技术特征：
技术总结
本发明提出一种非分段GaN HEMT模型的建立方法，包括：获取电压控制电流源IDS、栅漏电容CGD、栅源电容CGS和漏源电容CDS；根据IDS得到非分段GaN HEMT模型的静态特性，并根据静态特性建立非分段静态特性模型；根据CGD、CGS和CDS得到非分段GaN HEMT模型的动态特性，并根据动态特性建立非分段动态特性模型；根据非分段静态特性模型和非分段动态特性模型得到非分段GaN HEMT模型。本发明能够得到收敛性好和准确性高的非分段GaN HEMT模型，进而更好地应用于电力电子电路仿真，同时使得后续功率变换器的设计和分析更加便利和高效。
技术研发人员：李虹;赵星冉;孙凯;张波;吕金虎;郑琼林;孙湖
受保护的技术使用者：北京交通大学
技术研发日：2017.04.01
技术公布日：2017.08.29