一种阵列基板及显示装置的制作方法

本发明实施例涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及显示装置。

背景技术

按照工作原理的不同，触摸屏可以分为电阻触摸屏、电容触摸屏以及电磁触摸屏等，电阻触摸屏和电容触摸屏的可以用手直接操作，但是难以对手和笔的触摸进行准确区分，因此电磁触摸屏应运而生。

电磁触摸屏中一般设置有磁感线圈，电磁笔中设置有谐振电路，电磁笔在电磁触控屏上移动，电磁笔中的谐振电路受磁感线圈发送的电磁波激励发出电磁信号，磁感线圈根据接收到的电磁信号判断电磁笔触控电磁触摸屏的位置。目前，显示装置在实现电磁触控功能时，通常采用外挂的方式，即将用于实现显示装置电磁触控功能的磁感结构外挂于衬底基板的外侧，如何在将磁感结构集成在显示面板内部的同时，尽量减小磁感结构对显示面板显示效果的影响成为亟待解决的问题。

技术实现要素：

有鉴于此，本发明提供一种阵列基板及显示装置，在将第一磁感结构集成于装置的同时，利用第一图案化结构弥补了未设置有第一磁感结构位置断差与设置有第一磁感结构位置断差的差异，减小了制作不同位置薄膜晶体管时曝光高度与刻蚀高度的差异，改善了断差的差异影响薄膜晶体管有源层导电特性的问题，进而减小了显示装置中薄膜晶体管充放电特性的差异，提高了显示面板的显示均匀性。

第一方面，本发明实施例提供了一种阵列基板，包括：

衬底基板；

位于所述衬底基板上的多个薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管；

多个第一磁感结构，所述第一磁感结构位于第一膜层，且位于所述第一薄膜晶体管靠近所述衬底基板的一侧；

所述第一薄膜晶体管包括第一有源层，所述第一有源层在所述衬底基板上的垂直投影位于所述第一磁感结构在所述衬底基板上的垂直投影内；

多个第一图案化结构，所述第一图案化结构与所述第一磁感结构同层设置，且位于所述第二薄膜晶体管靠近所述衬底基板的一侧；

所述第二薄膜晶体管包括第二有源层，所述第二有源层在所述衬底基板上的垂直投影位于所述第一图案化结构在所述衬底基板上的垂直投影内。

第二方面，本发明实施例还提供了一种包括第一方面所述阵列基板的显示装置。

本发明实施例提供了一种阵列基板及显示装置，阵列基板包括位于衬底基板上的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管以及多个第一磁感结构和多个第一图案化结构，第一磁感结构位于第一膜层且位于第一薄膜晶体管靠近衬底基板的一侧，第一薄膜晶体管的第一有源层在衬底基板上的垂直投影位于第一磁感结构在衬底基板上的投影。设置第一图案化结构与第一磁感结构同层设置且第一图案化结构位于第二薄膜晶体管靠近衬底基板的一侧，第二薄膜晶体管的第二有源层在衬底基板上的垂直投影位于第一图案化结构在衬底基板上的垂直投影。在将第一磁感结构集成于装置的同时，利用第一图案化结构弥补了未设置第一磁感结构位置断差与设置有第一磁感结构位置断差的差异，减小了制作不同位置薄膜晶体管时曝光高度与刻蚀高度的差异，改善了断差的差异影响薄膜晶体管有源层导电特性的问题，而薄膜晶体管中有源层的导电特性影响薄膜晶体管的充放电特性，也就减小了显示装置中薄膜晶体管充放电特性的差异，进而提高显示面板的显示均匀性。

