通过步骤503获取各范围的平均阈值电压，则此步骤是将各个范围的平均阈值电压作为各范围中所包括次数的阈值电压。
[0094]步骤505、根据各范围中的次数及各范围中次数所对应的阈值电压，建立衰退模型，并保存衰退模型至存储阵列中。
[0095]具体的，本实施例中也即是将各范围内的次数和各范围的平均阈值电压建立相互映射关系，集合各范围的相互映射关系建立衰退模型，并将衰退模型保存至NAND型FLASH中，例如保存至NAND型FLASH的存储阵列中。
[0096]步骤506、在使用过程中，进行读取、擦除或编程时，根据预先保存的衰退模型调整相应的读取、擦除或编程方式。
[0097]步骤507、根据调整后的读取、擦除或编程方式对NAND型FLASH进行读取、擦除或编程。
[0098]本实施例中在具体读取、擦除或编程时相应范围内的所有次数选择相同的调整后的算法进行读取、擦除或编程。因一定范围次数内的阈值电压往往变化不是很大，将各个次数划分成一定范围进而建立衰退模型，进行对每次读取、擦除或编程进行补偿，相对于每次读取、擦除或编程都建立衰退模型进行数据的补充，在增强NAND型FLASH可靠性的同时，进一步减少数据处理流程，提升了处理速度。
[0099]本发明实施例提供的增强NAND型FLASH可靠性的方法，根据NAND型FLASH的每次读取、擦除或编程时各存储单元的阈值电压建立相应的衰退模型，在读取、擦除或编程时根据衰退模型调整读取、擦除或编程的读取方式、编程方式或擦除方式。以此，本发明技术方案根据衰退模型调整读取方式、编程方式或擦除方式，以补偿因干扰因素，例如工艺波动、浮置栅极的交叉耦合效应等因素对NAND型FLASH可靠性的影响；进而，在使用过程中因利用衰退模型对NAND型FLASH的补偿效应增强NAND型FLASH在使用过程中的可靠性，提高了 NAND型FLASH数据保持的完整性、耐久力及抗干扰性。
[0100]以上所述仅为本发明的优选实施例，并不用于限制本发明，对于本领域技术人员而言，本发明可以有各种改动和变化。凡在本发明的精神和原理之内所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
【主权项】
1.一种增强NAND型FLASH可靠性的方法，其特征在于，包括: 预先获取NAND型FLASH存储阵列每次读取、擦除或编程时各存储单元的阈值电压及相应的读取、擦除或编程次数； 预先根据所述存储阵列每次读取、擦除或编程时各存储单元的阈值电压及相应的读取、擦除或编程次数，建立衰退模型，并保存衰退模型至存储阵列中； 在使用过程中，进行读取、擦除或编程时，根据预先保存的衰退模型调整相应的读取、擦除或编程方式； 根据调整后的读取、擦除或编程方式对所述NAND型FLASH进行读取、擦除或编程。
2.如权利要求1所述的增强NAND型FLASH可靠性的方法，其特征在于，预先根据所述存储阵列每次读取、擦除或编程时各存储单元的阈值电压及相应的读取、擦除或编程次数，建立衰退模型，并保存衰退模型至存储阵列中；包括: 预先根据存储阵列每次读取、擦除或编程时各存储单元的阈值电压及相应的读取、擦除或编程次数，获取所述存储阵列每次读取、擦除或编程时各页的阈值电压及相应的读取、擦除或编程次数； 根据所述存储阵列每次读取、擦除或编程时各页的阈值电压及相应的读取、擦除或编程次数，建立衰退模型，并保存衰退模型至存储阵列中。
3.如权利要求2所述的增强NAND型FLASH可靠性的方法，其特征在于，所述获取所述存储阵列每次读取、擦除或编程时各页的阈值电压，包括: 获取每次读取、擦除或编程时各页中各存储单元的阈值电压； 根据各页中各存储单元的阈值电压，获取每次读取、擦除或编程时各页中各存储单元的平均阈值电压； 将所述各页中各存储单元的平均阈值电压作为各页的阈值电压。
