RFID标签的制作方法

本实用新型涉及一种RFID标签。

背景技术：

例如，在专利文献1中公开了一种RFID(Radio-Frequency Identification，射频识别)标签，该RFID(Radio-Frequency Identification，射频识别)标签包括：具备形成于硅基板的螺旋状的线圈的RFIC(Radio-Frequency Integrated Circuit，射频集成电路)模块；以及供RFIC模块搭载并且具备天线的片状的天线基材。RFIC模块的线圈与天线基材的天线经由电磁场耦合(electromagnetic field couping)连接，因此不必使用锡焊等进行直流连接。因此，即使在反复变形的那样的严酷的条件下使用RFID标签，例如安装于反复洗涤的亚麻布，也能维持RFIC模块与天线的连接。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2008-310453号公报

技术实现要素：

实用新型要解决的问题

在专利文献1所记载的RFID标签的情况下，RFIC模块的线圈与天线电磁场耦合。因此，为了没有偏差地获得RFID标签的期望的通信特性，需要将RFIC模块没有偏差地以一定的位置、姿势搭载于天线基材。特别是，在专利文献1所记载的RFID标签的情况下，由于螺旋状的线圈形成于硅基板的一表面，因此在将RFIC模块正反颠倒地搭载于天线基材时，RFID标签的通信特性即线圈与天线的耦合度大幅地变化。

于是，本实用新型的要解决的问题在于，使RFID标签的RFIC模块与天线这两者在其耦合度的偏差得到抑制的状态下电磁场耦合。

用于解决问题的方案

为了解决所述技术问题，根据本实用新型的一技术方案，提供一种RFID标签，所述RFID标签具有：

RFIC模块，其包括基板、RFIC芯片以及环形导体，所述RFIC芯片设于所述基板，所述环形导体设于所述基板，并且与所述RFIC芯片连接；以及

天线基材，其供所述RFIC模块搭载，并且具有天线导体，所述天线导体包含辐射部和耦合部，所述辐射部用于辐射电波，所述耦合部与所述辐射部连接并与所述环形导体电磁场耦合，

所述环形导体包含第1环形图案、第2环形图案以及层间连接导体，所述第1环形图案形成于所述基板的第1主面，所述第2环形图案形成于所述基板的与所述第1主面相对的第2主面，所述层间连接导体贯通所述基板并使所述第1环形图案与第2环形图案串联地连接。

实用新型的效果

采用本实用新型，对于RFID标签而言，能够使RFIC模块与天线这两者在其耦合度的偏差得到抑制的状态下电磁场耦合。

附图说明

图1是本实用新型的实施方式1的RFID标签的立体图。

图2是实施方式1的RFID标签的俯视图。

图3是RFIC模块的立体图。

图4是RFIC模块的分解立体图。

图5是实施方式2的RFID标签的俯视图。

图6是实施方式3的RFID标签的俯视图。

图7是实施方式4的RFID标签的俯视图。

图8是实施方式5的RFID标签的俯视图。

图9是实施方式6的RFID标签的俯视图。

图10是实施方式7的RFID标签的俯视图。

图11是实施方式8的一个例子的RFID标签的俯视图。

图12是实施方式8的另一个例子的RFID标签的俯视图。

图13是实施方式8的又一个例子的RFID标签的俯视图。

具体实施方式

本实用新型的一形态的RFID标签具有：RFIC模块，其包括基板、RFIC芯片以及环形导体，上述RFIC芯片设于上述基板，上述环形导体设于上述基板，并且与上述RFIC芯片连接；以及天线基材，其供上述RFIC模块搭载，并且具有天线导体，上述天线导体包含辐射部和耦合部，上述辐射部用于辐射电波，上述耦合部与上述辐射部连接并与上述环形导体电磁场耦合，上述环形导体包含第1环形图案、第2环形图案以及层间连接导体，上述第1环形图案形成于上述基板的第1主面，上述第2环形图案形成于上述基板的与上述第1主面相对的第2主面，上述层间连接导体贯通上述基板并使上述第1环形图案与第2环形图案串联地连接。

