基于固态硬盘的后端参数动态适配方法和装置与流程

本发明涉及固态硬盘技术领域，特别是涉及一种基于固态硬盘的后端参数动态适配方法、装置、计算机设备和存储介质。

背景技术：

目前，现有固态硬盘的后端主要由nfc，phy，以及nand构成，而三个模块又由不同的厂商生产，有着不同的工作规律。

nfc后端框图如图1所示，nfc后端由nfc模块，phy模块，和nand模块构成，nfc负责下发命令，phy用来将nfc和nand物理连接，nand用来执行nfc下发命令。由于nfc，phy和nand是不同厂商生产，各个模块各个工作模式下的配置也需要同步，这样才能保证ssd正常工作，比如在nfc工作在高频时，需要配置相应的phy参数，同时工作频率不能超过nand最大的接收范围。

在传统技术中，通常都是通过手动配置ssd后端参数，虽然可以保证三个模块的协同工作，可是并不能动态的适应ssd的各个工作状态，这样会导致ssd在温度过高的情况下，nfc不能降低频率去适应，还需要手动去配置。

技术实现要素：

基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种可以适配与ssd的各个工作模式，优化ssd的兼容性，并减少手动配置的基于固态硬盘的后端参数动态适配方法、装置、计算机设备和存储介质。

一种基于固态硬盘的后端参数动态适配方法，所述方法包括：

获取基于固态硬盘的后端参数动态适配请求；

根据所述请求在进行初始化时设置调整ssd后端参数切换的温度阈值；

判断当前温度是否超过所述温度阈值；

若当前温度没有超过所述温度阈值，则配置nfc为高频工作状态配置phy参数为高频参数；

若当前温度超过所述温度阈值，则配置nfc为低频工作状态配置phy参数为低频参数。

在其中一个实施例中，在所述若当前温度没有超过所述温度阈值，则配置nfc为高频工作状态配置phy参数为高频参数的步骤之后还包括：

判断nand状态是否正常；

若nand状态正常，则判断当前温度是否达到切换的温度阈值；

若nand状态不正常，则配置nfc为低频工作状态配置phy参数为低频参数。

在其中一个实施例中，在所述判断当前温度是否达到切换的温度阈值的步骤之后还包括：

若当前温度是否达到切换的温度阈值，则切换nfc为低频工作状态配置phy参数为低频参数。

在其中一个实施例中，在所述配置nfc为低频工作状态配置phy参数为低频参数的步骤之后还包括：

判断当前温度是否已经恢复到所述温度阈值以内；

若当前温度已经恢复到所述温度阈值以内，则切换nfc为高频工作状态配置phy参数为高频参数。

一种基于固态硬盘的后端参数动态适配装置，所述装置包括：

获取模块，所述获取模块用于获取基于固态硬盘的后端参数动态适配请求；

设置模块，所述设置模块用于根据所述请求在进行初始化时设置调整ssd后端参数切换的温度阈值；

第一判断模块，所述第一判断模块用于判断当前温度是否超过所述温度阈值；

配置模块，所述配置模块用于若当前温度没有超过所述温度阈值，则配置nfc为高频工作状态配置phy参数为高频参数；

所述配置模块还用于若当前温度超过所述温度阈值，则配置nfc为低频工作状态配置phy参数为低频参数。

在其中一个实施例中，所述装置还包括第二判断模块，所述第二判断模块用于：

判断nand状态是否正常；

若nand状态正常，则判断当前温度是否达到切换的温度阈值；

若nand状态不正常，则配置nfc为低频工作状态配置phy参数为低频参数。

在其中一个实施例中，所述装置还包括第一切换模块，所述第一切换模块用于：

若当前温度是否达到切换的温度阈值，则切换nfc为低频工作状态配置phy参数为低频参数。

在其中一个实施例中，所述装置还包括第二切换模块，所述第二切换模块用于：

判断当前温度是否已经恢复到所述温度阈值以内；

若当前温度已经恢复到所述温度阈值以内，则切换nfc为高频工作状态配置phy参数为高频参数。

一种计算机设备，包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现上述任意一项方法的步骤。

一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现上述任意一项方法的步骤。

上述基于固态硬盘的后端参数动态适配方法、装置、计算机设备和存储介质，通过获取基于固态硬盘的后端参数动态适配请求；根据所述请求在进行初始化时设置调整ssd后端参数切换的温度阈值；判断当前温度是否超过所述温度阈值；若当前温度没有超过所述温度阈值，则配置nfc为高频工作状态配置phy参数为高频参数；若当前温度超过所述温度阈值，则配置nfc为低频工作状态配置phy参数为低频参数。本发明实现了通过预设温度阈值，根据判断当前温度是否达到温度阈值对ssd各个工作模式的后端参数进行动态适配以及切换，减少了需要手动配置的过程，有效的提升了ssd的安全性和稳定性。