4.如权利要求2所述的NAND型FLASH可靠性的方法，其特征在于，所述根据所述存储阵列每次读取、擦除或编程时各页的阈值电压及相应的读取、擦除或编程次数，建立衰退模型，并保存衰退模型至存储阵列中；包括: 根据存储阵列每次读取、擦除或编程时各页的阈值电压，获取每次读取、擦除或编程时的所述各页的阈值电压与理想状态下相应页的阈值电压的差值； 建立每次读取、擦除或编程时的所述各页的阈值电压与理想状态下相应页的阈值电压的差值和每次读取、擦除或编程次数的第一映射关系； 将所述第一映射关系存入衰退模型，建立衰退模型，并保存衰退模型至存储阵列中。
5.如权利要求2所述的NAND型FLASH可靠性的方法，其特征在于，所述根据所述存储阵列每次读取、擦除或编程时各页的阈值电压及相应的读取、擦除或编程次数建立衰退模型，并保存衰退模型至存储阵列中；包括: 建立每次读取、擦除或编程时各页的阈值电压与每次读取、擦除或编程次数的第二映身寸关系； 将所述第二映射关系存入衰退模型，建立衰退模型，并保存衰退模型至存储阵列中。
6.如权利要求1所述的NAND型FLASH可靠性的方法，其特征在于，所述根据所述存储阵列每次读取、擦除或编程时各存储单元的阈值电压及相应的读取、擦除或编程次数，建立衰退模型，并保存衰退模型至存储阵列中，包括: 将存储阵列的读取、擦除或编程次数划分成至少一个范围； 获取各范围内次数的平均阈值电压； 将所述各范围内次数的平均阈值电压作为各范围中各次数所对应的阈值电压； 根据各范围中的次数及所述各范围中次数所对应的阈值电压，建立衰退模型，并保存衰退模型至存储阵列中。
7.如权利要求1所述一种增强NAND型FLASH可靠性的方法，其特征在于，所述在使用过程中，进行读取、擦除或编程时，根据预先保存的衰退模型调整相应的读取、擦除或编程方式；包括: 在使用过程中，进行读取、擦除或编程时，根据预先保存的衰退模型调整存储阵列所施加的参考电压。
8.如权利要求1所述一种增强NAND型FLASH可靠性的方法，其特征在于，所述在使用过程中，进行读取、擦除或编程时，根据预先保存的所述衰退模型调整相应的读取、擦除或编程方式；包括: 在使用过程中，进行读取、擦除或编程时，根据预先保存的衰退模型调整数据的采样时间。
9.如权利要求1所述的增强NAND型FLASH可靠性的方法，其特征在于，所述预先获取NAND型FLASH存储阵列每次读取、擦除或编程各存储单元时的阈值电压及相应的读取、擦除或编程次数；包括: 预先在第一次读取、擦除或编程时起，获取NAND型FLASH存储阵列每次读取、擦除或编程时各存储单元的阈值电压及相应的读取、擦除或编程次数。
【专利摘要】本发明涉及闪存技术领域，尤其涉及一种增强NAND型FLASH可靠性的方法，包括：预先获取NAND型FLASH每次读取、擦除或编程时各存储单元的阈值电压及相应的读取、擦除或编程次数；预先根据存储阵列每次读取、擦除或编程时各存储单元的阈值电压及相应的读取、擦除或编程次数，建立衰退模型，并保存衰退模型至存储阵列中；在使用过程中，进行读取、擦除或编程时，根据预先保存的衰退模型调整相应的读取、擦除或编程方式；根据调整后的读取、擦除或编程方式对所述NAND型FLASH进行读取、擦除或编程。本发明技术方案在读取、擦除或编程时利用衰退模型对存储单元的阈值电压进行补偿，增强了NAND型FLASH的可靠性。
【IPC分类】G11C16-06, G11C29-00
【公开号】CN104766629
【申请号】CN201410007085
【发明人】刘会娟, 朱一明, 苏志强
【申请人】北京兆易创新科技股份有限公司
【公开日】2015年7月8日
【申请日】2014年1月7日