采用该形态，对于RFID标签而言，能够使RFIC模块与天线这两者在其耦合度的偏差得到抑制的状态下电磁场耦合。

也可以是，上述天线导体的耦合部是环状耦合部，沿上述RFIC模块对于上述天线基材的搭载方向观察时，上述RFIC模块配置在上述环状耦合部内。

也可以是，上述天线导体的耦合部是环状耦合部，沿上述RFIC模块对于上述天线基材的搭载方向观察时，上述RFIC模块以与上述环状耦合部重叠(overlap)的方式搭载于上述天线基材。由此，利用RFIC模块保护天线导体的环状耦合部。

也可以是，上述环状耦合部是包含立体交叉部的一圈以上的环状，上述RFIC模块以至少一部分与上述立体交叉部重叠的方式搭载于上述天线基材。由此，利用RFIC模块保护立体交叉部。

也可以是，上述环状耦合部与上述RFIC模块的上述环形导体重叠。由此，环状耦合部与环形导体以更高的耦合度电磁场耦合。

也可以是，上述天线导体的耦合部包括环状导体和电容形成用导体(capacitance froming conductor)，上述环状导体小于一圈，设于上述天线基材的一表面，上述电容形成用导体设于上述天线基材的另一表面，与小于一圈的上述环状导体的一端和另一端电容耦合。由此，构成即使天线基材大幅地反复变形也不易断路的环状的耦合部。另外，能使天线导体的谐振频率与RFID标签的谐振频率实质上相等，由此，能使天线导体的耦合部与RFID标签的环形导体以更高的耦合度电磁场耦合。

也可以是，上述天线基材具有挠性。由此，通过使天线基材自如地变形，能够避开作用于RFID标签的冲击。结果，进一步维持天线基材与RFIC模块的结合。

以下，参照附图说明本实用新型的实施方式。

(实施方式1)

图1是表示本实用新型的实施方式1的RFID(Radio-Frequency Identification)标签的结构的立体图，图2是RFID标签的俯视图。另外，在图中，X-Y-Z坐标系用于使实用新型容易理解，并不限定实用新型。X轴方向表示RFID标签的宽度方向，Y轴方向表示长度方向，Z轴方向表示厚度方向。

如图1和图2所示，RFID标签10具有RFIC(Radio-Frequency Integrated Circuit)模块20和供RFIC模块20搭载的天线基材50。

图3是RFIC模块20的立体图，图4是分解立体图。

如图3所示，RFIC模块20为长方体形状的块体，宽度方向(X轴方向)和长度方向(Y轴方向)的尺寸大于厚度方向(Z轴方向)的尺寸。

RFIC模块20包括用作例如印刷线路板的环氧玻璃基板等的基板22以及设于基板22的RFIC芯片24。在该RFIC模块20中，利用RFIC芯片24本身具有的电容成分和环形导体26的电感成分构成具有相当于通信频率(例如UHF段的频率)的谐振频率的谐振电路。

如图3和图4所示，基板22为长方体形状，包括第1主面22a和第2主面22b，该第2主面22b沿基板22的厚度方向(Z轴方向)与第1主面22a相对。第1主面22a和第2主面22b具有比其余的4个端面(X轴方向两端的表面和Y轴方向两端的表面)大的面积。另外，在第1主面22a之上安装有RFIC芯片24。

另外，在基板22设有与RFIC芯片24连接的环形导体26。具体而言，环形导体26包含第1环形图案28、第2环形图案30以及层间连接导体32，上述第1环形图案28形成于基板22的第1主面22a，上述第2环形图案30形成于基板22的第2主面22b，上述层间连接导体32使第1环形图案28与第2环形图案30串联地连接。

环形导体26中的第1环形图案28和第2环形图案30由形成于基板22的第1主面22a和第2主面22b的环状的导体图案构成。具体而言，第1环形图案28和第2环形图案30为小于一圈的半环形(C字形)。

