增强nand型flash可靠性的方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及闪存(Flash Memory)技术领域,尤其涉及一种增强NAND型FLASH可靠性的方法。
【背景技术】
[0002]可靠性是产品在规定条件下和规定时间内完成规定功能的能力。对于闪存(FlashMemory)，简称FLASH，一般而言，数据保持能力、耐久力、抗干扰能力等是评价闪存可靠性的重要参数，其中，数据保持力指的是闪存存储的数据经过一段时间之后没有失真或丢失，仍可以有效读出的能力。
[0003]NAND型FLASH是闪存的一种。对于NAND型FLASH在实际使用的过程中，因各种串扰和随机效应的影响，例如工艺波动，浮栅的交叉耦合效应，电荷转移的随机性等原因，使得NAND型FLASH存储单元(cell)的阈值电压产生随机的改变。因NAND型FLASH在读取、擦除或编程时都是以阈值电压为基础的，因此当阈值电压产生改变后，进而会使得擦除与编程的性能越来越差，同时数据的保持特性也受到很大影响，进而极大的降低了 NAND型FLASH的可靠性。并且，随着NAND型FLASH工艺尺寸的进一步缩小，尤其是2xnm及Ixnm及以下的MLC (2-bit信息/每存储单元)和TLC (3-bit信息/每存储单元)，影响也越来越明显。
【发明内容】
[0004]本发明的目的在于提出一种增强NAND型FLASH可靠性的方法，以增强NAND型FLASH的可靠性。
[0005]本发明实施例提供了一种增强NAND型FLASH可靠性的方法，包括:
[0006]预先获取NAND型FLASH存储阵列每次读取、擦除或编程时各存储单元的阈值电压及相应的读取、擦除或编程次数；
[0007]预先根据所述存储阵列每次读取、擦除或编程时各存储单元的阈值电压及相应的读取、擦除或编程次数，建立衰退模型，并保存衰退模型至存储阵列中；
[0008]在使用过程中，进行读取、擦除或编程时，根据预先保存的所述衰退模型调整相应的读取、擦除或编程方式；
[0009]根据调整后的读取、擦除或编程方式对所述NAND型FLASH进行读取、擦除或编程。
[0010]进一步的，所述的增强NAND型FLASH可靠性的方法，所述预先根据所述存储阵列每次读取、擦除或编程时各存储单元的阈值电压及相应的读取、擦除或编程次数，建立衰退丰旲型，并保持裳退1吴型至存储阵列中；包括:
[0011]预先根据存储阵列每次读取、擦除或编程时各存储单元的阈值电压及相应的读取、擦除或编程次数，获取所述存储阵列每次读取、擦除或编程时各页的阈值电压及相应的读取、擦除或编程次数；
[0012]根据所述存储阵列每次读取、擦除或编程时各页的阈值电压及相应的读取、擦除或编程次数，建立衰退模型，并保存衰退模型至存储阵列中。
[0013]进一步的，所述的增强NAND型FLASH可靠性的方法，所述获取所述存储阵列每次读取、擦除或编程时各页的阈值电压，包括:
[0014]获取每次读取、擦除或编程时各页中各存储单元的阈值电压；
[0015]根据各页中各存储单元的阈值电压，获取每次读取、擦除或编程时各页中各存储单元的平均阈值电压；
[0016]将所述各页中各存储单元的平均阈值电压作为各页的阈值电压。
[0017]进一步的，所述的NAND型FLASH可靠性的方法，所述根据所述存储阵列每次读取、擦除或编程时各页的阈值电压及相应的读取、擦除或编程次数，建立衰退模型，并保存衰退模型至存储阵列中；包括:
[0018]根据存储阵列每次读取、擦除或编程时各页的阈值电压，获取每次读取、擦除或编程时的所述各页的阈值电压与理想状态下相应页的阈值电压的差值；
[0019]建立每次读取、擦除或编程时的所述各页的阈值电压与理想状态下相应页的阈值电压的差值和每次读取、擦除或编程次数的第一映射关系；
