构的测试块中的每个测试块包括与触控区域中的不同结构分别相同的结构。

在另一个方面，提供了一种触控基板制造方法，包括：在触控基板的制造过程中，在触控基板的触控区域之外的区域中形成具有不同结构的测试块，其中，所述具有不同结构的测试块中的每个测试块包括与触控区域中的不同结构分别相同的结构。

在又一个方面，提供了一种触控基板，包括：位于其触控区域之外的区域中的具有不同结构的测试块，其中，所述具有不同结构的测试块中的每个测试块包括与触控区域中的不同结构分别相同的结构。

在再一个方面，提供了一种触控装置，其包括根据本发明的任何一个实施例所述的触控基板。

根据本发明的实施例的技术方案能够在触控基板的制造过程中及时地对触控基板的消影等级进行检测，及时地对消影不良产品进行拦截，避免了不必要的生产损失；此外，由于可以采用光学测试设备进行消影检测，因而能够更为准确地进行消影等级判定；再者，在一些实施例中，由于所述至少两个测试块可以在对应的叠层结构形成的同时形成，不需要增加额外的工艺步骤，因此是一种简单和低成本的技术方案。

附图说明

图1示出了单个OGS触控基板的内部触控可视区域；

图2示出了根据本发明的实施例的一种触控基板消影检测方法；

图3示意性地示出了触控基板的制造过程；

图4示出了根据本发明的第一类实施例的至少两个测试块的设置；以及

图5示出了根据本发明的第二类实施例的至少两个测试块的设置。

具体实施方式

为使本领域的技术人员更好地理解本发明的解决方案，下面结合附图对本发明的具体实施例所提供的触控基板消影检测方法、触控基板制造方法、触控基板以及触控装置作进一步详细描述。显然，所描述和图示的实施例及其中的各种具体特征仅是对本发明的示例性说明，而不是对本发明的限制。基于所述示例性说明，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例及其具体特征，都属于本发明保护的范围。

现参照图1，其示出了单个OGS触控基板的内部触控可视区域。如图1中所示，所述内部触控可视区域包括如下三种不同的叠层结构区域：区域1、区域2、以及区域3。其中，区域1可包括由导电的ITO材料构成的ITO导通块，其用作触控电极；区域2可包括ITO蚀刻线，其将相邻的ITO导通块分割开；区域3为桥点区域，其通过金属或ITO材料的桥状结构将相对的两个ITO导通块相连接。区域1、2、3对光的反射率存在差异，如果这三个区域的反射率差异大，则消影等级差。由于ITO蚀刻线很窄，通常只有30-300μm，ITO桥点一般也只有100μm，因此很难通过光学测试设备来测试消影等级，目前大多通过人眼判断。

现参照图2，其示出了根据本发明的实施例的一种触控基板消影检测方法。如图2中所示，该方法包括以下步骤：

在步骤201，使用光学测试设备测试位于触控基板的触控区域之外的区域中的至少两个测试块的光反射率的差异；

在步骤202，根据所测试的所述至少两个测试块的光反射率的差异，判定所述触控基板的消影效果，其中，所述具有不同结构的测试块中的每个测试块包括与触控区域中的不同结构分别相同的结构。

也就是说，在触控基板的制造过程中，在触控基板的触控区域之外的区域中形成专门用于进行光学测试的至少两个测试块，所述至少两个测试块分别具有与对应的叠层结构区域相同的叠层结构(这里，相同的叠层结构是指测试块具有与叠层结构区域的叠层结构完全相同或部分相同的叠层结构，也可称为相同或相似的叠层结构)，从而分别具有与对应的叠层结构区域相同或相似的光反射率，并且具有适合于光学测试的大小，这样，就可以通过使用光学测试设备测试所述至少两个测试块的光反射率的差异来估计触控基板的触控区域中的不同叠层结构区域之间的光反射率的差异，克服了由于触控基板的触控区域中的不同单个叠层结构区域尺寸过小而不适合直接使用光学测试设备测试其光反射率差异的缺点，从而可以准确地判定消影等级。此外，由于所述至少两个测试块分别具有与对应的叠层结构区域相同或相似的叠层结构，因此可以在触控基板的制造过程中，在形成所述叠层结构区域的同时形成所述至少两个测试块(例如，通过简单地添加用于形成所述至少两个测试块的掩膜图案)，因而可以方便和低成本地形成所述至少两个测试块，且可以在制造过程中及时地判定产品的消影等级。