附图说明

图1为nfc后端框图的结构示意图；

图2为传统技术中的后端参数手动配置的流程示意图；

图3为一个实施例中基于固态硬盘的后端参数动态适配方法的流程示意图；

图4为另一个实施例中基于固态硬盘的后端参数动态适配方法的流程示意图；

图5为再一个实施例中基于固态硬盘的后端参数动态适配方法的流程示意图；

图6为一个实施例中基于ssd各个工作模式后端参数动态适配方法的流程示意图；

图7为一个实施例中基于固态硬盘的后端参数动态适配装置的结构框图；

图8为另一个实施例中基于固态硬盘的后端参数动态适配装置的结构框图；

图9为再一个实施例中基于固态硬盘的后端参数动态适配装置的结构框图；

图10为又一个实施例中基于固态硬盘的后端参数动态适配装置的结构框图；

图11为一个实施例中计算机设备的内部结构图。

具体实施方式

为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本申请进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。

目前，nfc后端框图如图1所示，nfc后端由nfc模块，phy模块，和nand模块构成，nfc负责下发命令，phy用来将nfc和nand物理连接，nand用来执行nfc下发命令。由于nfc，phy和nand是不同厂商生产，各个模块各个工作模式下的配置也需要同步，这样才能保证ssd正常工作，比如在nfc工作在高频时，需要配置相应的phy参数，同时工作频率不能超过nand最大的接收范围。

后端参数手动配置流程图如图2所示，具体流程包括：

1.在初始化时配置nfc时钟为低频。

2.配置phy参数为低频工作模式。

3.读取nand的颗粒状态。

4.判断颗粒状态是否正常。

5.正常则切换nfc为正常工作状态。

6.配置phy为适配nfc的工作状态

通过手动配置ssd后端参数，虽然可以保证三个模块的协同工作，可是并不能动态的适应ssd的各个工作状态，这样会导致ssd在温度过高的情况下，nfc不能降低频率去适应，还需要手动去配置。

基于此，本发明提供了一种基于固态硬盘的后端参数动态适配方法，可以适配与ssd的各个工作模式，大大的优化了ssd的兼容性，减少了需要手动配置的过程，有效的提升了ssd的安全性和稳定性。

在一个实施例中，如图3所示，提供了一种基于固态硬盘的后端参数动态适配方法，该方法包括：

步骤302，获取基于固态硬盘的后端参数动态适配请求；

步骤304，根据请求在进行初始化时设置调整ssd后端参数切换的温度阈值；

步骤306，判断当前温度是否超过温度阈值；

步骤308，若当前温度没有超过温度阈值，则配置nfc为高频工作状态配置phy参数为高频参数；

步骤310，若当前温度超过温度阈值，则配置nfc为低频工作状态配置phy参数为低频参数。

在本实施例中，通过获取基于固态硬盘的后端参数动态适配请求；根据请求在进行初始化时设置调整ssd后端参数切换的温度阈值；判断当前温度是否超过所述温度阈值；若当前温度没有超过温度阈值，则配置nfc为高频工作状态配置phy参数为高频参数；若当前温度超过温度阈值，则配置nfc为低频工作状态配置phy参数为低频参数。本实施例实现了通过预设温度阈值，根据判断当前温度是否达到温度阈值对ssd各个工作模式的后端参数进行动态适配以及切换，减少了需要手动配置的过程，有效的提升了ssd的安全性和稳定性。

在一个实施例中，如图4所示，提供了一种基于固态硬盘的后端参数动态适配方法，该方法在若当前温度没有超过温度阈值，则配置nfc为高频工作状态配置phy参数为高频参数的步骤之后还包括：

步骤402，判断nand状态是否正常；

步骤404，若nand状态正常，则判断当前温度是否达到切换的温度阈值；

步骤406，若nand状态不正常，则配置nfc为低频工作状态配置phy参数为低频参数。

在一个实施例中，提供了一种基于固态硬盘的后端参数动态适配方法，该方法在判断当前温度是否达到切换的温度阈值的步骤之后还包括：

若当前温度是否达到切换的温度阈值，则切换nfc为低频工作状态配置phy参数为低频参数。

在一个实施例中，如图5所示，提供了一种基于固态硬盘的后端参数动态适配方法，该方法在配置nfc为低频工作状态配置phy参数为低频参数的步骤之后还包括：

步骤502，判断当前温度是否已经恢复到所述温度阈值以内；

步骤504，若当前温度已经恢复到温度阈值以内，则切换nfc为高频工作状态配置phy参数为高频参数。

具体地，结合图6，图6为基于ssd各个工作模式后端参数动态适配方法的流程示意图，具体包括：

1.初始化时设置调整ssd后端参数切换的温度阈值。

2.判断温度是否超过温度阈值

3.没超过阈值，配置nfc为高频工作状态。

4.配置phy参数为高频参数。

5.判断nand状态是否正常。

6.不正常则直接配置nfc低频工作，phy低频参数

7.工作正常，判断温度是否达到参数切换阈值。

8.达到温度阈值切换nfc低频工作。

9.切换phy低频参数。

10.当温度恢复阈值内，切换nfc高频工作，phy高频参数

在本实施例中，通过基于ssd各个工作模式后端参数动态适配的方法，可以大幅度提升ssd针对不同环境的兼容性，有效的提高了nfc在不同模式下的工作效率，提升了ssd的可靠性和兼容性。

