基于Saber平台建模仿真的电路性能可靠性分析方法与流程

本发明属于电路可靠性分析领域，具体涉及基于saber平台建模仿真的电路性能可靠性分析方法。

背景技术：

在工程中，存在产品电路可靠性设计与其功能性能设计相脱节的现象，这严重制约着产品的可靠性和质量水平的提升。由于型号项目多、任务重、研制周期紧，造成产品设计者没有条件系统性地开展可靠性设计工作。由于缺乏对产品的深入了解，可靠性工作者难以为设计者提供具体的、行之有效的可靠性问题解决措施。

在数字化平台环境下，利用建模与仿真技术，基于统一的产品设计数据，能够进行产品可靠性和性能的一体化设计，实现跨专业并行协同工作。电路功能可靠性仿真是在eda软件环境下，以产品性能模型为基础，进行可靠性信息集成建模，仿真计算在元器件参数容差等因素影响下产品电路能否长时间稳定工作，从而发现潜在故障及设计薄弱环节，从而采取必要的设计措施改进电路，提高电子产品的可靠性。

saber是synopsys公司的一款用于模拟及混合信号仿真的eda软件，它为复杂的混合信号设计与验证提供了一个功能强大的混合信号仿真器，能够仿真包括电子、电力、控制、磁场、机械、液压、气动等领域器件、组件及系统的行为，可以解决从系统开发到详细设计验证过程中的性能设计与优化、故障分析等问题。

技术实现要素：

针对现有技术中的上述不足，本发明提供的基于saber平台建模仿真的电路性能可靠性分析方法解决了可靠性工作者难以为设计者提供具体的、行之有效的可靠性问题解决措施这一难题。

为了达到上述发明目的，本发明采用的技术方案为：一种基于saber平台建模仿真的电路性能可靠性分析方法，包括以下步骤：

s1、以待分析的电路系统为对象，分别对各电子元器件进行行为级建模，得到电子元器件模型，并完成各电子元器件标称状态下的功能仿真验证；

s2、以待分析的电路系统为对象，搭建目标电路系统，对其进行标称状态下的电路系统级仿真验证，得到标称状态下的仿真结果；

s3、判断标称状态下的仿真结果是否符合制定要求，若是进入步骤s4，否则返回步骤s1；

s4、采集得到各电子元器件的性能退化参数；

s5、将性能退化参数注入电子元器件模型，得到带有退化仿真功能的元器件；

s6、对带有退化仿真功能的元器件进行参数扫描分析，得到带有退化仿真功能元器件的仿真结果；

s7、当带有退化仿真功能元器件的仿真结果与建模目标一致，进入步骤s8，否则返回步骤s5；

s8、重新建立电路网表，对电路系统进行参数扫描分析，得到退化情况下的仿真结果；

s9、结合标称状态下的仿真结果和退化情况下的仿真结果得到原始电路设计上的薄弱环节和关键元器件可靠性分析结论。

进一步地：所述步骤s1具体包括以下步骤：

s11、以待分析的电路系统为对象，分别对各电子元器件进行行为级建模，得到电子元器件模型，所述行为级建模方法包括：参量化建模方法、saber工具建模方法、宏模型建模方法和mast语言描述建模方法；

s12、对电子元器件进行标称状态下的仿真分析，所述仿真分析包括瞬态分析，当仿真分析结果达到相关功能要求，进入步骤s2，否则返回步骤s11。

进一步地：所述步骤s4中的性能退化包括：环境温度影响下的性能退化、贮存时间影响下的性能退化和核辐射性影响下的性能退化。

进一步地：所述步骤s5中性能退化参数注入电子元器件模型的注入方法包括参数属性注入和mast语言代码注入；对于mast语言描述建模方法建模的电子元器件采用mast语言代码注入退化参数；对于参量化建模方法、saber工具建模方法和宏模型建模方法建模的电子元器件采用参数属性注入退化参数。

进一步地：所述步骤s6和步骤s8中扫描分析的参数包括：环境温度、贮存时间和辐射强度；对于环境温度影响下的性能退化扫描分析环境温度；对于贮存时间影响下的性能退化扫描分析贮存时间；对于核辐射影响下的性能退化扫描辐射强度。

本发明的有益效果为：本发明通过参数扫描，可以分析环境温度变化、贮存时间增加、甚至辐射对电路系统功能及性能的影响，可以通过退化分析发现产品温度容差、贮存容差、辐射容差设计的薄弱环节；可以分析电路产品在不同环境温度下的电路性能退化情况，暴露电路设计过程中的可靠性薄弱环节；可以分析电路产品由于长时间工作或贮存导致输出性能退化的趋势，给出产品发生输出性能退化超差故障的时间。还能够为规避或消除辐射影响提供依据，给出相应的设计优化建议。