在一些实施例中，所述触控基板可以为OGS面板。在其他实施例中，所述触控基板也可以为其他类型的触控基板，例如On-cell触控基板等。

图3示意性地示出了触控基板的制造过程。如图3中所示，该制造过程包括如下步骤：

在步骤301，大板进料；此后，可对大板执行相关的工艺步骤

在步骤302，在产品可视区形成第一道膜层；此后，可在产品可视区顺序形成其他膜层。

在步骤303，在产品可视区形成最后一道膜层；

在步骤304，在产品可视区形成最后一道膜层之后，执行本发明的消影判定；此后，可对形成有膜层的大板执行本领域中所知的相关工艺步骤。

在步骤305，大板制程结束；

在步骤306，对大板进行切割；此后，可对切割形成的小片执行本领域中所知的相关工艺步骤。

在步骤307，小片制程结束。

也就是说，该触控基板的制造过程可分为两个阶段，分别称为大板制程和小片制程。在大板制程中，在具有适当尺寸的大块裸玻璃上依次形成若干道膜层及其结构，例如依次形成黑矩阵(BM)层、ITO层、绝缘层、桥点、保护层等，从而形成上述区域1、区域2和区域3。

如本领域的技术人员可知的，每道膜层及其结构的形成通常包括如下步骤：在基板上镀膜，涂覆光阻剂，使用掩膜图案进行曝光，使用显影液显影，使用蚀刻液进行蚀刻，使用去光阻液去除剩余光阻剂等。

在小片制程中，将大板切割为小片(可称为单元面板)，磨边，并进行绑定，从而形成单片触控基板。

本发明的触控基板消影检测方法可以具有两类实施例。在第一类实施例中，在单元面板的周边区域形成所述至少两个测试块。而在第二类实施例中，在所述大板的空白区域形成所述至少两个测试块。应注意的是，在任何一个实施例中，所述至少两个测试块都是在大板制程中形成的，且可以通过在形成相应膜层及其结构的同时通过添加用于所述至少两个测试块的掩膜图案而形成。这样，就可以在大板制程中，具体地，可以在产品可视区最后一道膜层形成(从而至少两个测试块也形成)之后，通过对至少两个测试块进行反射率测试来判定产品的消影效果，从而及时发现和拦截消影效果差的产品，而不必像传统的消影检测方法中那样，在小片制程结束后通过人眼判定产品的消影效果，从而造成不必要的生产损失。

第一类实施例

图4示出了根据本发明的第一类实施例的至少两个测试块的设置。如图4中所示，所述至少两个测试块可设置在单个触控基板的周边区域，具体可设置在所述周边区域的BM层上。

在一些实施例中，所述至少两个测试块中可包括块1、块2和块3。其中，块1可以为在BM层上形成的同上述区域1一样或类似的叠层结构，例如可包括ITO层和保护层。块2可以为在BM层上形成的同上述区域2一样或类似的叠层结构，例如可仅包括保护层。块3可以为在BM层上形成的同上述区域3一样或类似的叠层结构，例如可包括绝缘层和桥，所述桥例如为金属桥或ITO桥。

在其他一些实施例中，所述至少两个测试块也可以仅包括块1和块2。

所述至少两个测试块可以设置为任何相同或不同的形状，如设置为矩形、正方形、多边形、圆形等。所述至少两个测试块的尺寸可以设置为任何便于光学仪器进行测量且便于容纳在触控基板的周边区域中的尺寸。由于光学设备的光斑一般为1mm左右，为了便于光学测试，所述至少两个测试块的最短边长或直径通常>＝1mm。

在一些实施例中，在所述至少两个测试块附近还形成有定位标志，用于由所述光学测试设备定位所述至少两个测试块。所述定位标志可以是任何便于光学测试设备定位的光学标志，例如可以是一个十字。所述定位标志可以通过任何能够形成与背景区域相区别的光学图案的方法形成，例如可以通过在BM膜层或其他膜层之上进行镀膜、蚀刻等方法形成。

