一种消除衍射的触控膜的制作方法

本发明涉及电子技术，特别是涉及一种消除衍射的触控膜，触控膜内导线的布局。

背景技术：

互电容触控膜是指用一组发射电极和一组接收电极构成一张交叉的网络，其中每根发射线和每根接收线之间交叉的地方形成电容，当人的手指靠近交叉点时，交叉点处电容改变，依靠检测到电容改变从而确定触控位置。

当把触控膜放置于液晶显示器之前，点亮液晶后，竖方向的导线会出现衍射现象，这样视觉上容易引起不舒服。当前解决衍射问题的方法主要有两种：

（1）膜内的导线小于6微米，这时不再产生衍射现象，视觉上难以看见这么细的导线，但是膜内导线小于6微米，存在以下缺点：导线越细，生产时越容易断线，小于6微米的导线在生产时断线率极高，这样成本太高；电容感应强度与导线宽度的平方成正比，导线小于6微米则信号会很小，对测量电容信号值的精度会要求很高；

（2）膜内的导线绕成曲率较大的曲线，这种方法存在以下缺点：如图1中所示的曲率较大的曲线生产时机器速度慢，生产效率低下，由于液晶在横竖两个方向上消除衍射需要的曲率是不同的，所以需要一种能够找到最佳曲率曲线的方法。

技术实现要素：

本发明主要解决的技术问题是提供一种消除衍射的触控膜，消除衍射的触控膜的导线布局技术，旨在消除触控膜结合液晶使用时的衍射现象，同时尽量提高生产速度。

为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是：提供了一种消除衍射的触控膜，所述的触控膜内设置有发射导线和接收导线，所述的发射导线和接收导线采用样条曲线的方式排列，所述的发射导线和接收导线的交叉点构成横平竖直的M*N阵列。

在本发明一个较佳实施例中，所述的样条曲线采用三次样条曲线。

在本发明一个较佳实施例中，每一段所述的样条曲线的曲率均由参数方程决定，根据参数的不同自由的调整样条曲线的曲率。

在本发明一个较佳实施例中，所述的参数方程为：X(u)=ax*u^3+bx*u^2+cx*u+dx,Y(u)= ay*u^3+by*u^2+cy*u+dy。

在本发明一个较佳实施例中，所述的发射导线和接收导线的拟合点中均包括M*N阵列中的所有点。

在本发明一个较佳实施例中，每一条所述的发射导线与多条接收导线的多个交叉点位于一条直线上，保证横竖两条导线的交叉点在同一直线上。

本发明的有益效果是：本发明的消除衍射的触控膜，对导线进行布局，消除了触控膜结合液晶使用时的衍射现象的同时，找到生产速度最快的曲线，并且可以保证横竖两条导线的交叉点在同一直线上，利于上层IC计算。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图，其中：

图1为 现有技术中触控膜的结构示意图；

图2是本发明消除衍射的触控膜的一较佳实施例的结构示意图；

附图中的标记为：1、发射导线，2、接收导线。

具体实施方式

下面将对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。

如图1所示，本发明实施例包括：

一种消除衍射的触控膜，所述的触控膜内设置有发射导线1和接收导线2，所述的发射导线1和接收导线2采用样条曲线的方式排列，所述的发射导线1和接收导线2的交叉点构成横平竖直的M*N阵列。

上述中，所述的样条曲线采用三次样条曲线。由于三次样条曲线在设计上简单，易于修改，可以根据需求随时调整曲线的曲率，适应不同场景。当曲线曲率高的时候，可以消除衍射，但是生产速度会降低，当曲线曲率低的时候容易产生衍射，但是生产速度可以提高。样条曲线方便修改设计的特性，可以使设计人员找到消除衍射和保证产能的平衡点。

其中，每一条所述的发射导线1与多条接收导线2的多个交叉点位于一条直线上，保证横竖两条导线的交叉点在同一直线上，利于上层IC计算。

进一步的，每一段所述的样条曲线的曲率均由参数方程决定，根据参数的不同自由的调整样条曲线的曲率。其中，所述的参数方程为：X(u)=ax*u^3+bx*u^2+cx*u+dx,Y(u)= ay*u^3+by*u^2+cy*u+dy。

再进一步的，所述的发射导线和接收导线的拟合点中均包括M*N阵列中的所有点。

由于液晶两个方向上消除衍射需要的曲线曲率不同，因此导线在横纵两个方向上的最佳曲率是不同的。通过调整样条曲线的拟合点，可以调整曲线的参数，改变曲率，设计人员可以找到消除衍射情况下的最佳生产速度的曲线。

综上所述，本发明的消除衍射的触控膜，对导线进行布局，消除了触控膜结合液晶使用时的衍射现象的同时，找到生产速度最快的曲线，并且可以保证横竖两条导线的交叉点在同一直线上，利于上层IC计算。

以上所述仅为本发明的实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其它相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。