技术特征：
技术总结
本发明公开了一种GaN HEMT器件寄生参数的提取方法，包括以下步骤：将夹断偏置条件下的测试数据分为低频段、中频段和高频段三个频段，分别在低频段提取寄生电容和本征电容，在高频段提取寄生电感；结合零偏置条件和夹断偏置条件下的测试数据，提取GaN HEMT器件的寄生电阻；在夹断偏置条件下，评估全频段内模型的精度，计算误差大小；执行最优参数搜索的循环程序，搜索全频段内模型误差最小值对应的一组寄生参数值。本发明属于一种“半直接”的提取方法，具有传统“直接提取法”的优点，即提取方法简单、提取的值可信；同时，该方法由于引入了一个最优参数搜索算法，可以减小参数提取结果受测试不确定性的影响，提取精度较高。
技术研发人员：陈勇波
受保护的技术使用者：成都海威华芯科技有限公司
技术研发日：2017.11.15
技术公布日：2018.04.17