在一些实施例中，所述至少两个测试块是在所述触控基板的制造过程中在用于形成相应膜层的掩膜上增加用于形成所述至少两个测试块的图案、并在形成相应膜层的同时形成的。这样，在相应膜层制作完毕后，测试块也就形成了。以此方式，测试块就具有了与触控区域的相应膜层结构区域相同或相似的膜层，从而可以通过测试至少两个测试块的光反射率的差异来获得触控区域的不同膜层结构区域之间的光反射率的差异，以便判定消影等级。而且，测试块的这种形成方式并没有增加额外的工艺步骤，因此是低成本的。

例如，对于块1来说，可以在大板制程中形成BM层之后的形成ITO层的过程中，在用于形成触控区域的ITO结构的掩膜图案之外添加与块1的大小和位置对应的掩膜图案，这样，经过曝光、显影、蚀刻等步骤，就会在形成触控区域的ITO结构的同时形成块1的ITO层。对于块2来说，由于其对应于包括ITO蚀刻线的区域2，即对应于ITO层已被蚀刻掉的区域，因此可以在形成ITO层、绝缘层和桥点的过程中不做任何特殊处理，这样，块2的叠层结构将仅包括在BM层上的一层保护层。对于块3来说，可以在大板制程中形成区域3的绝缘层的过程中，在用于形成区域3的绝缘层的掩膜图案之外，添加对应于块3的位置和大小的掩膜图案，这样，经过曝光、显影、蚀刻等步骤，就会在形成区域3的绝缘层之外，形成块3的绝缘层。此外，可以在大板制程中形成区域3的桥点的过程中，在用于形成区域3的桥点的掩膜图案之外，添加对应于块3的位置和大小的掩膜图案，这样，经过曝光、显影、蚀刻等步骤，就会在形成区域3的桥点之外，形成块3的桥点层。

当在大板制程中在单元面板的周边区域中形成了所述至少两个测试块之后(即在触控区域的最后一道膜层形成之后)，就可以使用光学测试设备测试所述至少两个测试块的不同光反射率。为此，可以首先借助于所述定位标志使所述光学测试设备定位所述至少两个测试块，从而抓取并测试所述至少两个测试块的光反射率。所述光学测试设备可以是任何具有光反射率测试功能的光学测试设备。

在这类实施例中，由于所述至少两个测试块形成在单元面板的周边区域的BM层上，而BM层是不透光的，因此，对光反射率的测试应当在触控基板的膜面(即玻璃基板的具有膜层的一面)进行，而不应在触控基板的玻璃面(即玻璃基板的与膜面相对的一面)进行。与触控基板的触控区域相比，所述至少两个测试块多了BM层，因此其光反射效果与当触控基板与LCD面板全贴合之后的光反射效果相近，因此，可以通过测试所述至少两个测试块的光反射率来较准确地判定OGS面板与LCD面板全贴合后的消影效果。

当测试了所述至少两个测试块的不同光反射率后，就可以通过比较所述不同光反射率来获得至少两个测试块之间的光反射率的差异，从而可判断触控基板的消影效果。例如，如果块1与块2之间的反射率的差值的绝对值大于阈值a，则可判定消影效果差；如果块1与块2之间的反射率的差值的绝对值小于阈值b，则可判定消影效果好。其中，阈值a、b为可以根据终端客户的品质要求设定的值。

此外，还可以进一步根据块1与块3之间的反射率的差异来判定消影效果。例如，如果块1与块2之间的反射率的差值的绝对值大于阈值a，或者块1与块3之间的反射率的差值的绝对值大小阈值c，则可判定消影效果差。如果块1与块2之间的反射率的差值的绝对值小于阈值b，且块1与块3之间的反射率的差值的绝对值小于阈值d，则可判定消影效果好。

在一些实施例中，所述根据至少两个测试块之间的光反射率之间的差异来判定触控基板的消影效果可以人工完成。在另一些实施例中，所述根据至少两个测试块之间的光反射率之间的差异来判定触控基板的消影效果可以由处理设备自动完成。

在一些实施例中，可以仅在大板中的某一个单元面板的周边区域形成所述至少两个测试块，通过测试所述至少两个测试块的光反射率的差异来判定整个大板中所有单元面板的消影等级。在另一些实施例中，也可以在大板中的多个单元面板(甚至全部单元面板)中每个单元面板的周边区域都形成所述至少两个测试块，通过测试所述至少两个测试块的光反射率的差异来判定整个大板中的所有单元面板的消影等级，或者来判定所述至少两个测试块所在的单元面板的消影等级。