[0020]将所述第一映射关系存入衰退模型，建立衰退模型，并保存衰退模型至存储阵列中。
[0021]进一步的，所述的NAND型FLASH可靠性的方法，所述根据所述存储阵列每次读取、擦除或编程时各页的阈值电压及相应的读取、擦除或编程次数建立衰退模型，并保存衰退模型至存储阵列中；包括:
[0022]建立每次读取、擦除或编程时各页的阈值电压与每次读取、擦除或编程次数的第_■映射关系；
[0023]将所述第二映射关系存入衰退模型，建立衰退模型，并保存衰退模型至存储阵列中。
[0024]进一步的，所述的NAND型FLASH可靠性的方法，所述根据所述存储阵列每次读取、擦除或编程时各存储单元的阈值电压及相应的读取、擦除或编程次数，建立衰退模型，并保存衰退模型至存储阵列中，包括:
[0025]将存储阵列的读取、擦除或编程次数划分成至少一个范围；
[0026]获取各范围内次数的平均阈值电压；
[0027]将所述各范围内次数的平均阈值电压作为各范围中各次数所对应的阈值电压；
[0028]根据各范围中的次数及所述各范围中次数所对应的阈值电压，建立衰退模型，并保存衰退模型至存储阵列中。
[0029]进一步的，所述一种增强NAND型FLASH可靠性的方法，所述在使用过程中，进行读取、擦除或编程时，根据预先保存的衰退模型调整相应的读取、擦除或编程方式；包括:
[0030]在使用过程中，进行读取、擦除或编程时，根据预先保存的衰退模型调整存储阵列所施加的参考电压。
[0031 ] 进一步的，所述一种增强NAND型FLASH可靠性的方法，所述在使用过程中，进行读取、擦除或编程时，根据预先保存的衰退模型调整相应的读取、擦除或编程方式；包括:
[0032]在使用过程中，进行读取、擦除或编程时，根据预先保存的衰退模型调整数据的采样时间。
[0033]进一步的，所述的增强NAND型FLASH可靠性的方法，所述预先获取NAND型FLASH存储阵列每次读取、擦除或编程时各存储单元的阈值电压及相应的读取、擦除或编程次数；包括:
[0034]预先在第一次读取、擦除或编程时起，获取NAND型FLASH存储阵列每次读取、擦除或编程时各存储单元的阈值电压及相应的读取、擦除或编程次数。
[0035]本发明实施例提供的增强NAND型FLASH可靠性的方法，根据NAND型FLASH每次读取、擦除或编程时各存储单元的阈值电压建立相应的衰退模型，在读取、擦除或编程时根据衰退模型调整读取、擦除或编程的方式。以此，本发明技术方案根据衰退模型调整读取方式、编程方式或擦除方式，以补偿因干扰因素，例如工艺波动、浮置栅极的交叉耦合效应等因素对NAND型FLASH可靠性的影响；进而在使用过程中因利用衰退模型对NAND型FLASH的补偿效应增强NAND型FLASH在使用过程中的可靠性，保证了 NAND型FLASH数据保持的完整性、耐久力及抗干扰性。
【附图说明】
[0036]此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本发明的一部分，并不构成对本发明的限定。在附图中:
[0037]图1示出的是随擦除和编程次数的增加擦除存储单元阈值电压、编程存储单元阈值电压变化及参考电压示意图；
[0038]图2示出的是本发明实施例一中增强NAND型FLASH可靠性的方法流程示意图；
[0039]图3示出的是根据衰退模型调整后随擦除和编程次数的增加擦除存储单元的阈值电压、编程存储单元的阈值电压变化及参考电压示意图；
[0040]图4示出的是本发明实施例二中增强NAND型FLASH可靠性的方法流程示意图；
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