增强nor型flash可靠性的方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及FLASH技术领域，尤其涉及一种增强NOR型FLASH可靠性的方法。
【背景技术】
[0002]可靠性是产品在规定条件下和规定时间内完成规定功能的能力。对于闪存(FlashMemory)，简称FLASH，一般而言，数据保持能力、耐久力、抗干扰能力等是评价闪存可靠性的重要参数，其中，数据保持力指的是闪存存储的数据经过一段时间之后没有失真或丢失，仍可以有效读出的能力。
[0003]对于FLASH，随着时间的推移，FLASH中存储单元的阈值电压会发生变化。图1示出的现有技术中NOR型FLASH中存储单元的阈值电压变化示意图；参考图1，对于FLASH中存储单元而言，浮栅中存储的电荷量决定了存储单元的阈值电压，而存储单元的阈值电压则决定了存储单元是存储数据0，还是存储数据I。随着时间的推移，外界条件会不断作用于存储阵列中存储单元，致使浮栅中储存的电荷通过存储单元的沟道流失；随着存储单元浮栅中电荷的减少会引起存储单元的阈值电压减小，当存储单元的阈值电压减小到一定值后，就难以判断出存储单元存储的数据是O还是1，从而在读操作中引起数据的误读，使得NOR型FLASH可靠性降低。
【发明内容】
[0004]本发明的目的在于提出一种增强NOR型FLASH可靠性的方法，以使NOR型FLASH在使用过程中，随着使用时间的延长，仍能保持存储数据的可靠性。
[0005]本发明实施例提供了一种增强NOR型FALSH可靠性的方法，包括:
[0006]FLASH上电复位过程中，记录FLASH存储阵列中数据为O的存储单元；
[0007]当所述数据为O存储单元的阈值电压小于预定阈值时，记录所述存储单元的地址信息；
[0008]在FLASH上电复位过程中，对所述地址信息对应的存储单元进行增强操作；所述增强操作为增强存储单元的阈值电压。
[0009]进一步的，所述的增强NOR型FLASH可靠性的方法，所述记录所述存储单元的地址信息，包括:
[0010]记录所述存储单元所在存储块的地址。
[0011]进一步的，所述的NOR型FALSH可靠性的方法，所述在FLASH上电复位过程中，对所述地址信息所对应的存储单元进行增强操作，包括:
[0012]在FLASH上电复位过程中，依次对地址信息所对应的存储单元进行增强操作。
[0013]进一步的，所述的NOR型FLASH可靠性的方法，所述在FLASH上电复位过程中，对所述地址信息所对应的存储单元进行增强操包括:
[0014]在FLASH上电复位过程中，依次选中存储阵列中包含地址信息所对应存储单元的存储块；以及
[0015]对选中存储块中地址信息对应的存储单元进行增强操作。
[0016]进一步的，所述的增强NOR型FLASH可靠性的方法，所述增强操作指在所述地址信息所对应的存储单元的栅极施加第一电压，漏极施加第二电压，源极连接于接地极。
[0017]进一步的，所述的增强NOR型FLASH可靠性的方法，所述第一电压为8V至12V和所述第二电压为2V至6V。
[0018]本发明实施例提供的增强NOR型FLASH可靠性的方法，在NOR型FLASH每次上电复位过程中，对FLASH存储阵列中数据为O的存储单元中小于预定阈值的存储单元进行增强操作，提升相应存储单元的阈值电压。以此，本发明实施例提供的增强NOR型FLASH可靠性的方法，在FLASH使用过程中，每次上电复位过程中，通过提升数据为O的阈值电压小于预定阈值的存储单元的阈值电压，以此保证了存储阵列中存储数据为O的存储单元阈值电压的稳定性，提高了 FLASH存储数据的稳定性，进而提高了 FLASH中数据为O存储单元的数据的准确性，提升了 FLASH的可靠性。
[0019]并且，本发明实施例提供的增强NOR型FLASH可靠性的方法，在上电复位过程中进行增强操作，不会增加FLASH的读取、编程或者擦除时间。
【附图说明】