附图说明

通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本申请的其它特征、目的和优点将会变得更明显：

图1为本发明实施例提供的一种现有技术中阵列基板的剖面结构示意图；

图2为本发明实施例提供的另一种现有技术中阵列基板的剖面结构示意图；

图3为本发明实施例提供的一种阵列基板的剖面结构示意图；

图4为本发明实施例提供的一种第一磁感结构的俯视结构示意图；

图5为本发明实施例提供的一种阵列基板的俯视结构示意图；

图6为本发明实施例提供的另一种阵列基板的俯视结构示意图；

图7为本发明实施例提供的一种显示装置的剖面结构示意图；

图8为本发明实施例提供的另一种阵列基板的剖面结构示意图；

图9为本发明实施例提供的另一种阵列基板的剖面结构示意图；

图10为本发明实施例提供的另一种阵列基板的俯视结构示意图；

图11为本发明实施例提供的另一种阵列基板的俯视结构示意图；

图12为本发明实施例提供的一种第一磁感线圈的俯视结构示意图；

图13为沿图12中bb’方向的剖面结构示意图；

图14为本发明实施例提供的一种第二磁感线圈的俯视结构示意图；

图15为沿图14中dd’方向的剖面结构示意图；

图16为本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图；

图17为本发明实施例提供的另一种显示装置的结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。贯穿本说明书中，相同或相似的附图标号代表相同或相似的结构、元件或流程。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。

本发明实施例提供了一种阵列基板，阵列基板包括衬底基板、位于衬底基板上的多个薄膜晶体管、多个第一磁感结构和多个第一图案化结构，薄膜晶体管包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，第一磁感结构位于第一膜层，且位于第一薄膜晶体管靠近衬底基板的一侧，第一薄膜晶体管包括第一有源层，第一有源层在衬底基板上的垂直投影位于第一磁感结构在衬底基板上的垂直投影内。第一图案化结构与第一磁感结构同层设置，且位于第二薄膜晶体管靠近衬底基板的一侧，第二薄膜晶体管包括第二有源层，第二有源层在衬底基板上的垂直投影位于第一图案化结构在衬底基板上的垂直投影内。

图1为本发明实施例提供的一种现有技术中阵列基板的剖面结构示意图，图2为本发明实施例提供的另一种现有技术中阵列基板的剖面结构示意图，图1所示结构的阵列基板未设置磁感结构，图2所示结构的阵列基板设置有磁感结构。如图2所示，可以将磁感结构tp设置于衬底基板1临近薄膜晶体管t的一侧，这里以一薄膜晶体管为例，薄膜晶体管包括栅极t0、有源层t1、源极t2和漏极t3，由于磁感结构tp与薄膜晶体管t的尺寸以及排布方式均存在较大的差异，对应z1区域，薄膜晶体管t临近衬底基板1的一侧均设置有一层磁感结构tp；对应z2区域，薄膜晶体管t临近衬底基板1的一侧设置有两层磁感结构tp；对应z3区域，薄膜晶体管t临近衬底基板1的一侧未设置磁感结构tp。

在制作显示装置时，设置有磁感结构tp的位置断差大于未设置磁感结构tp位置的断差，导致薄膜晶体管t不同位置的曝光高度与刻蚀高度存在差异，且图2所示结构的阵列基板中的薄膜晶体管t与图1所示结构的阵列基板中的薄膜晶体管t在曝光高度与刻蚀高度存在较大差异，这就使得显示装置中各薄膜晶体管t的有源层t1的导电特性存在差异，而薄膜晶体管t中有源层t1的导电特性影响薄膜晶体管t的充放电特性，进而导致显示装置的显示均匀性差。

本发明实施例的阵列基板包括位于衬底基板上的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管以及多个第一磁感结构和多个第一图案化结构，第一磁感结构位于第一膜层且位于第一薄膜晶体管靠近衬底基板的一侧，第一薄膜晶体管的第一有源层在衬底基板上的垂直投影位于第一磁感结构在衬底基板上的投影。设置第一图案化结构与第一磁感结构同层设置且第一图案化结构位于第二薄膜晶体管靠近衬底基板的一侧，第二薄膜晶体管的第二有源层在衬底基板上的垂直投影位于第一图案化结构在衬底基板上的垂直投影。在将第一磁感结构集成于装置的同时，利用第一图案化结构弥补了未设置有第一磁感结构位置断差与设置有第一磁感结构位置断差的差异，减小了制作不同位置薄膜晶体管时曝光高度与刻蚀高度的差异，改善了断差的差异影响薄膜晶体管有源层导电特性的问题，而薄膜晶体管中有源层的导电特性影响薄膜晶体管的充放电特性，也就减小了显示装置中薄膜晶体管充放电特性的差异，进而提高显示面板的显示均匀性。

以上是本发明的核心思想，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下，所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