形成于基板22的第1主面22a的第1环形图案28的一端28a与RFIC芯片24的第1输入输出端子24a连接。第1环形图案28的另一端28b与形成于第2主面22b的第2环形图案30的一端30a连接。具体而言，第1环形图案28的另一端28b与第2环形图案30的一端30a经由沿厚度方向(Z轴方向)贯通基板22的通孔导体等层间连接导体32而连接在一起。第2环形图案30的另一端30b经由层间连接导体34与形成于第1主面22a的焊盘(land)状的导体图案即焊盘图案36连接。该焊盘图案36与RFIC芯片24的第2输入输出端子24b连接。

另外，在本实施方式1的情况下，第1环形图案28和第2环形图案30具有相同的宽度，两者的大部分沿基板22的厚度方向(Z轴方向)彼此相对。

RFIC芯片24构成为以预定的通信频率(例如UHF段的频率)进行无线通信。另外，RFIC芯片24以第1输入输出端子24a与第1环形图案28的一端28a连接并且第2输入输出端子24b与焊盘图案36连接的状态安装于基板22的第1主面22a。

在本实施方式的情况下，如图3所示，在基板22的第1主面22a之上形成有用于保护RFIC芯片24和第1环形图案28的树脂层等保护层38。另外，在基板22的第2主面22b形成有用于保护第2环形图案28的树脂层等保护层40。

如图1和图2所示，在本实施方式1的情况下，供RFIC模块20搭载的天线基材50包括基材片52和天线导体54，上述基材片52由具有挠性的树脂材料制作而成，上述天线导体54是形成于该基材片52的一表面52a之上的导体图案。

在本实施方式1的情况下，RFIC模块20与天线导体54同样地设于天线基材50的基材片52的表面52a之上。具体而言，RFIC模块20在基板22的第1主面22a侧(保护层38侧)的外侧表面20a或第2主面22b侧(保护层40侧)的外侧表面20b利用例如环氧系树脂粘接剂等绝缘性粘接剂安装于基材片52的表面52a。

另外，如上所述，基材片52具有挠性，因此RFIC模块20不易与基材片52分开。例如，在天线基材的基材片为刚体的情况下，当冲击作用于RFID标签时，RFIC模块有时因该冲击而与基材片分开。而在基材片具有挠性的情况下，通过基材片变形，能够缓冲RFID标签受到的冲击。结果，天线基材与RFIC模块的结合(机械性的结合和电磁场耦合)得到进一步维持。

天线导体54包括耦合部54a、第1辐射部54b以及第2辐射部54c，上述耦合部54a与RFIC模块20的环形导体26电磁场耦合，上述第1辐射部54b自耦合部54a朝向基材片52的长度方向(Y轴方向)的一侧呈蜿蜒状延伸，上述第2辐射部54c自耦合部54a朝向长度方向的另一侧呈蜿蜒状延伸。

如图1和图2所示，天线导体54的耦合部54a是环状的导体图案，更具体而言是小于一圈的环状(半环形)的导体图案。在本实施方式1的情况下，RFIC模块20以非接触的状态配置在半环形的耦合部54a内。由此，沿RFIC模块20对于天线基材50的搭载方向观察(沿Z轴方向观察)时，在半环形的耦合部54a内配置RFIC模块20的环形导体26。由此，耦合部54a与环形导体26进行电磁场耦合。

具体而言，当天线导体54的辐射部54b、54c接收电波时，电流在天线导体54流动。利用该电流在耦合部54a产生磁场。利用该产生的磁场使电流在环形导体26流动，利用该电流驱动RFIC芯片24。利用这样的电磁场耦合(主要是磁场耦合)，RFID标签10(RFIC芯片24)能以在本实施方式1的情况下是UHF段的通信频率与读取装置等外部的通信装置(未图示)进行无线通信。另外，天线导体54也可以是具有相当于通信频率(例如UHF段的频率)的谐振频率的偶极天线，也就是具有相当于λ/2(λ为通信波长)的电长度的偶极天线，但并不限定于具有这样的谐振频率、电长度的天线。

另外，在本实施方式1的RFIC模块20中，环形导体26包含形成于基板22的第1主面22a的第1环形图案28和形成于第2主面22b的第2环形图案30。并且，上述的第1环形图案28和第2环形图案30经由层间连接导体32串联地连接。

