技术总结
一种Flash闪存的写操作方法及装置，所述Flash闪存的页为行与列的矩阵结构，每一行对应一个EEPROM地址，所述方法包括：接收对EEPROM地址的写操作指令，获取所述Flash闪存中与所述EEPROM地址对应的目标地址；判断所述目标地址是否能够写入所述写操作指令对应的待写入数据；当所述目标地址能够写入所述写操作指令对应的待写入数据时，将所述待写入数据写入所述目标地址；当所述目标地址中无法写入所述待写入数据时，在所述目标地址所处的Flash闪存的页上查找空白列地址，并将所述待写入数据写入至所述空白列地址中。上述方案能够有效减少Flash闪存的擦除次数，提高Flash闪存的使用寿命。
技术研发人员：陈诚;陈光胜
受保护的技术使用者：上海东软载波微电子有限公司
文档号码：201610888884
技术研发日：2016.10.11
技术公布日：2017.03.15