图3为本发明实施例提供的一种阵列基板的剖面结构示意图。如图3所示，阵列基板包括衬底基板1、位于衬底基板1上的多个薄膜晶体管、多个第一磁感结构31和多个第一图案化结构51，薄膜晶体管包括第一薄膜晶体管21和第二薄膜晶体管22，第一磁感结构31位于第一膜层41且位于第一薄膜晶体管21靠近衬底基板1的一侧，第一薄膜晶体管21包括第一有源层211，第一有源层211在衬底基板1上的垂直投影位于第一磁感结构31在衬底基板1上的垂直投影内。第一图案化结构51与第一磁感结构31同层设置且位于第二薄膜晶体管22靠近衬底基板1的一侧，第二薄膜晶体管22包括第二有源层221，第二有源层221在衬底基板1上的垂直投影位于第一图案化结构51在衬底基板1上的垂直投影。

需要说明的是，图3仅示例性地示出了两个第一磁感结构31和一个第一图案化结构51，且示例性地设置第一图案化结构51位于两第一磁感结构31之间，本发明实施例对第一磁感结构31和第一图案化结构51的数量以及相对位置不作限定。

图4为本发明实施例提供的一种第一磁感结构的俯视结构示意图。结合图3和图4，可以示例性地设置第一磁感结构31包括沿第一方向yy延伸的多个第一磁感线圈s1，且多个第一磁感线圈s1同层绝缘设置。结合图3和图4，第一薄膜晶体管21对应区域a设置，即第一薄膜晶体管21靠近衬底基板1的一侧对应设置有第一磁感结构31，第二薄膜晶体管22对应区域b设置，即第二薄膜晶体管22靠近衬底基板1的一侧未对应设置第一磁感结构31，使得在制作第一薄膜晶体管21和第二薄膜晶体管22时，区域a与区域b的断差存在较大差异。

第一图案化结构51的设置，使得薄膜晶体管靠近衬底基板1一侧的第一膜层41均对应设置有图案化结构，这里的图案化结构可以包括第一磁感结构31和第一图案化结构51。在制作显示装置时，利用第一图案化结构51弥补了未对应设置有第一磁感结构31的第二薄膜晶体管22所在位置与对应设置有第一磁感结构31的第一薄膜晶体管21所在位置断差的差异，减小了制作第一薄膜晶体管21与制作第二薄膜晶体管22时曝光高度与刻蚀高度的差异，改善了断差的差异影响薄膜晶体管有源层导电特性的问题，而薄膜晶体管中有源层的导电特性影响薄膜晶体管的充放电特性，也就减小了第一薄膜晶体管21与第二薄膜晶体管22的充放电特性的差异，进而提高显示面板的显示均匀性。示例性的，可以设置沿垂直于阵列基板所在平面的方向，第一图案化结构51的厚度与第一磁感结构31的厚度相等，需要说明的是，这里所说的厚度相等是在工艺精度允许范围内的厚度相近，以使对应设置有第一磁感结构31的第一薄膜晶体管21所在位置与对应设置有第一图案化结构51的第二薄膜晶体管22所在位置的断差近似一致，制作第一薄膜晶体管21与制作第二薄膜晶体管22时曝光高度与刻蚀高度一致，进一步提高显示面板的显示均匀性。

可选的，阵列基板可以包括多个像素单元，像素单元包括至少一个电容结构，可以设置第一图案化结构存在部分边缘位于相邻的两个像素单元之间，且在垂直于衬底基板所在平面的方向上，可以设置第一图案化结构存在部分边缘与电容结构所在区域相互交叠。

图5为本发明实施例提供的一种阵列基板的俯视结构示意图。如图5所示，阵列基板还可以包括多条扫描线gate、多条数据线data和多个像素驱动电路61，这里仅示例性地用一个薄膜晶体管表示像素驱动电路61，并非像素驱动电路的内部实际结构，像素驱动电路61与显示结构8设置于扫描线gate与数据线data交叉设置形成的空间内，像素驱动电路61在与之电连接的扫描线gate传输的扫描信号的作用下连通与之对应电连接的数据线data与显示结构8，数据线data向对应的显示结构8传输数据信号，依此实现显示功能。像素单元6可以包括像素驱动电路61以及与该像素驱动电路61对应设置的部分扫描线gate和部分数据线data，像素驱动电路中包括至少一个薄膜晶体管和至少一个电容结构，相邻像素单元6之间的区域如图5中的d区域。