因而，无论以第1环形图案28位于比第2环形图案30靠近天线基材50的位置的方式将RFIC模块20搭载于该天线基材50，还是颠倒过来以第2环形图案30位于比第1环形图案28靠近天线基材50的位置的方式搭载RFIC模块20，天线导体54的耦合部54a与环形导体26之间的电磁场耦合的耦合度均实质上不变。即，与耦合度相关的RFID标签10的能够通信的距离等通信特性实质上不变。因而，RFID标签10能够稳定地获得期望的通信特性。

另外，RFIC模块20配置在天线导体54的耦合部54a内。即，RFIC模块20未与耦合部54a局部重叠。因此，由RFIC模块20的边缘(两个表面之间的边缘)导致的天线导体54的耦合部54a的断路得到抑制。

例如，在将RFID标签10安装于要洗涤的亚麻布的情况下，在洗涤过程中，天线基材50反复进行各种变形。此时，若RFIC模块20与耦合部54a局部重叠，则RFIC模块20的边缘与耦合部54a多次接触，结果两者的接触部分可能断路。因而，根据RFID标签的使用用途，优选RFIC模块20不与天线导体54的耦合部54a接触。

采用本实施方式1，RFIC模块20和天线导体54能在耦合度的偏差得到抑制的状态下电磁场耦合。

(实施方式2)

在本实施方式2中，RFIC模块的环形导体与天线导体的耦合部之间的电磁场耦合的形态与上述的实施方式1不同。本实施方式2的RFID标签具有上述的实施方式1的RFIC模块。另一方面，本实施方式2的天线基材为与上述的实施方式1的天线基材50相同的构造，但尺寸与天线基材50不同。因而，以不同之处为中心说明本实施方式2。

图5是本实施方式2的RFIC标签的俯视图。另外，在本说明书中，关于附图标记，标注了包含“’(撇号)”的附图标记的构成要素与标注了与该附图标记内的数字相同的数字的附图标记的构成要素在构造上相同，但在尺寸上不同。例如，图5所示的天线基材50’具有与图2所示的天线基材50相同的构造，但尺寸与天线基材50不同。

如图5所示，在本实施方式2的RFID标签110的情况下，天线基材50’的天线导体54’的耦合部54a’为小于一圈的环状(半环形)。

但是，与上述的实施方式1不同，沿RFIC模块20对于天线基材50’(基材片52’)的搭载方向观察(沿Z轴方向观察(沿与纸面正交的方向观察))时，本实施方式2的耦合部54a’与RFIC模块20重叠。进一步而言，耦合部54a’与RFIC模块20的环形导体26重叠。

通过使RFIC模块20的环形导体26与天线导体54’的半环形的耦合部54a’重叠，使该环形导体26与耦合部54a’以更高的耦合度电磁场耦合(相比于像上述的实施方式1那样将环形导体配置在耦合部内的情况)。

另外，为了进一步提高电磁场耦合的耦合度，RFIC模块20的环形导体26中的第1环形图案28、第2环形图案30以及天线导体54’的半环形的耦合部54a’也可以具有相同的宽度地相对。

另外，由于环形导体26与半环形的耦合部54a’重叠，因此该耦合部54a’的大致整体必然被RFIC模块20覆盖而保护。由此，环形导体26与耦合部54a’的电磁场耦合得到进一步维持。

采用这样的本实施方式2，能与上述的实施方式1同样地使RFIC模块20和天线导体54’在耦合度的偏差得到抑制的状态下电磁场耦合。

(实施方式3)

本实施方式3的天线导体的耦合部与上述的实施方式1不同。另外，本实施方式3的RFID标签具有上述的实施方式1的RFIC模块。因而，以与实施方式1的不同之处为中心说明本实施方式3。

图6是本实施方式3的RFID标签的俯视图。

如图6所示，在本实施方式3的RFID标签210的情况下，天线基材250的天线导体254的耦合部254a为环状。但是，具体而言，与上述的实施方式1的天线导体54的小于一圈的环状(半环形)的耦合部54a不同，耦合部254a为一圈以上的环状。

