多存储列SDRAM控制方法以及SDRAM控制器与流程

文档序号:15615354发布日期:2018-10-09 21:14阅读:来源:国知局

技术特征:

技术总结
本发明提供一种多存储列SDRAM控制方法以及SDRAM控制器,其在构成多存储列SDRAM的情况下,也能够防止性能的降低,并将部件个数的增加抑制为最小限。在将多个SDRAM装置的数据总线进行连接而构成的多存储列SDRAM的控制方法中,对于所述多个SDRAM装置的中的各个SDRAM装置,通过仅将针对作为访问对象的存储列的SDRAM装置的数据掩码信号否定,来执行数据的读或写。

技术研发人员:小松孝彰
受保护的技术使用者:发那科株式会社
技术研发日:2018.03.20
技术公布日:2018.10.09
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