应该理解的是，虽然图3-6的流程图中的各个步骤按照箭头的指示依次显示，但是这些步骤并不是必然按照箭头指示的顺序依次执行。除非本文中有明确的说明，这些步骤的执行并没有严格的顺序限制，这些步骤可以以其它的顺序执行。而且，图3-6中的至少一部分步骤可以包括多个子步骤或者多个阶段，这些子步骤或者阶段并不必然是在同一时刻执行完成，而是可以在不同的时刻执行，这些子步骤或者阶段的执行顺序也不必然是依次进行，而是可以与其它步骤或者其它步骤的子步骤或者阶段的至少一部分轮流或者交替地执行。

在一个实施例中，如图7所示，提供了一种基于固态硬盘的后端参数动态适配装置700，包括：

获取模块701，用于获取基于固态硬盘的后端参数动态适配请求；

设置模块702，用于根据请求在进行初始化时设置调整ssd后端参数切换的温度阈值；

第一判断模块703，用于判断当前温度是否超过温度阈值；

配置模块704，用于若当前温度没有超过温度阈值，则配置nfc为高频工作状态配置phy参数为高频参数；若当前温度超过温度阈值，则配置nfc为低频工作状态配置phy参数为低频参数。

在一个实施例中，如图8所示，提供了一种基于固态硬盘的后端参数动态适配装置700，该装置还包括第二判断模块705，用于：

判断nand状态是否正常；

若nand状态正常，则判断当前温度是否达到切换的温度阈值；

若nand状态不正常，则配置nfc为低频工作状态配置phy参数为低频参数。

在一个实施例中，如图9所示，提供了一种基于固态硬盘的后端参数动态适配装置700，该装置还包括第一切换模块706，用于：

若当前温度是否达到切换的温度阈值，则切换nfc为低频工作状态配置phy参数为低频参数。

在一个实施例中，如图10所示，提供了一种基于固态硬盘的后端参数动态适配装置700，该装置还包括第二切换模块707，用于：

判断当前温度是否已经恢复到温度阈值以内；

若当前温度已经恢复到温度阈值以内，则切换nfc为高频工作状态配置phy参数为高频参数。

关于基于固态硬盘的后端参数动态适配装置的具体限定可以参见上文中对于基于固态硬盘的后端参数动态适配方法的限定，在此不再赘述。

在一个实施例中，提供了一种计算机设备，其内部结构图可以如图11所示。该计算机设备包括通过系统总线连接的处理器、存储器以及网络接口。其中，该计算机设备的处理器用于提供计算和控制能力。该计算机设备的存储器包括非易失性存储介质、内存储器。该非易失性存储介质存储有操作系统、计算机程序和数据库。该内存储器为非易失性存储介质中的操作系统和计算机程序的运行提供环境。该计算机设备的网络接口用于与外部的终端通过网络连接通信。该计算机程序被处理器执行时以实现一种基于固态硬盘的后端参数动态适配方法。

本领域技术人员可以理解，图11中示出的结构，仅仅是与本申请方案相关的部分结构的框图，并不构成对本申请方案所应用于其上的计算机设备的限定，具体的计算机设备可以包括比图中所示更多或更少的部件，或者组合某些部件，或者具有不同的部件布置。

在一个实施例中，提供了一种计算机设备，包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，处理器执行计算机程序时实现以上各个方法实施例中的步骤。

在一个实施例中，提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，计算机程序被处理器执行时实现以上各个方法实施例中的步骤。

本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例方法中的全部或部分流程，是可以通过计算机程序来指令相关的硬件来完成，所述的计算机程序可存储于一非易失性计算机可读取存储介质中，该计算机程序在执行时，可包括如上述各方法的实施例的流程。其中，本申请所提供的各实施例中所使用的对存储器、存储、数据库或其它介质的任何引用，均可包括非易失性和/或易失性存储器。非易失性存储器可包括只读存储器(rom)、可编程rom(prom)、电可编程rom(eprom)、电可擦除可编程rom(eeprom)或闪存。易失性存储器可包括随机存取存储器(ram)或者外部高速缓冲存储器。作为说明而非局限，ram以多种形式可得，诸如静态ram(sram)、动态ram(dram)、同步dram(sdram)、双数据率sdram(ddrsdram)、增强型sdram(esdram)、同步链路(synchlink)dram(sldram)、存储器总线(rambus)直接ram(rdram)、直接存储器总线动态ram(drdram)、以及存储器总线动态ram(rdram)等。

以上实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本申请的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请的保护范围。因此，本申请专利的保护范围应以所附权利要求为准。