天线导体254的耦合部254a为一圈以上的环状，因此具有立体交叉部。具体而言，耦合部254a的与一辐射部254b连接的一端部254ab和与另一辐射部254c连接的另一端部254ac立体交叉，从而构成耦合部254a的立体交叉部。两个端部254ab、254ac之间的主体部254aa包围RFIC模块20的三面。另外，在立体交叉的一端部254ab与另一端部254ac之间设有绝缘层256。

RFIC模块20配置在这样的一圈以上的环状的耦合部254a内。即，RFIC模块20的整周被耦合部254a包围。由此，与小于一圈的环状的耦合部相比，一圈以上的环状的耦合部254a以更高的耦合度与RFIC模块20的环形导体26电磁场耦合。

采用这样的本实施方式3，能与上述的实施方式1同样地使RFIC模块20与天线导体254在耦合度的偏差得到抑制的状态下进行电磁场耦合。

(实施方式4)

在本实施方式4中，RFIC模块的环形导体与天线导体的耦合部之间的电磁场耦合的形态与上述的实施方式3不同。本实施方式4的RFID标签具有上述的实施方式3的RFIC模块。另一方面，本实施方式4的天线基材为与上述的实施方式3的天线基材250相同的构造，但尺寸与天线基材250不同。因而，以与实施方式3的不同之处为中心说明本实施方式4。

图7是本实施方式4的RFIC标签的俯视图。

如图7所示，在本实施方式4的RFID标签310的情况下，天线基材250’的天线导体254’的耦合部254a’为一圈以上的环状。

但是，与上述的实施方式3不同，沿RFIC模块20对于天线基材250’(基材片252’)的搭载方向观察(沿Z轴方向观察(沿与纸面正交的方向观察))时，本实施方式2的耦合部254a’与RFIC模块20重叠。进一步而言，耦合部254a’与RFIC模块20的环形导体26重叠。

通过使RFIC模块20的环形导体26与天线导体254’的半环形的耦合部254a’重叠，使该环形导体26和耦合部254a’以更高的耦合度电磁场耦合(相比于像上述的实施方式3那样将环形导体配置在耦合部内的情况)。

另外，为了进一步提高电磁场耦合的耦合度，RFIC模块20的环形导体26中的第1环形图案28、第2环形图案30以及天线导体254’的环状的耦合部254a’也可以具有相同的宽度地相对。

另外，由于环形导体26与半环形的耦合部254a’重叠，因此该耦合部254a’的大致整体必然被RFIC模块20覆盖而保护。特别是，抑制在由耦合部254a’的两个端部254ab’、254ac’形成的立体交叉部发生破损(断路)。由此，环形导体26与耦合部254a’的电磁场耦合得到进一步维持。

采用这样的本实施方式4，能与上述的实施方式1同样地使RFIC模块20和天线导体254’在耦合度的偏差得到抑制的状态下电磁场耦合。

(实施方式5)

本实施方式5的天线导体整体与上述的实施方式1、实施方式3不同。另外，本实施方式5的RFID标签具有上述的实施方式1的RFIC模块。因而，以与实施方式1、实施方式3的不同之处为中心说明本实施方式5。

图8是本实施方式5的RFID标签的俯视图。

如图8所示，针对本实施方式5的RFID标签410的天线基材450而言，天线导体454具有一圈以上的环状的耦合部454a。另外，天线导体454的一辐射部454b设于基材片452的一表面452a，另一辐射部454c设于另一表面452b。因此，耦合部454a的与另一辐射部454c连接的端部454ac也设于基材片452的另一表面452b。因而，耦合部454a的两个端部454ab、454ac夹着基材片452地立体交叉(构成立体交叉部)。

耦合部454a的设于基材片452的另一表面452b的端部454ac经由贯通基材片452的层间连接导体454ad与设于一表面452a并包围RFIC模块20的三面的耦合部454a的主体部454aa连接。

RFIC模块20配置在这样的一圈以上的环状的耦合部454a内。即，RFIC模块20的整周被耦合部454a包围。由此，与小于一圈的半环形的耦合部相比，一圈以上的环状的耦合部454a以更高的耦合度与RFIC模块20的环形导体26电磁场耦合。