图6为本发明实施例提供的另一种阵列基板的俯视结构示意图。结合图3至图6，示例性地设置第一图案化结构51的形状为矩形，可以设置第一图案化结构51的边缘x1和边缘x2位于相邻的两个像素单元6之间的区域d，减少位于第一图案化结构51的边缘正上方的金属结构，避免金属结构因第一图案化结构51的边缘处的较大断差导致金属爬坡断线，影响显示面板相应功能的实现。在垂直于衬底基板1所在平面的方向上，可以设置第一图案化结构51的边缘x3的部分和边缘x4的部分与电容结构c所在区域存在交叠，该电容结构c即为像素驱动电路61中的电容结构，由于电容结构c的两个电极为整面金属，能够降低金属结构因第一图案化结构51的边缘处的较大断差导致金属爬坡断线的风险。

可选的，阵列基板还可以包括多个遮光结构和多个第三磁感结构，遮光结构位于薄膜晶体管远离衬底基板的一侧，薄膜晶体管的有源层在衬底基板上的垂直投影位于遮光结构在衬底基板上的垂直投影内，可以设置第三磁感结构与遮光结构同层设置。

图7为本发明实施例提供的一种显示装置的剖面结构示意图。如图7所示，阵列基板包括多个遮光结构7，且遮光结构7位于薄膜晶体管t远离衬底基板1的一侧，薄膜晶体管t的有源层t1在衬底基板1上的垂直投影位于遮光结构7在衬底基板1上的垂直投影内。

如图7所示，显示装置可以是反射式显示装置，例如电子纸显示装置，电子纸显示装置还可以包括位于薄膜晶体管t远离衬底基板1一侧的防护膜层10以及位于薄膜晶体管t和防护膜层10之间的电泳膜层30，电泳膜层30包括电泳粒子300，薄膜晶体管t在扫描信号线输入的扫描信号的作用下控制其源极t2和漏极t3导通，数据信号线通过导通的源极t3和漏极t3向像素电极61输入数据信号，电泳粒子300可以包括白色电泳粒子301和黑色电泳粒子302，白色电泳粒子301具有较好的反光特性，黑色电泳粒子302具有较好的光吸收特性，白色电泳粒子301和黑色电泳粒子302可以在像素电极61和公共电极62形成的电场作用下移动，电子纸显示面板实现显示功能。

电子纸显示装置通过电场控制电泳粒子300移动的位置，通过移动的位置控制环境光的反射情况，遮光结构7的设置能够避免环境光照射至薄膜晶体管t的有源层t1产生光电流，影响薄膜晶体管t的充放电特性。阵列基板还可以包括多个第三磁感结构33，可以设置第三磁感结构33与遮光结构7同层制作，例如可以设置第三磁感结构33在同一工艺中采用同种材料制成。第一磁感结构31与遮光结构7位于不同膜层，则第一磁感结构31与第三磁感结构33位于不同膜层，在实现显示装置电磁触控功能的基础上，简化了显示装置的制作工艺。

图8为本发明实施例提供的另一种阵列基板的剖面结构示意图。如图8所示，阵列基板包括多个遮光结构7，且遮光结构7位于薄膜晶体管t临近衬底基板1的一侧，薄膜晶体管t的有源层t1在衬底基板1上的垂直投影位于遮光结构7在衬底基板1上的垂直投影内。

如图8所示，显示装置可以是带有背光模组(图8中未示出)的液晶显示装置，薄膜晶体管t与对应的像素电极411电连接，液晶分子(图8中未示出)在像素电极411与公共电极421形成的电场的作用下发生偏转，实现液晶显示装置的显示功能。背光模组位于衬底基板1远离薄膜晶体管t的一侧，遮光结构7的设置能够避免背光源模组发出的光线照射至薄膜晶体管t的有源层t1产生光电流，影响薄膜晶体管的充放电特性。阵列基板还可以包括多个第三磁感结构33，可以设置遮光结构7复用为部分所述第三磁感结构33，同样能够在实现显示装置电磁触控功能的基础上，简化显示装置的制作工艺。

