1.一种图像传感器像素单元晶体管的建模方法，其特征在于，包括：
步骤S1：设计传输晶体管的测试结构、标准二极管的测试结构以及标准MOS晶体管的测试结构；
步骤S2：对所述传输晶体管的测试结构、标准二极管的测试结构以及标准MOS晶体管的测试结构进行版图出版、工艺流片以及数据测试；
步骤S3：基于所述标准二极管和标准MOS晶体管的器件模型构建传输晶体管的子电路模型架构；
步骤S4：拟合并优化所述子电路模型参数，形成传输晶体管的器件模型。
2.根据权利要求1所述的图像传感器像素单元晶体管的建模方法，其特征在于，所述传输晶体管测试结构的源极通过串联的光电二极管引出，所述传输晶体管测试结构的漏极、栅极和体引出与标准MOS晶体管相同。
3.根据权利要求1所述的图像传感器像素单元晶体管的建模方法，其特征在于，所述标准二极管测试结构的版图层次信息与所述光电二极管的版图层次信息相同。
4.根据权利要求3所述的图像传感器像素单元晶体管的建模方法，其特征在于，所述标准二极管测试结构和光电二极管都包含N型注入层和P+注入层，所述标准二极管测试结构的设计尺寸包含不同面积和周长的组合。
5.根据权利要求1所述的图像传感器像素单元晶体管的建模方法，其特征在于，所述标准MOS晶体管测试结构为源漏对称结构，所述标准MOS晶体管测试结构的源/漏极、栅极和体引出的版图层次信息与所述传输晶体管的漏极、栅极和体引出的版图层次信息相同。
6.根据权利要求5所述的图像传感器像素单元晶体管的建模方法，其特征在于，所述标准MOS晶体管包含和传输晶体管相同的P阱注入层、栅介质层和栅电极层，且标准MOS晶体管的源/漏注入层和传输晶体管的漏极注入层同为N+注入层，所述标准MOS晶体管测试结构的设计尺寸包含不同沟道长度和沟道宽度的组合。
7.根据权利要求1所述的图像传感器像素单元晶体管的建模方法，其特征在于，所述测试结构的版图出版和工艺流片与CMOS图像传感器芯片出版和工艺制备的标准流程相同。
8.根据权利要求1所述的图像传感器像素单元晶体管的建模方法，其特征在于，所述测试结构的数据测试包含模型参数提取所必需的C-V和I-V数据测试。
9.根据权利要求1所述的图像传感器像素单元晶体管的建模方法，其特征在于，所述提取标准二极管的器件模型参数采用常用的二极管Level3模型，所述提取标准MOS晶体管的器件模型参数采用MOS器件常用的BSIM模型或PSP模型。
10.根据权利要求1所述的图像传感器像素单元晶体管的建模方法，其特征在于，所述传输晶体管的子电路模型架构如下，其中，AREA和PJ为与传输晶体管源极串联的光电二极管的面积和周长，PARA1、PARA2、PARA3、PARA4…为需要拟合和优化的子电路模型参数；即
.SUBCKT NMOS_TX D G S B W＝1U L＝1U…
MX D G S0 B NMOS W＝W L＝L…
DX S0 S DIODE AREA＝XX PJ＝XX
.MODEL NMOS NMOS
+PARA1＝XX
+PARA2＝XX
…
.MODEL DIODE D
+PARA3＝XX
+PARA4＝XX
…。