采用这样的本实施方式5，能与上述的实施方式1同样地使RFIC模块20和天线导体454在耦合度的偏差得到抑制的状态下电磁场耦合。

(实施方式6)

在本实施方式6中，RFIC模块的环形导体与天线导体的耦合部之间的电磁场耦合的形态与上述的实施方式5不同。本实施方式6的RFID标签具有上述的实施方式5的RFIC模块。另一方面，本实施方式6的天线基材为与上述的实施方式5的天线基材450相同的构造，但在尺寸上与天线基材450不同。因而，以与实施方式5的不同之处为中心说明本实施方式6。

图9是本实施方式6的RFIC标签的俯视图。

如图9所示，在本实施方式6的RFID标签510的情况下，天线基材450’的天线导体454’的耦合部454a’为一圈以上的环状。

但是，与上述的实施方式5不同，沿RFIC模块20对于天线基材450’(基材片452’)的搭载方向观察(沿Z轴方向观察(沿与纸面正交的方向观察))时，本实施方式6的耦合部454a’与RFIC模块20重叠。进一步而言，耦合部454a’与RFIC模块20的环形导体26重叠。

通过使RFIC模块20的环形导体26与天线导体454’的环状的耦合部454a’重叠，使该环形导体26和耦合部454a’以更高的耦合度电磁场耦合(相比于像上述的实施方式5那样将环形导体配置在耦合部内的情况)。

另外，为了进一步提高电磁场耦合的耦合度，RFIC模块20的环形导体26中的第1环形图案28、第2环形图案30以及天线导体454’的环状的耦合部454a’也可以具有相同的宽度地相对。

另外，由于环形导体26与半环形的耦合部454a’重叠，因此该耦合部454a’的大致整体必然被RFIC模块20覆盖而保护。特别是，实现由耦合部454a’的两个端部454ab’、454ac’形成的立体交叉部的层间连接导体454ad’得到保护，由此，抑制发生层间连接导体454ad’与主体部454aa’之间的连接部的破损(断路)、该层间连接导体454ad’与端部454ac’之间的连接部的破损(断路)。由此，环形导体26与耦合部254a’的电磁场耦合得到进一步维持。

采用这样的本实施方式6，能与上述的实施方式1同样地使RFIC模块20和天线导体454’在耦合度的偏差得到抑制的状态下电磁场耦合。

(实施方式7)

本实施方式7的天线导体的耦合部与上述的实施方式1不同。另外，本实施方式7的RFID标签具有上述的实施方式1的RFIC模块。因而，以与实施方式1的不同之处为中心说明本实施方式7。

图10是本实施方式7的RFIC标签的俯视图。

如图10所示，本实施方式7的RFID标签610的天线导体654的耦合部654a为一圈的环状。具体而言，由设于基材片652的一表面652a的小于一圈的环状(半环形)的主体部654aa和设于另一表面652b的带状的电容形成用导体658构成为一圈的环状。

如图10所示，带状的电容形成用导体658包括与半环形的主体部654aa的一端654ab电容耦合的一端以及与主体部654aa的另一端654ac电容耦合的另一端。利用这样的主体部654aa和电容形成用导体658构成环状的耦合部654a。

即使是这种不连续的环状的耦合部654a，也能与RFIC模块20的环形导体26电磁场耦合。

另外，在天线导体不像图6所示那样立体交叉且不像图8所示那样使用层间连接导体的前提下形成环状的耦合部654a。因此，对于本实施方式7的天线导体654的耦合部654a而言，即使基材片652反复变形，由于是不具有立体交叉部、层间连接导体的构造，因此也不易断路。

此外，在图10所示的RFID标签610的情况下，通过将RFIC模块20配置在环状的耦合部654a内，进一步抑制天线导体654的耦合部654a的断路。结果，即使天线基材650较大且长时间反复变形，RFID标签610也能持续维持通信性能。