图9为本发明实施例提供的另一种阵列基板的剖面结构示意图。在图3所示结构阵列基板的基础上，图9所示结构的阵列基板中的薄膜晶体管包括第三薄膜晶体管23和第四薄膜晶体管24，阵列基板还包括多个第二磁感结构32和多个第二图案化结构52，第二磁感结构32位于第二膜层42且第二磁感结构32位于第三薄膜晶体管23临近衬底基板1的一侧，第三薄膜晶体管23包括第三有源层231，第三有源层231在衬底基板1上的垂直投影位于第二磁感结构32在衬底基板1上的垂直投影内。可以设置第二图案化结构52与第二磁感结构32同层设置且第二图案化结构52位于第四薄膜晶体管24临近衬底基板1的一侧，第四薄膜晶体管24包括第四有源层241，可以设置第四有源层241在衬底基板1上的垂直投影位于第二图案化结构52在衬底基板1上的垂直投影。

需要说明的是，本发明实施例同样对第二磁感结构32和第二图案化结构52的数量以及相对位置不作限定。另外，第三薄膜晶体管23可以是第一薄膜晶体管21，也可以是第二薄膜晶体管22，也可以既不是第一薄膜晶体管21也不是第二薄膜晶体管22，第四薄膜晶体管24可以是第一薄膜晶体管21，也可以是第二薄膜晶体管22，也可以既不是第一薄膜晶体管21也不是第二薄膜晶体管22，本发明实施例对此不作限定。

图10为本发明实施例提供的另一种阵列基板的俯视结构示意图。如图10所示，可以示例性地设置阵列基板包括沿第一方向yy延伸的多个第一磁感线圈s1和沿第二方向xx延伸的多个第二磁感线圈s2；其中，第一方向yy与第二方向xx相交，可以示例性地设置第一方向yy与第二方向xx相互垂直。

示例性的，结合图9和图10，可以设置多个第一磁感线圈s1均位于第一膜层41且彼此绝缘，第一磁感结构31包括多个第一磁感线圈s1，第二磁感线圈s2均位于第二膜层42且彼此绝缘设置，第二磁感结构32包括多个第二磁感线圈s2，第一磁感线圈s1与第二磁感线圈s2之间设置有绝缘层100以使第一磁感线圈s1与第二磁感线圈s2电绝缘。第三薄膜晶体管23对应区域g或区域e设置，即第三薄膜晶体管23靠近衬底基板1的一侧对应设置有第二磁感结构32，即设置有第二磁感线圈s2，第四薄膜晶体管24对应区域f或区域h设置，即第四薄膜晶体管24靠近衬底基板1的一侧未对应设置第二磁感结构32，即未设置第二磁感线圈s2，使得在制作第三薄膜晶体管23和第四薄膜晶体管24时区域g与区域f的断差，以及对应区域e与区域f的断差存在较大差异，尤其是针对区域e，第三薄膜晶体管23靠近衬底基板1的一侧同时对应设置有第一磁感结构31和第二磁感结构32，即同时设置有第一磁感线圈s1与第二磁感线圈s2，而第四薄膜晶体管24靠近衬底基板1的一侧既未对应设置有第一磁感结构31也未对应设置有第二磁感结构32，即既未对应设置有第一磁感线圈s1也未对应设置有第二磁感线圈s2。

第一图案化结构51的设置使得各薄膜晶体管靠近衬底基板1一侧的第一膜层41均对应设置有图案化结构，这里提到的图案化结构包括第一磁感结构31和第一图案化结构51。第二图案化结构52的设置使得各薄膜晶体管靠近衬底基板1一侧的第二膜层42均对应设置有图案化结构，这里提到的图案化结构包括第二磁感结构32和第二图案化结构52。在制作显示装置时，在利用第一图案化结构51弥补了未对应设置有第一磁感结构31的第二薄膜晶体管22所在位置与对应设置有第一磁感结构31的第一薄膜晶体管21所在位置断差的差异，减小了第一薄膜晶体管21与第二薄膜晶体管22的充放电特性的差异的同时，利用第二图案化结构52弥补了未对应设置有第二磁感结构32的第四薄膜晶体管23所在位置与对应设置有第二磁感结构32的第三薄膜晶体管24所在位置断差的差异，减小了制作第三薄膜晶体管23与制作第四薄膜晶体管24时对应的曝光高度与刻蚀高度的差异，改善了断差差异影响薄膜晶体管有源层导电特性的，减小了第三薄膜晶体管23与第四薄膜晶体管24的充放电特性的差异，进而提高显示面板的显示均匀性。示例性的，可以设置沿垂直于阵列基板所在平面的方向，第一图案化结构51的厚度与第一磁感结构31的厚度相等，第二图案化结构52与第二磁感结构32的厚度相等，同样的这里所说的厚度相等是在工艺精度允许范围内的厚度相近，在进一步减小了对应设置有第一磁感结构31的第一薄膜晶体管21所在位置与对应设置有第一图案化结构51的第二薄膜晶体管22所在位置断差的差异的同时，进一步减小了对应设置有第二磁感结构32的第三薄膜晶体管23所在位置与对应设置有第二图案化结构52的第四薄膜晶体管24所在位置断差的差异，进一步提高显示面板的显示均匀性。