[0020]此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本发明的一部分，并不构成对本发明的限定。在附图中:
[0021]图1示出的是现有技术中NOR型FLASH存储单元阈值电压变化示意图；
[0022]图2示出的是本发明实施例一中增强NOR型FLASH可靠性方法流程示意图；
[0023]图2a示出的是本发明实施例一中存储单元增强电荷结构示意图；
[0024]图3示出的是本发明实施例二中增强NOR型FLASH可靠性方法流程示意图。
【具体实施方式】
[0025]下面结合附图及具体实施例对本发明进行更加详细与完整的说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部内容。
[0026]NOR型FLASH由存储单元(cell)组成。通常情况下，一个存储单元包括源极(source, S),漏极(drain, D),控制栅极(controlling gate, CG),以及浮动栅极(floatinggate, FG)，控制栅极可用于接参考电压VG。若漏极接参考电压VD，控制栅极CG施加电压VG以及源极S连接于接地极后，存储单元实现沟道热电子注入方式的编程操作。擦除则可以在衬底施加一正电压，控制栅极CG施加负电压，进而利用浮动栅极FG与沟道之间的隧穿效应，把注入浮动栅极FG的电子吸引到沟道。存储单元cell数据是O或I取决与浮动栅极FG中是否有电子。如浮动栅极FG有电子，需要高的控制栅极电压才能使界面处感应出导电沟道，使MOS管导通，表示存入O。若浮动栅极FG中无电子，则较低的控制栅极电压就能使界面处感应出导电沟道，使MOS管导通，即表示存入I。
[0027]图2示出的是本发明实施例一中增强NOR型FLASH可靠性方法流程示意图 '参考图2，本实施例中增强NOR型FLASH可靠性的方法，包括:
[0028]步骤201、FLASH上电复位过程中，记录FLASH存储阵列中数据为O的存储单元。
[0029]为了减少对FLASH擦除、编程或读取过程中的影响，本实施例中采用在FLASH上电复位过程中，记录FALSH存储阵列中数据为O的存储单元。
[0030]本实施例中，在NOR型FLASH存储阵列的位线施加电压，电压产生存储单元的读取电流，通过将读取电流和参考存储单元的读取电流进行比较，当存储单元的读取电流小于或等于参考存储单元的读取电流时，则确定此存储单元为数据O的存储单元。通过上述确定存储阵列中数据为O的存储单元，并记录数据为O的存储单元。
[0031]步骤202、当数据为O存储单元的阈值电压小于预定阈值时，记录存储单元的地址信息。
[0032]对于存储单元，浮栅中的电荷量反映存储单元阈值电压的大小。
[0033]选定一参考存储单元，并预先设定预定阈值；其中，预定阈值的设定指当数据为O的存储单元的阈值高于预定阈值时，则此数据为O的存储单元随着浮栅中电荷的流失等原因还不会影响对其的正确读取；当数据为O的存储单元的阈值低于预定阈值时，则此数据为O的存储单元随着浮栅中电荷的流失等原因很快就会影响对其的正确读取，或者已经影响对数据为O存储单元的正确读取。
[0034]具体的，本实施例中，对数据为O的存储单元进行读取，并同时对参考存储单元进行数据读取。当对数据为O的存储单元读取电流大于或等于参考存储单元的电流时，则数据为O的存储单元的阈值电压小于或等于参考存储单元预定阈值电压。进而确定，阈值电压小于或等于参考存储单元预定阈值的存储单元为需要进行数据恢复的存储单元。
[0035]本实施例中，在本步骤中，通过比较确定数据为O的存储单元中阈值电压小于预定阈值的存储单元，并记录这些存储单元的地址信息。
[0036]具体的，本实施例中，记录存储单元所在存储块的地址；将存储块的地址作为存储单元的地址信息。
[0037]步骤203、在FLASH上电复位过程中，对地址信息对应的存储单元进行增强操作。
[0038]增强操作为增强存储单元的阈值电压，也即是通过一定的方式提高存储单元的阈值电压，例如可以通过沟道热电子注入