另外，通过适当地设定电容形成用导体658的长度、与耦合部654a相对的面积等，能使天线导体654具有与RFIC模块20的谐振频率实质上相同的谐振频率。由此，天线导体654的耦合部654a和RFIC模块20的环形导体26通过具有实质上相等的谐振频率，能以更高的耦合度电磁场耦合。

采用这样的本实施方式7，能与上述的实施方式1同样地使RFIC模块20和天线导体654在耦合度的偏差得到抑制的状态下电磁场耦合。

(实施方式8)

在上述的实施方式1～实施方式7的情况下，天线导体是设于由树脂材料制成的基材片之上的导体图案。但是，本实用新型的实施方式不限定于此。

图11～图13是本实施方式8的不同的例子的RFID标签的俯视图。

在图11所示的一个例子的RFID标签710的情况下，天线基材750的基材片752为布构件，天线导体754是缝制于基材片752的例如金属丝等的导线。在图11所示的RFID标签710的情况下，天线导体754呈蜿蜒状缝制于基材片752。另外，天线导体754的折回部754a作为与RFIC模块20的环形导体26电磁场耦合的耦合部发挥功能。另外，RFIC模块20借助例如绝缘性粘接剂安装于基材片752。

在图12所示的另一个例子的RFID标签810的情况下，天线导体854呈S字形缝制于基材片852。另外，天线导体854的折回部854a作为与RFIC模块20的环形导体26电磁场耦合的耦合部发挥功能。

在图13所示的又一个例子的RFID标签910的情况下，天线导体954以形成有1个环状部954a的方式呈蜿蜒状缝制于基材片952。该环状部954a作为与RFIC模块20的环形导体26电磁场耦合的耦合部发挥功能。

这样，通过利用布构件构成天线基材的基材片，并且将作为天线导体的导线缝制于基材片，能够构成能自如地变形的RFID标签。即，能够实现即使变形也不易断路的RFID标签。

采用这样的本实施方式8，能与上述的实施方式1同样地使RFIC模块20与天线导体754、854、954在耦合度的偏差得到抑制的状态下电磁场耦合。

以上，举出上述多个实施方式1～实施方式8说明了本实用新型，但本实用新型的实施方式不限定于此。

例如，在上述的实施方式2、4、6的情况下，在RFIC模块20与天线导体54’的环状的耦合部54a’、天线导体254’的环状的耦合部254a’以及天线导体454’的环状的耦合部454a’重叠的基础上，进一步使RFIC模块20的环形导体26也与上述耦合部54a’、254a’、454a’重叠。但是，本实用新型的实施方式不限定于此。例如，也可以在RFIC模块20与天线导体的环状的耦合部重叠的基础上，在环状的耦合部内存在环形导体，或者也可以以包围环状的耦合部的方式存在环形导体。在这些情况下，天线导体的耦合部与RFIC模块的环形导体也能电磁场耦合。

另外，对于本领域技术人员来说，清楚的是，对于一实施方式，能将另外的至少1个实施方式的整体或一部分组合于该一实施方式而形成为本实用新型的又一实施方式。

即，本实用新型的实施方式的RFID标签在广义上具有：RFIC模块，其包括基板、RFIC芯片以及环形导体，上述RFIC芯片设于上述基板，上述环形导体设于上述基板，并且与上述RFIC芯片连接；以及天线基材，其供上述RFIC模块搭载，并且具有天线导体，该天线导体包含用于辐射电波的辐射部和与上述辐射部连接并与上述环形导体电磁场耦合的耦合部，上述环形导体包含第1环形图案、第2环形图案以及层间连接导体，上述第1环形图案形成于上述基板的第1主面，上述第2环形图案形成于上述基板的与上述第1主面相对的第2主面，上述层间连接导体贯通上述基板并使上述第1环形图案与第2环形图案串联地连接。

产业上的可利用性

本实用新型能够应用于RFIC模块与天线电磁场耦合的RFID标签。

附图标记说明

10、RFID标签；20、RFIC模块；22、基板；24、RFIC芯片；26、环形导体；28、第1环形图案；30、第2环形图案；32、层间连接导体；50、天线基材；54、天线导体；54a、耦合部；54b、辐射部；54c、辐射部。