一种抗单粒子翻转效应的LVDS接口发射器电路的制作方法

文档序号:15850653发布日期:2018-11-07 09:50阅读:来源:国知局

技术特征:

技术总结
本发明一种抗单粒子翻转效应的LVDS接口发射器电路,包括三组数字控制逻辑,五个多数表决电路和一个驱动电路。针对空间辐射环境特点,对LVDS接口发射器电路数字控制部分进行三模冗余处理,当其中一路数字控制逻辑发生单粒子翻转效应时,LVDS接口发射器电路仍能够正常工作,使发射器电路抗单粒子翻转性能大幅提升;同时,保留驱动电路的单模结构,确保发射器输出驱动电路输出接口电特性保持不变。多数表决电路采用简洁的12管单元结构,减小LVDS接口发射器面积。本发明结构简单,易于实现,适用于常规LVDS接口发射器电路的单粒子翻转效应加固,提高了LVDS接口发射器电路在空间应用中的可靠性。

技术研发人员:李海松;岳红菊;周凤;蒋轶虎;高利军;吴龙胜
受保护的技术使用者:西安微电子技术研究所
技术研发日:2018.06.05
技术公布日:2018.11.06
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