附图说明

图1为本发明流程图；

图2为本发明实施例提供的电路系统测试原理图；

图3为本发明实施例提供的元器件测试电路原理图；

图4为本发明实施例提供的电路系统标称状态下的输入输出波形图；

图5为本发明实施例提供的电路系统work_time参数扫描输入输出波形图；

图6为本发明实施例提供的电路系统在17.5ms时刻vout峰值电压随工作时间wk变化曲线图。

具体实施方式

下面对本发明的具体实施方式进行描述，以便于本技术领域的技术人员理解本发明，但应该清楚，本发明不限于具体实施方式的范围，对本技术领域的普通技术人员来讲，只要各种变化在所附的权利要求限定和确定的本发明的精神和范围内，这些变化是显而易见的，一切利用本发明构思的发明创造均在保护之列。

如图1所示，一种基于saber平台建模仿真的电路性能可靠性分析方法，包括以下步骤：

s1、以待分析的电路系统为对象，分别对各电子元器件进行行为级建模，得到电子元器件模型，并完成各电子元器件标称状态下的功能仿真验证，具体包括以下步骤：

s11、以待分析的电路系统为对象，分别对各电子元器件进行行为级建模，得到电子元器件模型，所述行为级建模方法包括：参量化建模方法、saber工具建模方法、宏模型建模方法和mast语言描述建模方法。

在本发明实施例中，测试电路原理图如图2。基本电子元器件包括100ω电阻、300ω电阻、1kω电阻、10kω电阻、100uf电容以及n型晶体管，根据出厂参数手册，利用mast语言描述建模方法，对各基本元器件进行建模。

s12、对电子元器件进行标称状态下的仿真分析，所述仿真分析包括瞬态分析，当仿真分析结果达到相关功能要求，进入步骤s2，否则返回步骤s11。

在本发明实施例中，建立如图3所示测试电路图，对各元器件进行标称状态下的仿真测试，如瞬态分析。

s2、以待分析的电路系统为对象，搭建目标电路系统，对其进行标称状态下的电路系统级仿真验证，得到标称状态下的仿真结果。

在本发明实施例中，根据指定测试电路，搭建saber电路模块原理图如图2。测试的输入信号为正弦信号，幅值1v，频率100hz，直流源为15v恒压源。执行瞬态仿真，仿真时长30ms，步长10^-6。得到的电路vin、vout波形如图4所示。经验证，已达到指定电路功能。

s3、判断标称状态下的仿真结果是否符合制定要求，若是进入步骤s4，否则返回步骤s1。

s4、采集得到各电子元器件的性能退化参数。

在本发明实施例中，提出的是一种电路性能退化实施方法上的创新，针对具体电路以及具体的退化类别，性能退化包括：环境温度影响下的性能退化、贮存时间影响下的性能退化和核辐射性影响下的性能退化，均能取得优良的仿真分析效果。本实施例将以贮存性能退化仿真为例，对本发明加以阐述。

由于没有贮存退化数据，厂家暂时没有相应退化模型或数据。结合相关文献，本案例提出了基于二次函数曲线的元器件退化假设。

元器件贮存性能退化函数如下：

y＝y0×[(1+work_time×de_rate[1])+(1+work_time×de_rate[2])²]

其中，y0为该元器件标称状态下某参数的值，如电阻的阻值等；work_time为当前工作时间；de_rate为二维数组的退化系数，包括一次系数de_rate[1]和二次系数de_rate[2]，y为当前工作时间下该参数的值。

s5、将性能退化参数注入电子元器件模型，得到带有退化仿真功能的元器件，本实施例中的元器件均采用mast语言建模。

在本发明实施例中，性能退化参数注入电子元器件模型的注入方法包括参数属性注入和mast语言代码注入；对于mast语言描述建模方法建模的电子元器件采用mast语言代码注入退化参数；对于参量化建模方法、saber工具建模方法和宏模型建模方法建模的电子元器件采用参数属性注入退化参数。

s6、对带有退化仿真功能的元器件进行参数扫描分析，得到带有退化仿真功能元器件的仿真结果。

在本发明实施例中，扫描分析的参数包括：环境温度、贮存时间和辐射强度；对于环境温度影响下的性能退化扫描分析环境温度；对于贮存时间影响下的性能退化扫描分析贮存时间；对于核辐射影响下的性能退化扫描辐射强度。按照图3的元器件测试电路图，对各元器件进行work_time参数扫描分析。扫描范围是0-500，步长为5。

s7、当带有退化仿真功能元器件的仿真结果与建模目标一致，进入步骤s8，否则返回步骤s5。

s8、重新建立电路网表，对电路系统进行参数扫描分析，得到退化情况下的仿真结果。

在本发明实施例中，重新建立电路网表，对电路系统进行work_time参数扫描分析。扫描范围是0-500，步长为5。仿真得到的vout波形如图5。在时间17.5ms考查vout峰值，得到随贮存时间延长情况下vout峰值变化如图6，可以看出随着work_time增加，输出vout峰值减小。

s9、结合标称状态下的仿真结果和退化情况下的仿真结果得到原始电路设计上的薄弱环节和关键元器件可靠性分析结论。

从仿真结果来看，在标称状态下电路工作正常。随着工作时间的延长，输出信号趋于截止失真。为了保证电路长期工作的可靠性，应考虑适当调整该电路的静态工作点等。