本实用新型涉及门禁卡技术领域，特别是涉及一种新型门禁卡。
背景技术：
现在很多的企业公司为了更好地管理，一般会有比较严格的考勤管理系统，例如员工上下班要打卡以便记录其上下班情况，防止部分员工怀着侥幸心理从而出现迟到早退的情况，影响公司纪律，并能及时对这种情况采取一定应对措施，从而达到规范化管理的目的。
然而对于员工来说，常常忘记打卡或者忘记是否已打卡，难以核对是否打卡，因此经常重复打卡，这样不仅浪费上班时间。
技术实现要素：
基于此，有必要针对现在门禁难以确认是否打卡的问题，提供一种新型门禁卡。
一种新型门禁卡，包括外壳，USB接口、存储芯片、RFID读写芯片、电路板和电感线圈，
所述外壳包括由内至外依次设置的PP塑胶壳层、WO3薄膜层和透明的PVC防水层，所述电感线圈包裹于WO3薄膜层内；
所述PP塑胶壳层内形成腔体，所述存储芯片、所述RFID读写芯片和所述电路板分别设置于所述腔体内；所述WO3薄膜层、所述电感线圈和所述RFID读写芯片依次电连接；
所述USB接口、所述存储芯片和RFID读写芯片分别与所述电路板电连接。
上述新型门禁卡，通过在外壳内设置有WO3薄膜层、电感线圈以及RFID读写芯片，当RFID读写芯片靠近读卡机时会在磁场的作用下由LC电路生成电流供RFID读写芯片接收读卡机发出的信号并向读卡机发出数据信号，同时电感线圈上产生电流使得WO3薄膜层受电变色，且该WO3薄膜层受电后需变色一段时间后才会复原，使用者能够方便快捷地了解自己的打卡状态，可减少因漏打卡而带来的损失以及因重复打卡带来的时间浪费；并且设置有USB接口和存储芯片，即可以在RFID读写芯片打卡后记录的数据存储起来，并通过USB接口导出到如手机，平板电脑等外部设备上进行观察，方便核对打卡记录，且结构简单，使用方便，有利于市场推广。
附图说明
图1为其中一个实施例的新型门禁卡的结构示意图。
具体实施方式
为使本实用新型的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本实用新型的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本实用新型。但是本实用新型能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本实用新型内涵的情况下做类似改进，因此本实用新型不受下面公开的具体实施例的限制。
如图1所示，一种新型门禁卡10，包括外壳110，USB接口120、存储芯片130、RFID读写芯片140、电路板150和电感线圈160，
外壳110包括由内至外依次设置的PP塑胶壳层111、WO3薄膜层112和透明的PVC防水层113，电感线圈160包裹于WO3薄膜层112内。例如，PP塑胶壳层111与PVC防水层113之间设置有一PP发泡层114。PP发泡层114用于减少PP塑胶壳层111的厚度，即增强壳体的弹性，又节约了材料，从而使成本降低。
PP塑胶壳层111内形成腔体115，存储芯片130、RFID读写芯片140和电路板150分别设置于腔体115内；WO3薄膜层112、电感线圈160和RFID读写芯片140依次电连接。
USB接口120、所述存储芯片130和RFID读写芯片140分别与电路板150电连接。例如，USB接口120和存储芯片130分别与电路板150电连接。电路板150还与RFID读写芯片140电连接。例如，USB接口120的一端依次穿过透明的PVC防水层113和WO3薄膜层112固定于PP塑胶壳层111的腔体115内。例如，电路板150上设置有转换电路，转换电路用于把RFID读写芯片140的数据进行转换，然后将转换后的数据传输到RFID读写芯片140进行储存。
上述新型门禁卡10，通过在外壳110内设置有WO3薄膜层112、电感线圈160以及RFID读写芯片140，当RFID读写芯片140靠近读卡机时会在磁场的作用下由LC电路生成电流供RFID读写芯片140接收读卡机发出的信号并向读卡机发出数据信号，同时电感线圈160上产生电流使得WO3薄膜层112受电变色，且该WO3薄膜层112受电后需变色一段时间后才会复原，使用者能够方便快捷地了解自己的打卡状态，可减少因漏打卡而带来的损失以及因重复打卡带来的时间浪费；并且设置有USB接口120和存储芯片130，即可以在RFID读写芯片140打卡后记录的数据存储起来，并通过USB接口120导出到如手机，平板电脑等外部设备上进行观察，方便核对打卡记录，且结构简单，使用方便，有利于市场推广。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本实用新型的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对实用新型专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。因此，本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。