图11为本发明实施例提供的另一种阵列基板的俯视结构示意图。结合9和图11，薄膜晶体管包括第五薄膜晶体管25，第五薄膜晶体管25包括第五有源层251，第一磁感结构31和第二磁感结构32分别位于第五薄膜晶体管25靠近衬底基板1的一侧，即第五晶体管对应区域e设置，且第五有源层251在衬底基板1上的垂直投影同时位于第一图案化结构51以及第二图案化结构52在衬底基板1上的垂直投影内，第二图案化结构52位于第一图案化结构51靠近衬底基板1的一侧。

对应于同一第五薄膜晶体管25，可以设置第一图案化结构51在衬底基板1上的垂直投影位于第二图案化结构52在衬底基板1上的垂直投影内，且第二图案化结构52在衬底基板1上的垂直投影面积大于第一图案化结构51在衬底基板1上的垂直投影面积。图11示例性地设置第一图案化结构51与第二图案化结构52的形状均为矩形，设置对应于同一第五薄膜晶体管25，第一图案化结构51在衬底基板1上的垂直投影位于第二图案化结构52在衬底基板1上的垂直投影内，且第二图案化结构52在衬底基板1上的垂直投影面积大于第一图案化结构51在衬底基板1上的垂直投影面积，使得沿垂直于衬底基板1所在平面的方向，第一图案化结构51与第二图案化结构52的四个边缘处均形成阶梯结构，相对于对应于同一第五薄膜晶体管25，第一图案化结构51在衬底基板1上的垂直投影与第二图案化结构52在衬底基板1上的垂直投影完全重叠，降低了第一图案化结构51与第二图案化结构52的边缘处的断差过大导致金属爬坡断线的风险。

可选的，阵列基板可以包括多个像素单元，像素单元包括至少一个电容结构，可以设置第一图案化结构存在部分边缘位于相邻的两个像素单元之间，第二图案化结构存在部分边缘位于相邻的两个像素单元之间。在垂直于衬底基板所在平面的方向上，可以设置第一图案化结构存在部分边缘与电容结构所在区域相互交叠，第二图案化结构存在部分边缘与电容结构所在区域相互交叠。

结合图5、图9和图11，像素单元6同样可以包括像素驱动电路61以及与该像素驱动电路61对应设置的部分扫描线gate和部分数据线data，像素驱动电路中包括多个薄膜晶体管和至少一个电容结构，相邻像素单元6之间的区域如图5中的d区域。示例性地设置第一图案化结构51与第二图案化结构52的形状均为矩形，可以设置第一图案化结构51的边缘x1和边缘x2以及第二图案化结构52的边缘x1和边缘x2均位于相邻的两个像素单元6之间的区域d，减少位于第一图案化结构51的边缘正上方的金属结构以及位于第二图案化结构52的边缘正上方的金属结构，避免金属结构因第一图案化结构51的边缘处的较大断差以及第二图案化结构52的边缘处的较大断差导致金属爬坡断线，影响显示面板相应功能的实现。在垂直于衬底基板1所在平面的方向上，可以设置第一图案化结构51的边缘x3的部分和边缘x4的部分以及第二图案化结构52的边缘x3的部分和边缘x4的部分均与电容结构c所在区域存在交叠，由于电容结构c的两个电极为整面金属，能够降低金属结构因第一图案化结构51的边缘处的较大断差以及第二图案化结构52的边缘处的较大断差导致金属爬坡断线的风险。

