光学感应器及其形成方法与流程

文档序号:20841108发布日期:2020-05-22 17:30阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种光学感应器,其特征在于,包括:

多个像素,位于一基板中;

一光准直层,位于所述基板之上,包括:

一第一遮光层,位于所述基板上方;

多个第一透光柱,穿过所述第一遮光层,对应设置于所述像素上;

一第二遮光层,位于所述第一遮光层及所述第一透光柱上方;以及

多个第二透光柱,穿过所述第二遮光层,对应设置于所述第一透光柱上;

其中所述第一透光柱的顶面积不等于所述第二透光柱的底面积。

2.根据权利要求1所述的光学感应器,其特征在于,所述第一透光柱及所述第二透光柱在剖面图中的形状相同。

3.根据权利要求1所述的光学感应器,其特征在于,所述第一透光柱及所述第二透光柱在剖面图中的形状不同。

4.根据权利要求1所述的光学感应器,其特征在于,所述第一透光柱及所述第二透光柱在剖面图中的大小相同。

5.根据权利要求1所述的光学感应器,其特征在于,所述第一透光柱及所述第二透光柱在剖面图中的大小不同。

6.根据权利要求1所述的光学感应器,其特征在于,所述第一透光柱及所述第二透光柱各自的底面积不等于其各自的顶面积。

7.根据权利要求1所述的光学感应器,其特征在于,所述第一透光柱及所述第二透光柱各自的底面积等于其各自的顶面积。

8.根据权利要求1所述的光学感应器,其特征在于,所述第一透光柱及所述第二透光柱各自的侧壁与其各自的底表面不垂直。

9.根据权利要求1所述的光学感应器,其特征在于,所述第一透光柱及所述第二透光柱的侧壁与其各自的底表面垂直。

10.根据权利要求1所述的光学感应器,其特征在于,所述第一透光柱及所述第二透光柱的总高宽比介于1:1至30:1之间。

11.根据权利要求1所述的光学感应器,其特征在于,所述第一透光柱与所述第二透光柱材料相同,及所述第一遮光层与所述第二遮光层材料相同。

12.根据权利要求1所述的光学感应器,其特征在于,更包括:

一底遮光层,位于所述第一遮光层下,且位于所述像素之间的所述基板上方。

13.根据权利要求12所述的光学感应器,其特征在于,所述底遮光层与所述第一遮光层及所述第二遮光层的材料不同。

14.根据权利要求1所述的光学感应器,其特征在于,更包括:

一第一虚置透光柱,穿过所述第一遮光层,位于所述光准直层的一周边区域中的所述基板上方,未对应至任何所述像素;及

一第二虚置透光柱,穿过所述第二遮光层,对应设置于所述第一虚置透光柱上。

15.一种光学感应器的形成方法,其特征在于,包括:

形成多个像素于一基板中;

形成一光准直层于所述基板之上,其中所述光准直层的形成包括:

形成多个第一透光柱于所述基板之上,其中所述第一透光柱对应设置于所述像素上;

形成一第一遮光层于所述第一透光柱之间;

平坦化所述第一透光柱与所述第一遮光层的上表面;

形成多个第二透光柱于所述第一透光柱与所述第一遮光层之上,其中所述第二透光柱对应设置于所述第一透光柱上;

形成一第二遮光层于所述第二透光柱之间;以及

平坦化所述第二透光柱与所述第二遮光层的上表面;

其中所述第一透光柱的顶面积不等于所述第二透光柱的底面积。

16.根据权利要求15所述的光学感应器的形成方法,其特征在于,所述第一透光柱及所述第二透光柱的总高宽比介于1:1至30:1之间。

17.根据权利要求15所述的光学感应器的形成方法,其特征在于,所述第一透光柱与所述第二透光柱材料相同,及所述第一遮光层与所述第二遮光层材料相同。

18.根据权利要求15所述的光学感应器的形成方法,其特征在于,更包括:

形成一底遮光层于所述像素之间的所述基板上方,其中所述底遮光层位于所述第一遮光层之下。

19.根据权利要求18所述的光学感应器的形成方法,其特征在于,所述底遮光层与所述第一遮光层及所述第二遮光层的材料不同。

20.根据权利要求15所述的光学感应器的形成方法,其特征在于,更包括:

形成一第一虚置透光柱于所述光准直层的一周边区域中,其中所述第一虚置透光柱未对应至任何所述像素;及

形成一第二虚置透光柱对应设置于所述第一虚置透光柱上。


技术总结
本发明实施例提供一种光学感应器及其形成方法,该光学感应器包括:位于基板中的多个像素以及位于基板之上的光准直层。上述光准直层包括:第一遮光层、第一透光柱、第二遮光层及第二透光柱。第一遮光层位于基板之上。第一透光柱穿过第一遮光层,对应设置于像素上。第二遮光层位于第一遮光层及第一透光柱上方;以及第二透光柱,穿过第二遮光层,对应设置于第一透光柱上;第一透光柱的顶面积不等于第二透光柱的底面积。该光学感应器可避免工艺能力限制,提高透光柱的总高宽比,改善多层透光柱之间的对准问题,以提升工艺良率。

技术研发人员:李新辉;曾汉良;余俊良;林光明;陈茵;陈子端;林学荣;吕文志;吕定蓉
受保护的技术使用者:世界先进积体电路股份有限公司
技术研发日:2018.11.15
技术公布日:2020.05.22
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