以上测试至少两个测试块的反射率并进行比较从而判定产品消影效果的步骤可以在大板制程结束之前进行，因而可以及时发现和拦截消影效果差的产品，避免了不必要的后续生产过程的成本。

第二类实施例

图5示出了根据本发明的第二类实施例的至少两个测试块的设置。如图5中所示，所述至少两个测试块可设置在大板的空白区域。该类实施例适合于测试整个大板中的所有单元面板的消影等级。

由于所述至少两个测试块设置在大板的空白区域，而大板的空白区域没有BM层，因此所述至少两个测试块反射率从大板的膜面和玻璃面均能测试，且测试出的消影效果与触控基板单体的消影效果一致。此外，由于大板的空白区域较大，因此适合于当单元面板的周边区域大小不够设置所述至少两个测试块时的情况。

除此之外，第二类实施例中所述至少两个测试块的种类、形状、大小、形成方式和形成时机、测试方法以及消影效果判断方法等均与第一类实施例中相同或类似，因此可参照以上描述获得更详细的了解，在此不再赘述。

以上参照附图描述了根据本发明的实施例的触控基板消影检测方法，应指出的是，以上描述中的大量细节仅为示例，而不是对本发明的限制。在本发明的实施例中，可以没有上述细节中的一些。

在本发明的另一个方面，还提供了一种触控基板制造方法，包括以下步骤：

在触控基板的制造过程中，在触控基板的触控区域之外的区域中形成具有不同结构的测试块，所述具有不同结构的测试块中的每个测试块包括与触控区域中的不同结构分别相同的结构。

在一些实施例中，该方法还包括以及步骤：

在触控基板的制造过程中，在触控基板的触控区域之外的区域中形成定位标志，所述定位标志用于由光学测试设备定位所述至少两个测试块。

在一些实施例中，所述至少两个测试块是在所述触控基板的制造过程中在形成所述触控区域中的结构区域的同时形成的。

在一些实施例中，所述至少两个测试块是通过在用于形成所述触控区域中的结构区域的相应膜层的掩膜上增加用于形成所述至少两个测试块的图案形成的。

在一些实施例中，所述触控基板的制造过程包括大板制程，其中在大板上形成至少两个单元面板，以及小片制程，其中将所述大板切割成为至少两个单元面板，所述至少两个测试块在所述大板制程中形成在大板的空白区域。

在一些实施例中，所述触控基板的制造过程包括大板制程，其中在大板上形成多个单元面板，以及小片制程，其中将所述大板切割成为多个单元面板，所述至少两个测试块在所述大板制程中形成在单元面板周边的黑矩阵层之上。

如本领域的技术人员可知的，关于该触控基板制造方法的更多细节，可以从以上关于本发明的触控基板消影检测方法的描述中以及从本领域的现有知识中获得，因此不再赘述。

在本发明的又一个方面，还提供了一种触控基板，其包括：位于其触控区域之外的区域中的具有不同结构的测试块，其中，所述具有不同结构的测试块中的每个测试块包括与触控区域中的不同结构分别相同的结构。

在一些实施例中，所述至少两个测试块包括对应于所述触控区域中的导通块的测试块，以及对应于所述触控区域中的蚀刻线的测试块。

在一些进一步的实施例中，所述至少两个测试块还包括对应于所述触控区域中的桥点区域的测试块。

在一些实施例中，所述测试块为矩形或正方形，且其最短边长大于或等于1毫米。

在一些实施例中，所述触控基板还包括：定位标志，所述定位标志用于由光学测试设备定位所述至少两个测试块。

如本领域的技术人员可知的，关于该触控基板的更多细节，可以从以上关于本发明的触控基板消影检测方法的描述中以及从本领域的现有知识中获得，因此不再赘述。

在本发明的再一个方面，还提供了一种触控装置，其包括根据本发明的任何一个实施例所述的触控基板。如本领域的技术人员可知的，该触控装置还可包括其他部件，例如LCD面板、控制板、背光模组等等，由于所述其他部件可以是现有技术的部件，因此不再赘述。

可以理解的是，本发明的以上各实施例仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施例，本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为处于本发明的保护范围之内。本发明的保护范围仅由所附权利要求书的语言表述的含义及其等同含义所限定。