图12为本发明实施例提供的一种第一磁感线圈的俯视结构示意图，图13为沿图12中bb’方向的剖面结构示意图。结合图12和图13，在垂直于衬底基板1所在平面的方向上，可以设置相邻的两个第一磁感线圈s1沿第二方向xx相互交叠，且在交叠处一个第一磁感线圈s1由第一膜层41换线至第二膜层42走线，第一磁感结构31包括第一磁感线圈s1位于第一膜层41的部分，第二磁感结构32包括第一磁感线圈s1位于第二膜层42的部分。第一磁感线圈s1由第一膜层41换线至第二膜层42走线，使得第一磁感线圈s1能够沿第二方向xx相互交叠设置，相对于第一磁感线圈s1沿第二方向xx不交叠设置，针对同样尺寸的显示装置，能够增加显示装置中第一磁感线圈s1的数量，有利于提高显示装置进行电磁触控的精度。

图14为本发明实施例提供的一种第二磁感线圈的俯视结构示意图，图15为沿图14中dd’方向的剖面结构示意图。结合图14和图15，在垂直于衬底基板1所在平面的方向上，可以设置相邻的两个第二磁感线圈s2沿第一方向yy相互交叠，且在交叠处一个第二磁感线圈s2由第二膜层42换线至第一膜层41走线，第二磁感结构32包括第二磁感线圈s2位于第二膜层42的部分，第一磁感结构31包括第二磁感线圈s2位于第一膜层41的部分。第二磁感线圈s2由第二膜层换线至第一膜层41走线，使得第二磁感线圈s2能够沿第一方向yy相互交叠设置，相对于第二磁感线圈s2沿第一方向yy不交叠设置，针对同样尺寸的显示装置，能够增加显示装置中第二磁感线圈s2的数量，同样有利于提高显示装置进行电磁触控的精度。

需要说明的是，本发明实施例示附图只是示例性的表示各元件的大小，并不代表显示面板中各元件的实际尺寸。

本发明实施例的阵列基板包括位于衬底基板上的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管以及多个第一磁感结构和多个第一图案化结构，第一磁感结构位于第一膜层且位于第一薄膜晶体管靠近衬底基板的一侧，第一薄膜晶体管的第一有源层在衬底基板上的垂直投影位于第一磁感结构在衬底基板上的投影。设置第一图案化结构与第一磁感结构同层设置且第一图案化结构位于第二薄膜晶体管靠近衬底基板的一侧，第二薄膜晶体管的第二有源层在衬底基板上的垂直投影位于第一图案化结构在衬底基板上的垂直投影。利用第一图案化结构弥补了未设置有第一磁感结构位置断差与设置有第一磁感结构位置断差的差异，减小了制作不同位置薄膜晶体管时曝光高度与刻蚀高度的差异，改善了断差的差异影响薄膜晶体管有源层导电特性的问题，而薄膜晶体管中有源层的导电特性影响薄膜晶体管的充放电特性，也就减小了显示装置中薄膜晶体管充放电特性的差异，进而提高显示面板的显示均匀性。

本发明实施例还提供了一种显示装置，图16为本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图。如图16所示，显示装置20包括上述实施例中的阵列基板19，因此本发明实施例提供的显示装置20也具备上述实施例所描述的有益效果，此处不再赘述。示例性的，显示装置可以包括电子纸显示装置，如图7所示。显示装置也可以包括液晶显示装置，如图8所示。显示装置也可以包括有机发光二极管显示装置，如图17所示，显示装置可以包括多个有机发光结构300，有机发光结构300包括阳极311、阴极313以及位于阳极311和阴极313之间的发光层312，当有机发光结构300的阳极311和阴极313上均通有电信号时，电子和空穴两种载流子在发光层312中发生复合，发光层312中的激子由激发态迁移到基态发光，显示面板实现显示功能。参照图17，同样可以利用第一图案化结构51弥补未对应设置有第一磁感结构31的第二薄膜晶体管22所在位置与对应设置有第一磁感结构31的第一薄膜晶体管21所在位置断差的差异，改善断差的差异影响薄膜晶体管有源层导电特性的问题，进而提高显示面板的显示均匀性。示例性的，显示装置20可以是手机、电脑、电视和智能穿戴设备等电子显示设备。

注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。